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公开(公告)号：TWI542009B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103105994
申请日：2014-02-24
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 高 立德 , CALAFUT, DANIEL , 依瑪茲 哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 潘繼 , PAN, JI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/265 , H01L21/308 , H01L21/823475 , H01L21/823487 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/095 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66257 , H01L29/66712 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/872
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公开(公告)号：TWI538063B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103144875
申请日：2014-12-22
发明人： 高 立德 , CALAFUT, DANIEL , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 常 虹 , CHANG, HONG
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42368 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/66666 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/8725
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公开(公告)号：TW201535719A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104107067
申请日：2015-03-05
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 常 虹 , CHANG, HONG
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7813
摘要： 本發明係揭露一種半導體基板包含外延區、本體區和源極區；交叉氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊（ANCTGS）和自引導接觸增強型插頭（SGCEP）設置在半導體基板上方，並且部分嵌入在源極區、本體區和外延區中，構成溝槽閘極MOSFET陣列。每個氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊都包含多晶矽溝槽閘極堆疊，嵌入在閘極氧化物殼中，以及氮化矽墊片蓋，覆蓋多晶矽溝槽閘極頂部；每個自引導接觸增強型插頭都包含底部緊密接觸增強部分（ICES），準確定位至其附近的氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊；頂部遠端接觸增強部分（DCES），具有橫向相對於鄰近氮化物壓蓋-有源溝槽閘極堆疊的定位偏差；以及中間錐形過渡段（TTS）位於底部緊密接觸增強部分和頂部遠末端接觸增強部分之間，並且橋接底部緊密接觸增強部分和頂部遠末端接觸增強部分；在MOSFET陣列上方的帶圖案的電介質區上方的帶圖案的金屬層，藉由自引導接觸增強型插頭構成子引導的源極和本體接頭。
简体摘要： 本发明系揭露一种半导体基板包含外延区、本体区和源极区；交叉氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈（ANCTGS）和自引导接触增强型插头（SGCEP）设置在半导体基板上方，并且部分嵌入在源极区、本体区和外延区中，构成沟槽闸极MOSFET数组。每个氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈都包含多晶硅沟槽闸极堆栈，嵌入在闸极氧化物壳中，以及氮化硅垫片盖，覆盖多晶硅沟槽闸极顶部；每个自引导接触增强型插头都包含底部紧密接触增强部分（ICES），准确定位至其附近的氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈；顶部远程接触增强部分（DCES），具有横向相对于邻近氮化物压盖-有源沟槽闸极堆栈的定位偏差；以及中间锥形过渡段（TTS）位于底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分之间，并且桥接底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分；在MOSFET数组上方的带图案的电介质区上方的带图案的金属层，借由自引导接触增强型插头构成子引导的源极和本体接头。
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公开(公告)号：TW201426882A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102145739
申请日：2013-12-11
发明人： 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 常虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 卡拉夫特 丹尼爾 , CALAFUT, DANIEL , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 雷 燮光 , LUI, SIK , 陳 軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0251 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0856 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7827
摘要： 本發明的各個方面提出了一種帶有自對准源極接觸的基於高密度溝槽的功率MOSFET，以及這類器件的制備方法。源極接觸與墊片自對准，墊片沿閘極蓋的側壁形成。另外，有源器件具有二階閘極氧化物。其中閘極氧化物底部的厚度大於頂部的厚度。二階閘極氧化物與自對准的源極接觸相結合，從而制備的器件間距可以在深亞微米級別。
简体摘要： 本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿闸极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶闸极氧化物。其中闸极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶闸极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
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公开(公告)号：TWI541902B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW104111041
申请日：2015-04-02
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 雷 燮光 , LUI, SIK K. , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 常 虹 , CHANG, HONG , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L29/407 , H01L21/28008 , H01L21/28114 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827
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公开(公告)号：TWI509809B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102145738
申请日：2013-12-11
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 雷 燮光 , LUI, SIK , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 卡拉夫特 丹尼爾 , CALAFUT, DANIEL , 陳 軍 , CHEN, JOHN
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28114 , H01L21/3081 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823468 , H01L23/66 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0292 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66719 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI481038B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101134695
申请日：2012-09-21
发明人： 高 立德 , CALAFUT, DANIEL , 蘇毅 , SU, YI , 金鐘五 , KIM, JONGOH , 常虹 , CHANG, HONG , 哈姆紥 依瑪茲 , YILMAZ, HAMZA , 伍時謙 , NG, DANIEL S.
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L27/06 , H01L27/0629 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/7806 , H01L29/872
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公开(公告)号：TWI470676B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099131841
申请日：2010-09-20
发明人： 戴嵩山 , TAI, SUNG-SHAN , 依瑪茲 哈姆扎 , YILMAZ, HAMZA , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP , 常虹 , CHANG, HONG , 陳軍 , CHEN, JOHN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L29/0869 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811
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公开(公告)号：TW201436239A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103105994
申请日：2014-02-24
发明人： 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 博德 馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 高 立德 , CALAFUT, DANIEL , 依瑪茲 哈姆紥 , YILMAZ, HAMZA , 王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 潘繼 , PAN, JI , 常虹 , CHANG, HONG , 金鐘五 , KIM, JONGOH
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/265 , H01L21/308 , H01L21/823475 , H01L21/823487 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/095 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66257 , H01L29/66712 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/872
摘要： 本發明的各個方面提出了一種功率MOSFET元件的端接結構。端接溝槽形成在半導體材料中，包圍著MOSFET的主動區。端接溝槽更包含導電材料的第一和第二部分。導電材料的第一和第二部分相互電絕緣。要強調的是，本發明摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本發明摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或侷限申請專利範圍的範圍或意圖。
简体摘要： 本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET组件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的主动区。端接沟槽更包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本发明摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本发明摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。
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公开(公告)号：TWI594422B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105102024
申请日：2016-01-22
发明人： 李文軍 , LI, WENJUN , 保羅 托魯普 , THORUP, PAUL , 常 虹 , CHANG, HONG , 李亦衡 , LEE, YEEHANG , 向泱 , XIANG, YANG , 鄧 覺為 , DUN, JOWEI , 薛 宏勇 , XUE, HONGYONG , 顧 一鳴 , GU, YIMING
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L29/4236
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