发明专利
JP6420871B2 グラフェン被覆シリコン
审中-公开
- 专利标题: グラフェン被覆シリコン
- 专利标题(英): JP6420871B2 - Graphene-coated silicon
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申请号: JP2017114243申请日: 2017-06-09
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公开(公告)号: JP6420871B2公开(公告)日: 2018-11-07
- 发明人: 小國 哲平 , 長多 剛 , 竹内 敏彦
- 申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址: 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址: 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权: JP2011179916 2011-08-19 JP2011179957 2011-08-19
- 主分类号: H01M4/134
- IPC分类号: H01M4/134 ; H01M4/587 ; H01M4/38 ; H01M4/36 ; C01B33/02 ; C01B32/184 ; H01M4/133
公开/授权文献
- JP2017195188A グラフェン被覆シリコン及びその作製方法 公开/授权日:2017-10-26
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