• Patent Title: 薄膜キャパシタ構造、および当該薄膜キャパシタ構造を備えた半導体装置
  • Patent Title (English): JP6427747B1 - Thin film capacitor structures, and a semiconductor device including the thin film capacitor structure
  • Application No.: JP2017548478
    Application Date: 2017-05-17
  • Publication No.: JP6427747B1
    Publication Date: 2018-11-28
  • Inventor: 小山田 成聖
  • Applicant: 株式会社野田スクリーン
  • Applicant Address: 愛知県小牧市大字本庄字大坪415番地
  • Assignee: 株式会社野田スクリーン
  • Current Assignee: 株式会社野田スクリーン
  • Current Assignee Address: 愛知県小牧市大字本庄字大坪415番地
  • Agent 特許業務法人暁合同特許事務所
  • International Application: JP2017018474 JP 2017-05-17
  • Main IPC: H05K1/16
  • IPC: H05K1/16 H01G4/30 H01G4/33 H01L23/12
薄膜キャパシタ構造、および当該薄膜キャパシタ構造を備えた半導体装置
Abstract:
薄膜キャパシタ構造(50)は、電極パッド面(2S)に複数の電極パッド(3G、3P、3S)がエリアアレイ状に配置されたエリアアレイ型集積回路(2)の電極パッド面(2S)に接合される。薄膜キャパシタ構造(50)は、第1シート電極(11)、第2シート電極(13)、および第1シート電極(11)と第2シート電極(12)との間に形成された薄膜誘電体層(12)を含む薄膜キャパシタ(10)と、第1絶縁膜(21)と、第2絶縁膜(22)と、複数の貫通孔(30P、30G、30S)と、を備える。複数の貫通孔(30P、30G、30S)は、第1絶縁膜(21)から薄膜キャパシタ(10)を経由して第2絶縁膜(22)まで貫通し、複数の電極パッド(3G、3P、3S)に対応する位置に形成されている。
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