用於功率MOSFET應用的端接溝槽及其製備方法

发明专利

TW201436239A 用於功率MOSFET應用的端接溝槽及其製備方法审中-公开

简体标题：用于功率MOSFET应用的端接沟槽及其制备方法

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专利标题： 用於功率MOSFET應用的端接溝槽及其製備方法
专利标题（英）： Termination trench for power MOSFET applications and manufacturing method thereof
专利标题（中）： 用于功率MOSFET应用的端接沟槽及其制备方法
申请号： TW103105994

申请日： 2014-02-24
公开(公告)号： TW201436239A

公开(公告)日： 2014-09-16
发明人: 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 高立德 , CALAFUT, DANIEL , 依瑪茲哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 潘繼 , PAN, JI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH
申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
代理商 李國光; 張仲謙
优先权： 13/776, 523 20130225
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/76

摘要：

本發明的各個方面提出了一種功率MOSFET元件的端接結構。端接溝槽形成在半導體材料中，包圍著MOSFET的主動區。端接溝槽更包含導電材料的第一和第二部分。導電材料的第一和第二部分相互電絕緣。要強調的是，本發明摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本發明摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或侷限申請專利範圍的範圍或意圖。

摘要（中）：

本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET组件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的主动区。端接沟槽更包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本发明摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本发明摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。

摘要（英）：

Aspects of the present disclosure describe a termination structure for a power MOSFET device. A termination trench may be formed into a semiconductor material and may encircle an active area of the MOSFET. The termination trench may comprise a first and second portion of conductive material. The first and second portions of conductive material are electrically isolated from each other. It is emphasized that this abstract is provided to comply with rules requiring an abstract that will allow a searcher or other reader to quickly ascertain the subject matter of the technical disclosure. It is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims.

公开/授权文献

TWI542009B 用於功率MOSFET應用的端接溝槽及其製備方法公开/授权日：2016-07-11

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的