Invention Patent
TW201423941A 半導體裝置封裝體及其形成方法 审中-公开
半导体设备封装体及其形成方法

半導體裝置封裝體及其形成方法
Abstract:
本發明揭露一種方法與裝置,適用於使用一微凸塊層在一中介層上形成一半導體裝置封裝體。上述微凸塊層可包含微凸塊與微凸塊線,其中一微凸塊是用於一晶片與上述中介層之間的一垂直連接,而一微凸塊線是用於位在上述中介層的上方的不同晶片之間的信號傳輸所使用的水平連接。上述微凸塊線可以與上述微凸塊同時形成,具有低成本或未增加成本。
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