Invention Patent
- Patent Title: 半導體裝置封裝體及其形成方法
- Patent Title (English): Semiconductor device package and method of forming the same
- Patent Title (中): 半导体设备封装体及其形成方法
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Application No.: TW102143707Application Date: 2013-11-29
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Publication No.: TW201423941APublication Date: 2014-06-16
- Inventor: 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 黃詩雯 , HUANG, SHIH WEN , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
- Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Applicant Address: 新竹市
- Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- Current Assignee Address: 新竹市
- Agent 洪澄文; 顏錦順
- Priority: 13/713,020 20121213
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L21/768
Abstract:
本發明揭露一種方法與裝置,適用於使用一微凸塊層在一中介層上形成一半導體裝置封裝體。上述微凸塊層可包含微凸塊與微凸塊線,其中一微凸塊是用於一晶片與上述中介層之間的一垂直連接,而一微凸塊線是用於位在上述中介層的上方的不同晶片之間的信號傳輸所使用的水平連接。上述微凸塊線可以與上述微凸塊同時形成,具有低成本或未增加成本。
Public/Granted literature
- TWI532137B 半導體裝置封裝體及其形成方法 Public/Granted day:2016-05-01
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IPC分类: