- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
- 专利标题（英）： Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium
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申请号： KR1020140077911申请日： 2014-06-25
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公开(公告)号： KR101610628B1公开(公告)日： 2016-04-08
- 发明人: 오리하시유고 , 히로세요시로
- 申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 申请人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理商 이창범; 박준용
- 优先权： JPJP-P-2013-137504 2013-06-28
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/312 ; H01L21/316 ; H01L21/318
摘要：
본발명은저온영역에서 HF에대한내성이높고유전율이낮은박막을높은생산성으로형성한다.기판에대하여소정원소를포함하는원료가스를공급하는공정; 및기판에대하여질소, 탄소및 산소를포함하는반응가스를공급하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소와, 산소와, 탄소및 질소중 적어도하나를포함하는막을형성하는공정을포함한다.
公开/授权文献
- KR1020150002495A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 公开/授权日：2015-01-07
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