公开(公告)号：KR101793944B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020150132165

申请日：2015-09-18

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 사노아츠시 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： 본발명은소정원소와, 붕소, 산소, 탄소및 질소로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1개의원소를포함하는다원계의막의조성비의제어성등을향상시킨다.적어도 Si, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb, Al, Mo 및 W로이루어지는군(群)으로부터선택되는미리지정된원소와, 산소, 탄소및 질소로이루어지는군(群)으로부터선택되는적어도 1개의원소를포함하고보라진환골격비함유의제1 막을형성하는공정; 및상기제1막상에적어도붕소와질소를포함하고보라진환골격을함유하는제2 막을형성하는공정;을교호적으로수행하는사이클을미리지정된횟수수행하는것에의해기판상에상기제1 막과상기제2 막이교호적으로적층되어이루어지는적층막을형성하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR101628211B1

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020147008979

申请日：2012-09-24

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  히로세요시로 ,  사노아츠시

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 처리실내의기판에소정원소및 할로겐기를포함하는제1 원료가스를공급하는공정과, 처리실내의기판에소정원소및 아미노기를포함하는제2 원료가스를공급하는공정을교호적으로소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소, 질소및 탄소를포함하는제1층을형성하는공정; 처리실내의압력을제1 원료가스, 제2 원료가스및 반응가스를공급할때의처리실내의압력보다크게하고, 처리실내의기판에탄소, 질소및 수소를포함하는아민계원료가스를공급하는것에의해제1층을개질하여제2층을형성하는공정; 및처리실내의기판에각각의원료가스들과는다른반응가스를공급하는것에의해제2층을개질하여제3층을형성하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해기판상에소정원소를포함하는소정조성의박막을형성한다.

公开(公告)号：KR101610628B1

公开(公告)日：2016-04-08

申请号：KR1020140077911

申请日：2014-06-25

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 오리하시유고 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 본발명은저온영역에서 HF에대한내성이높고유전율이낮은박막을높은생산성으로형성한다.기판에대하여소정원소를포함하는원료가스를공급하는공정; 및기판에대하여질소, 탄소및 산소를포함하는반응가스를공급하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소와, 산소와, 탄소및 질소중 적어도하나를포함하는막을형성하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150023615A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020150021336

申请日：2015-02-12

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324

摘要： 본 발명은 뛰어난 에칭 내성을 가지는 저유전율의 박막을 형성한다.
기판 상에 소정 원소, 수분 및 염소를 포함하는 제1 불순물 및 탄화수소 화합물을 포함하는 제2 불순물을 포함하는 박막을 형성할 때의 상기 기판의 온도보다도 높은 제1 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 박막 중으로부터 상기 제1 불순물을 제거하는 공정; 및 상기 제1 온도 이상의 제2 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 제1 온도로 열처리한 후의 상기 박막 중으로부터 상기 제2 불순물을 제거하는 공정;을 포함한다.

摘要翻译： 本发明是形成具有优异的耐腐蚀性的低介电常数的膜。 一种制造半导体器件的方法包括：当包含含有某些元素的第一杂质的膜，水分，含水量等的第一温度高于基板温度的第一温度时， 和氯，并且在所述基板上形成含有烃化合物的第二杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对膜进行热处理，在第一温度下在热处理后从膜中除去第二杂质的工艺。

公开(公告)号：KR101493389B1

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：KR1020120136643

申请日：2012-11-29

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 ,  레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드

发明人： 히로세요시로 ,  사노아츠시 ,  야나기타카즈타카 ,  히가시노카츠코

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

摘要： 탄질화막을 성막할 때의 생산성을 향상시켜 탄질화막 중의 탄소 농도를 높인다.
처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정; 및 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에 있어서 질소 원자의 수보다도 탄소 원자의 수가 더 많은 반응 가스를 논 플라즈마로 열적으로 활성화시켜서 공급하는 공정; 을 교호적으로 소정 횟수 수행함으로써, 상기 기판 상에 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하고 상기 탄소의 농도가 25at% 이상인 막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 반응 가스를 공급하는 공정에 있어서의 상기 처리실의 설정 압력을, 상기 원료 가스를 공급하는 공정에 있어서의 상기 처리실의 설정 압력보다도 크게 한다.

公开(公告)号：KR101454603B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020140008214

申请日：2014-01-23

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리실 내로 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 하나의 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 상기 하나의 가스 이외의 가스를 상기 처리실 내로 비(非)공급으로 하고, 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정에서는, 그 때까지 상기 기판 상에 형성된 층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서, 상기 층을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140066216A

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020147008979

申请日：2012-09-24

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  히로세요시로 ,  사노아츠시

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 처리실 내의 기판에 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1 원료 가스를 공급하는 공정과, 처리실 내의 기판에 소정 원소 및 아미노기를 포함하는 제2 원료 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 기판 상에 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 처리실 내의 기판에 아민계 원료 가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정; 및 처리실 내의 기판에 각 원료 가스와는 다른 반응 가스를 공급하는 것에 의해 제2층을 개질하여 제3층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소를 포함하는 소정 조성의 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101378478B1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020137010684

申请日：2012-03-07

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 오타요스케 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/31 ,  C23C16/42

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228

摘要： 본 발명은 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1 원료를 공급하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소 및 아미노기를 포함하는 제2 원료를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실 내의 기판에 대하여 산소 함유 가스, 또는 산소 함유 가스 및 수소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 산화하여 제2층을 형성하는 공정;을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소를 포함하는 산탄질화막, 산탄화막 또는 산화막을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140022445A

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020140008214

申请日：2014-01-23

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： An insulating film having low permittivity, a low etching rate, and high insulating properties is formed. The present invention includes a step of forming an oxidized nitrification film on a substrate by performing a cycle non-simultaneously performing step of supplying a predetermined element containing gas into a processing chamber accommodating a substrate; a step of supplying carbon containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; a step of supplying nitrogen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; and a step of supplying oxygen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate predetermined times. A processing of supplying one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas provides a manufacturing method for a semiconductor device not supplying the gas except one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas into the processing chamber. [Reference numerals] (AA) Silicon including gas; (BB) Carbon including gas; (CC) Nitrogen including gas; (DD) Oxygen including gas; (EE) Inert gas; (FF) 1 cycle; (GG) 2 cycle; (HH) n cycle

摘要翻译： 形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性能的绝缘膜。 本发明包括通过执行将含有预定元素的气体供应到容纳基板的处理室中的循环非同时执行步骤，在基板上形成氧化的硝化膜的步骤; 将含碳气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 将含氮气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 以及将含氧气体供给到容纳衬底预定次数的处理室中的步骤。 含有预定的含有元素的气体，含碳气体，含氮气体和含氧气体中的一种的处理提供了除了含有预定元素的气体之外的不供应气体的半导体装置的制造方法， 含氮气体和含氧气体进入处理室。 （附图标记）（AA）包括气体的硅; （BB）包括气体的碳; （CC）含氮气体; （DD）含氧气体; （EE）惰性气体; （FF）1个循环; （GG）2周期; （HH）n周期

公开(公告)号：KR101323088B1

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：KR1020110054996

申请日：2011-06-08

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 아까에나오노리 ,  히로세요시로 ,  무라까미고따로

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135

摘要： 석영에의 데미지 저감과 퇴적물의 제거 속도의 향상을 양립시키는 클리닝을 실현한다. 기판을 수용한 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하여 기판 상에 박막을 형성하는 공정과, 박막을 형성하는 공정을 소정 횟수 실시한 후, 처리 용기 내에 클리닝 가스를 공급하여 처리 용기 내를 클리닝하는 공정을 갖고, 처리 용기 내를 클리닝하는 공정에서는, 가열된 대기압 미만의 압력 하에 있는 처리 용기 내에 클리닝 가스로서, 불소 함유 가스와, 산소 함유 가스와, 수소 함유 가스를 공급하여, 처리 용기 내에 부착된 박막을 포함하는 퇴적물을 열화학 반응에 의해 제거하도록 하였다.