发明专利
- 专利标题： 改善されたSiGeファセットによる改善されたシリサイド形成
- 专利标题（英）： JP6419184B2 - Improved silicide formation by improved SiGe facets
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申请号： JP2016536476申请日： 2014-08-22
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公开(公告)号： JP6419184B2公开(公告)日： 2018-11-07
- 发明人: シャシャンク エス エクボーテ , クワンヨン リム , エベニーザ エシュン , ヨウンスン チョイ
- 申请人： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 , テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
- 申请人地址： 東京都新宿区西新宿六丁目24番1号
- 专利权人： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社,テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
- 当前专利权人： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社,テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
- 当前专利权人地址： 東京都新宿区西新宿六丁目24番1号
- 代理商 片寄 恭三
- 优先权： US13/972,973 2013-08-22
- 国际申请： US2014052253 JP 2014-08-22
- 国际公布： WO2015027141 JP 2015-02-26
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/8234
公开/授权文献
- JP2016532296A 改善されたＳｉＧｅファセットによる改善されたシリサイド形成 公开/授权日：2016-10-13
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