公开(公告)号：KR1020170113277A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020170038396

申请日：2017-03-27

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 아마노신고

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233

摘要： 본발명의웨이퍼배치장치(30)는, 웨이퍼배치면을갖는세라믹기체(基體)(32)와, 세라믹기체(32)에매설된히터전극(34)과, 세라믹기체(32)의웨이퍼배치면과는반대측의면으로부터히터전극(34)에전기적으로접속된 Cu제의급전로드(36, 37)를구비하고있다. 급전로드(36)는, 나사결합전의상태에서, 일단을고정단, 타단을자유단으로하고, 고정단으로부터자유단을향해 50 ㎜의위치에가한응력과상기위치의변형의관계를구했을때, 변형 1 ㎜에대응하는응력이 5 N∼10 N의범위에들어가는것이바람직하다.

摘要翻译： 本发明的晶片布置装置30包括具有晶片放置表面的陶瓷衬底32，埋置在陶瓷衬底32中的加热器电极34， 并且由Cu制成的馈送棒（36,37）从与加热器电极（34）的表面相反的表面电连接到加热器电极（34）。 当从供给杆36获得从固定端朝向自由端施加到50mm位置的应力与该位置的变形之间的关系时， 优选对应于1mm的应变的应力施加在5N〜10N的凸台上。

公开(公告)号：KR1020140137016A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020147030617

申请日：2014-03-06

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, AlN제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, SiC, Ti
3 SiC
2 및 TiC의 순으로 함유량이 많은 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

公开(公告)号：KR101483921B1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020147030617

申请日：2014-03-06

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, AlN제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, SiC, Ti
3 SiC
2 및 TiC의 순으로 함유량이 많은 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

公开(公告)号：KR101499409B1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147030457

申请日：2014-03-05

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC分类号： F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

摘要翻译： 半导体制造装置用部件10具有由氧化铝构成的静电卡盘20，冷却板30以及冷却板卡盘接合层40。 冷却板30包括第一至第三基板31至33以及形成在第一和第二基板31和32之间的第一金属接合层34， 形成在基板32和33之间的第二金属结合层35以及冷却剂通道36。 第一至第三衬底31至33由含有最多碳化硅并含有硅化钛，碳化钛和碳化钛的致密复合材料形成。 金属结合层34和35由第一和第二基板31和32之间以及第二和第三基板32和33之间的Al-Si-Mg基或Al-Mg基合金形成 并且，在夹持第一基板31〜第二基板33的金属接合材料的状态下，各基板31〜33被热压接。

公开(公告)号：KR1020140140112A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020147030457

申请日：2014-03-05

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC分类号： F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.