公开(公告)号：KR1020140137016A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020147030617

申请日：2014-03-06

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, AlN제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, SiC, Ti
3 SiC
2 및 TiC의 순으로 함유량이 많은 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

公开(公告)号：KR101483921B1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020147030617

申请日：2014-03-06

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, AlN제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, SiC, Ti
3 SiC
2 및 TiC의 순으로 함유량이 많은 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

公开(公告)号：KR101658749B1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020157036810

申请日：2015-03-10

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 가타이기다카시 ,  다니무라다카시

IPC分类号： C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/687 ,  B23K103/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K3/00 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/52 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/80 ,  H01L21/68785

摘要： 반도체제조장치용부재는, AlN제의세라믹스플레이트인서셉터(10)와, 서셉터(10)에접합된가스도입파이프(20)를구비하고있다. 서셉터(10) 중가스도입파이프(20)의플랜지(22)와대향하는위치에는, 환형의파이프접합용뱅크(14)가형성되어있다. 또한, 플랜지(22)와파이프접합용뱅크(14) 사이에는, 파이프납땜부(24)가형성되어있다. 플랜지(22)는, 폭이 3 ㎜이상, 두께가 0.5 ㎜이상 2 ㎜이하이다. 파이프접합용뱅크(14)는, 높이가 0.5 ㎜이상인것이바람직하고, 플랜지(22)의외측가장자리에대향하는모서리의모따기가 C 모따기인경우에는 C0.3 이상, R 모따기인경우에는 R0.3 이상인것이바람직하다.

摘要翻译： 半导体制造装置用部件具备由AlN构成的陶瓷板插入器10和与基座10接合的气体导入管20。 在与基座10的气体导入管20的凸缘22相对的位置形成有环状的管连接堤14。 管道焊接部分24形成在凸缘22和堤岸14之间用于结合管道。 凸缘22具有3mm或更大的宽度以及0.5mm或更大并且2mm或更小的厚度。 管接合部14的高度优选为0.5mm以上，在与凸缘22的外缘相反的角部的倒角为C倒角的情况下，C0.3以上，R倒角为R3 或更多。

公开(公告)号：KR1020160009074A

公开(公告)日：2016-01-25

申请号：KR1020157036810

申请日：2015-03-10

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 가타이기다카시 ,  다니무라다카시

IPC分类号： C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/687 ,  B23K103/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K3/00 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/52 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/80 ,  H01L21/68785

摘要： 반도체제조장치용부재는, AlN제의세라믹스플레이트인서셉터(10)와, 서셉터(10)에접합된가스도입파이프(20)를구비하고있다. 서셉터(10) 중가스도입파이프(20)의플랜지(22)와대향하는위치에는, 환형의파이프접합용뱅크(14)가형성되어있다. 또한, 플랜지(22)와파이프접합용뱅크(14) 사이에는, 파이프납땜부(24)가형성되어있다. 플랜지(22)는, 폭이 3 ㎜이상, 두께가 0.5 ㎜이상 2 ㎜이하이다. 파이프접합용뱅크(14)는, 높이가 0.5 ㎜이상인것이바람직하고, 플랜지(22)의외측가장자리에대향하는모서리의모따기가 C 모따기인경우에는 C0.3 이상, R 모따기인경우에는 R0.3 이상인것이바람직하다.

公开(公告)号：KR101499409B1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147030457

申请日：2014-03-05

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC分类号： F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

摘要翻译： 半导体制造装置用部件10具有由氧化铝构成的静电卡盘20，冷却板30以及冷却板卡盘接合层40。 冷却板30包括第一至第三基板31至33以及形成在第一和第二基板31和32之间的第一金属接合层34， 形成在基板32和33之间的第二金属结合层35以及冷却剂通道36。 第一至第三衬底31至33由含有最多碳化硅并含有硅化钛，碳化钛和碳化钛的致密复合材料形成。 金属结合层34和35由第一和第二基板31和32之间以及第二和第三基板32和33之间的Al-Si-Mg基或Al-Mg基合金形成 并且，在夹持第一基板31〜第二基板33的金属接合材料的状态下，各基板31〜33被热压接。

公开(公告)号：KR1020140140112A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020147030457

申请日：2014-03-05

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 진도아스미 ,  이노우에가츠히로 ,  가츠다유지 ,  가타이기다카시 ,  아마노신고 ,  스기모토히로야

IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC分类号： F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

摘要： 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(20)과, 냉각판(30)과, 냉각판-척 접합층(40)을 구비한다. 냉각판(30)은, 제1∼제3 기판(31∼33)과, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이에 형성된 제1 금속 접합층(34)과, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 형성된 제2 금속 접합층(35)과, 냉매 통로(36)를 구비한다. 제1∼제3 기판(31∼33)은, 탄화규소를 가장 많이 함유하고, 규화티탄, 티탄실리콘카바이드 및 탄화티탄을 포함하는 치밀질 복합 재료로 형성되어 있다. 금속 접합층(34, 35)은, 제1 및 제2 기판(31, 32)의 사이와, 제2 및 제3 기판(32, 33)의 사이에 Al-Si-Mg계 또는 Al-Mg계의 금속 접합재를 끼운 상태로 각 기판(31∼33)을 열 압축 접합함으로써 형성된 것이다.

公开(公告)号：KR1020140114293A

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020140029072

申请日：2014-03-12

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 오바가즈마 ,  가와지리데츠야 ,  가타이기다카시

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/31522

摘要： According to the present invention, a member for a semiconductor manufacturing apparatus, which is bonded by interposing a thermoplastic sheet between a ceramic component and a metal component, can be adequately used at high temperature. A member for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is boned by interposing a thermoplastic sheet (16) between an alumina electrostatic chuck and an aluminum cooling plate (114). The thermoplastic sheet (16) is made by hardening an adhesive of epoxy-acrylic mixture. The adhesive contains (A) an epoxy resin of hydrogen movement type radicals, (B) a polymer of acrylic acid ester or methacrylic acid, and (C) a hardener.

摘要翻译： 根据本发明，通过在陶瓷部件和金属部件之间插入热塑性片材而接合的半导体制造装置用部件能够在高温下适当地使用。 根据本发明的半导体制造装置的构件通过在氧化铝静电卡盘和铝冷却板（114）之间插入热塑性片（16）来进行加工。 热塑性片材（16）通过使环氧 - 丙烯酸混合物的粘合剂硬化而制成。 粘合剂含有（A）氢运动型自由基的环氧树脂，（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸的聚合物，（C）硬化剂。