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公开(公告)号：JPWO2019234547A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JPIB2019054361
申请日：2019-05-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。第1の導電体および第2の導電体と、第1の絶縁体乃至第3の絶縁体と、第1の酸化物乃至第3の酸化物と、を有し、第1の絶縁体の上面から露出して第1の導電体が配置され、第1の絶縁体および第1の導電体の上に、第1の酸化物が配置され、第1の酸化物に、第1の導電体に達する第1の開口が設けられ、第1の酸化物上に、第2の酸化物が配置され、第2の酸化物は、第1の領域、第2の領域、および第1の領域と第2の間に位置する第3の領域を有し、第1の領域および第2の領域の抵抗は、第3の領域の抵抗より低く、第2の酸化物の第2の領域は、第1の開口を介して、第1の導電体の上面に接し、第2の酸化物上に第3の酸化物が配置され、第3の酸化物上に第2の絶縁体が配置され、第2の絶縁体上に第2の導電体が配置され、第1の領域および第2の領域を覆い、第1の絶縁体の上面に接して、第3の絶縁体が配置される。
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公开(公告)号：JPWO2019207410A1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JPIB2019053094
申请日：2019-04-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336
Abstract: 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。第1の層と、第1の層上の第2の層と、を有し、第1の層、および第2の層は、それぞれトランジスタを有し、第1の層のトランジスタおよび第2の層のトランジスタは、それぞれ、第1の酸化物と、第1の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体、第2の導電体、および第1の酸化物を覆って配置された第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、第1の酸化物上で、第1の導電体と第2の導電体の間に配置される第2の酸化物と、第2の酸化物上の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、第2の絶縁体の上面、第2の酸化物の上面、第3の絶縁体の上面、および第3の導電体の上面に接する、第4の絶縁体と、を有し、第1の絶縁体および第4の絶縁体は、第2の絶縁体より酸素を透過させにくい、半導体装置。
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公开(公告)号：JP2019114796A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2019028123
申请日：2019-02-20
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 山崎 舜平 , 下村 明久 , 山根 靖正 , 佐藤 裕平 , 田中 哲弘 , 津吹 将志 , 竹内 敏彦 , 徳丸 亮 , 一條 充弘 , 鳥海 聡志 , 大槻 高志 , 遠藤 俊弥
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変 動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。 【解決手段】絶縁表面上の酸化物半導体膜と、絶縁表面及び酸化物半導体膜上の酸化防止 膜と、酸化防止膜に接する一対の電極と、一対の電極上のゲート絶縁膜と、酸化物半導体 膜と重畳するゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、酸化防止膜は、一対の電極と重畳 する領域の幅が一対の電極と重畳しない領域の幅より長いことを特徴とする半導体装置で ある。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6506566B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2015030156
申请日：2015-02-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/26 , H01L21/66 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6437751B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2014146390
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L27/11573 , G11C16/10 , G11C16/24 , H01L21/336
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/20 , H01L21/28282 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/11568
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2016106364A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016015019
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01M4/134
CPC classification number: H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D13/02 , C25D13/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/66 , H01M4/70 , Y10T428/24355
Abstract: 【課題】凹凸を有する物体にグラフェンを実質的に均一な厚さで形成する。 【解決手段】酸化グラフェン溶液中に、物体を浸漬した後、引き上げ乾燥させる、あるい は、物体と電極を浸漬し、前記物体を陽極として前記電極間に電圧を加える。酸化グラフ ェンは負に帯電するので、陽極に引き寄せられ、物体の表面に実質的に均一な厚さで付着 する。その後、物体を真空中あるいは還元性雰囲気中で加熱することで、酸化グラフェン を還元し、グラフェンとする。以上により、凹凸のある物体の表面にも実質的に均一な厚 さのグラフェンの層を形成できる。例えば、ウィスカ状のシリコン表面にもグラフェンの 層を形成でき、リチウムイオン二次電池等の蓄電装置にも利用できる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：在具有粗糙度的物体上形成石墨烯以具有基本上均匀的厚度。解决方案：通过以下步骤，可以在具有粗糙度的偶数物体的表面上形成具有基本均匀厚度的石墨烯层： 将物体浸入石墨烯氧化物的液体溶液中，基本上将物体提升并干燥，或者将物体和电极浸入其中，并在电极和用作正极的物体之间施加电压，由此石墨烯是 沉积在物体的表面上以具有基本上均匀的厚度，其中氧化石墨烯被带负电并被吸引到正电极; 并在此之后在真空或还原气氛中加热物体，将氧化石墨烯氧化物还原成石墨烯。 据此，石墨烯层可以形成在例如石墨烯层上。 晶须状硅表面，也可用于锂离子二次电池等蓄电装置。图1：
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公开(公告)号：JP2016048783A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2015165441
申请日：2015-08-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G02F1/1368 , H01L21/425 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/24 , G01R19/0092 , H01L22/14 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , G01R31/2608 , G01R31/2621 , H01L27/0629
Abstract: 【課題】微小な電流が測定可能な電流測定方法を提供する。 【解決手段】被試験用トランジスタを介して容量素子の第1の端子に書き込まれた電荷を保持し、容量素子の第1の端子の電位V FN と時間tの対応を表すデータを作成し、そのデータに下記式(a1)で表される拡張型指数関数をフィッティングさせ、式(a1)のパラメータを決定する。式(a1)を時間微分することで、被試験用トランジスタのオフ電流を表す拡張型指数関数を導出する。容量素子の第1の端子の電位は、容量素子の第1の端子にゲートが接続されたトランジスタのオン電流を通じて測定する。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供可以测量微细电流的电流测量方法。解决方案：在电流测量方法中，保留通过被测晶体管写入电容元件的第一端的电荷，表示 产生电容元件的第一端子的电势Vof与时间t之间的对应关系，并且将由下式（a1）表示的拉伸指数函数拟合到数据中，以确定公式（a1）的参数。 描述被测晶体管的截止电流的拉伸指数函数是通过对公式（a1）进行时间微分得出的。 使用其栅极连接到电容元件的第一端子的晶体管的导通电流来测量电容元件的第一端子的电位。图2
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公开(公告)号：JP2016021400A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2015142224
申请日：2015-07-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D13/02 , C25D13/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/66 , H01M4/70 , Y10T428/24355
Abstract: 【課題】凹凸を有する物体にグラフェンを実質的に均一な厚さで形成する手段、及び、容量が高く、充放電に伴う劣化の小さな陰極材料、二次電池の提供。 【解決手段】酸化グラフェン溶液102中に、物体103を浸漬した後、引き上げ乾燥させる、あるいは、物体103と電極104を浸漬し、物体103を陽極として電極104間に電圧を加えて、酸化グラフェンが負に帯電するので、陽極に引き寄せられ、物体103の表面に実質的に均一な厚さで付着し、物体を真空中或いは還元性雰囲気中で加熱し、酸化グラフェンを還元し、グラフェンとすることにより、凹凸のある物体(103)の表面にも実質的に均一な厚さのグラフェンの層を形成でき、例えば、ウィスカ状のシリコン表面にグラフェンの層を形成した、リチウムイオン二次電池等の蓄電装置。前記グラフェン濃度が5〜15原子%である二次電池。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供：用于在具有凹凸的物体上形成基本均匀的石墨烯厚度的装置; 容量大的负极材料，与充放电相关的劣化小; 和二次电池。解决方案：一种方法包括以下步骤：将物体103浸入氧化石墨烯溶液102中; 随后从解决方案中取出对象; 并干燥由此取出的物体。 一种方法包括以下步骤：将物体103和电极104浸入氧化石墨烯溶液102中; 在电极104和用作正极的物体103之间施加电压，在该正极期间石墨烯氧化物带负电荷被吸引到正电极并因此沉积在物体103的表面上，使得其沉积基本均匀 表面厚度; 并在真空或还原气氛中加热所得物体，由此将石墨烯氧化物还原成石墨烯。 因此，即使在具有粗糙度的物体（103）的表面上也可以形成厚度基本均匀的石墨烯层。 蓄电装置例如 锂离子二次电池，其包含通过上述方法中的任一种形成在须状硅体的表面上的石墨烯层; 在这种二次电池中，石墨烯层的氧浓度为5-15原子％。选择的图：图1
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公开(公告)号：JP2020102634A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2020025426
申请日：2020-02-18
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 山崎 舜平 , 下村 明久 , 山根 靖正 , 佐藤 裕平 , 田中 哲弘 , 津吹 将志 , 竹内 敏彦 , 徳丸 亮 , 一條 充弘 , 鳥海 聡志 , 大槻 高志 , 遠藤 俊弥
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体装置は、第1のゲート電極12と、酸化物半導体膜14と、ソース電極15と、ドレイン電極16と、第2のゲート電極18と、を有し、第1のゲート電極12と酸化物半導体膜14との間に第1の絶縁膜13を有する。ソース電極15及びドレイン電極16は、酸化物半導体膜14の上面にのみ接して設けられ、酸化物半導体膜14と第2のゲート電極18との間に第2の絶縁膜17を有する。第2のゲート電極18は、第1のゲート電極12及び酸化物半導体膜14と重なり、ソース電極15及びドレイン電極16と重ならない位置に設けられる。 【選択図】図18
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