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KR101499409B1 냉각판, 그 제조방법 및 반도체 제조 장치용 부재 有权
冷却板及其制造方法以及半导体制造装置用部件

냉각판, 그 제조방법 및 반도체 제조 장치용 부재
摘要：
반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.
摘要（中）：

半导体制造装置用部件10具有由氧化铝构成的静电卡盘20，冷却板30以及冷却板卡盘接合层40。 冷却板30包括第一至第三基板31至33以及形成在第一和第二基板31和32之间的第一金属接合层34， 形成在基板32和33之间的第二金属结合层35以及冷却剂通道36。 第一至第三衬底31至33由含有最多碳化硅并含有硅化钛，碳化钛和碳化钛的致密复合材料形成。 金属结合层34和35由第一和第二基板31和32之间以及第二和第三基板32和33之间的Al-Si-Mg基或Al-Mg基合金形成 并且，在夹持第一基板31〜第二基板33的金属接合材料的状态下，各基板31〜33被热压接。

摘要（英）：

Semiconductor production apparatus members (10), the alumina of the electrostatic chuck 20, and the cooling plate 30, cooling plate - provided with the chuck joint layer 40. Cooling plate 30, first to third substrates 31 to 33, a first and a second substrate a first metal bonding layer 34 is formed between 31 and 32, and the second and third and a second bonding metal layer 35 and the coolant passage 36 formed between the substrate (32, 33). First to third substrates 31 to 33 is, most often, containing silicon carbide, titanium silicide, it is formed as a dense composite material comprising titanium carbide and silicon carbide titanium. Metal bonding layer (34, 35), the first and second substrates (31, 32) and between the second and third substrate (32, 33) on Al-Si-Mg-based or Al-Mg between the system a bonding material to the sandwiching state of the metal is formed by thermal compression bonding to each of the substrates (31 to 33).

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