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    磁條資料傳輸系統和可靠資料傳輸及低功耗方法
    5.
    发明专利
    磁條資料傳輸系統和可靠資料傳輸及低功耗方法 审中-公开
    磁条数据传输系统和可靠数据传输及低功耗方法

    公开(公告)号：TW201804356A

    公开(公告)日：2018-02-01

    申请号：TW106122042

    申请日：2017-06-30

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 李承柱 ,  LEE, GILBERT S.Z

    IPC分类号： G06K7/08

    CPC分类号： G06K19/06206 ,  G06K7/086 ,  G06K19/07345

    摘要： 在一種磁條資料傳輸（MST）驅動器及其驅動方法中，配置MST驅動器，傳輸含有脈衝流的磁條資料。MST驅動器包含一對高端開關和一對低端開關。這對高端開關含第一開關和第二開關。這對低端開關含第三開關和第四開關。第一、第二、第三和第四開關配置在全橋式結構中，連接到電壓源和接地。電感線圈連接到開關的全橋式結構的輸出端。MST驅動器包括配置一個開關驅動器，利用脈寬調製，在電流斜率控制下，驅動這對低端開關和這對高端開關。驅動負載電流具有上升部分和下降部分，正向或反向通過電感線圈，利用可程式設計的負載電流上升和下降斜率，在接收器處引入可識別的背部電磁力，在負載電流上升和下降部分類比磁條資料，在沒有訊號傳輸時，減少功率損耗。

    简体摘要： 在一种磁条数据传输（MST）驱动器及其驱动方法中，配置MST驱动器，传输含有脉冲流的磁条数据。MST驱动器包含一对高端开关和一对低端开关。这对高端开关含第一开关和第二开关。这对低端开关含第三开关和第四开关。第一、第二、第三和第四开关配置在全桥式结构中，连接到电压源和接地。电感线圈连接到开关的全桥式结构的输出端。MST驱动器包括配置一个开关驱动器，利用脉宽调制，在电流斜率控制下，驱动这对低端开关和这对高端开关。驱动负载电流具有上升部分和下降部分，正向或反向通过电感线圈，利用可编程的负载电流上升和下降斜率，在接收器处引入可识别的背部电磁力，在负载电流上升和下降部分模拟磁条数据，在没有信号传输时，减少功率损耗。

    溝槽式MOSFET及其製備方法
    6.
    发明专利
    溝槽式MOSFET及其製備方法 审中-公开
    沟槽式MOSFET及其制备方法

    公开(公告)号：TW201801186A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW105130535

    申请日：2016-09-22

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 王曉彬 ,  WANG, XIAOBIN ,  博多 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  索拉普 保羅 ,  THORUP, PAUL

    IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

    摘要： 本發明涉及一種溝槽式MOSFET，包括第一導電類型的半導體襯底；設於半導體襯底的第一預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第一溝槽，其長度方向沿著第一方向延伸；設於半導體襯底的第二預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第二溝槽，其長度方向沿著與第一方向相垂直的第二方向延伸；位於第一、第二溝槽內的控制閘極，和形成在第一、第二溝槽側壁附近的半導體襯底中的第二導電類型的本體區，及形成在本體區頂部的第一導電類型的源極區。

    简体摘要： 本发明涉及一种沟槽式MOSFET，包括第一导电类型的半导体衬底；设于半导体衬底的第一默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第一沟槽，其长度方向沿着第一方向延伸；设于半导体衬底的第二默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第二沟槽，其长度方向沿着与第一方向相垂直的第二方向延伸；位于第一、第二沟槽内的控制闸极，和形成在第一、第二沟槽侧壁附近的半导体衬底中的第二导电类型的本体区，及形成在本体区顶部的第一导电类型的源极区。

    功率器件及製備方法
    8.
    发明专利
    功率器件及製備方法 审中-公开
    功率器件及制备方法

    公开(公告)号：TW201729376A

    公开(公告)日：2017-08-16

    申请号：TW105103974

    申请日：2016-02-05

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 張 曉天 ,  ZHANG, XIAOTIAN ,  瑪力卡勒強斯瓦密 雪克 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  胡 照群 ,  OH, CHEOW KHOON ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

    CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/73257

    摘要： 本發明涉及到一種可實現電壓切換的電源管理裝置，尤其是涉及到低階金氧半場效電晶體(MOSFET)晶片和高階MOSFET晶片並整合成控制積體電路(IC)的電壓轉換裝置及其製備方法。一個第一晶片以覆晶方式倒裝在第一安裝區域，第一晶片正面的金屬襯墊與位於第一安裝區域的焊墊對接；一個第二晶片以覆晶方式倒裝在第二安裝區域，第二晶片正面的金屬襯墊與位於第二安裝區域的焊墊墊對接；以及一個導電結構連接在結合墊和第一晶片背面的金屬層之間，一個封裝體覆蓋在基板正面，將第一晶片、第二晶片和導電結構包覆在內。

    简体摘要： 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理设备，尤其是涉及到低级金氧半场效应管(MOSFET)芯片和高级MOSFET芯片并集成成控制集成电路(IC)的电压转换设备及其制备方法。一个第一芯片以覆晶方式倒装在第一安装区域，第一芯片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊垫对接；一个第二芯片以覆晶方式倒装在第二安装区域，第二芯片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊垫垫对接；以及一个导电结构连接在结合垫和第一芯片背面的金属层之间，一个封装体覆盖在基板正面，将第一芯片、第二芯片和导电结构包覆在内。

    用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製程
    10.
    发明专利
    用於帶有厚背面金屬化的模壓晶片級封裝的晶圓製程 审中-公开
    用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆制程

    公开(公告)号：TW201727778A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW105102272

    申请日：2016-01-25

    申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

    发明人： 薛 彥迅 ,  XUE, YANXUN ,  哈姆扎 依瑪茲 ,  HAMZA, YILMAZ ,  何 約瑟 ,  HO, YUEH-SE ,  魯軍 ,  LU, JUN ,  牛志強 ,  NIU, ZHIQIANG ,  連國峰 ,  LIAN, GUO FENG

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/304

    CPC分类号： H01L2224/73253

    摘要： 本發明涉及一種用於模壓晶片級封裝的晶圓製程，包括：在晶圓上的晶片焊接墊上沉積金屬凸塊；在晶圓正面製備第一封裝層，覆蓋金屬凸塊；在晶圓的邊緣處製備未覆蓋環，使複數個劃線中每個劃線的兩端都裸露出來；削薄第一封裝層，使金屬凸塊裸露出來；製備切割槽；研磨晶圓的背面，在晶圓邊緣處形成凹陷空間及支撐環；在凹陷空間中晶圓的背面沉積金屬種子層；切除晶圓的邊緣部分；在基板上翻轉並安裝晶圓；沉積覆蓋著金屬種子層的金屬層；從晶圓上除去基板；藉由沿劃線切割第一封裝層、晶圓、金屬種子層及金屬層，使單獨的晶片與晶圓分離。

    简体摘要： 本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆制程，包括：在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使复数个划线中每个划线的两端都裸露出来；削薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间及支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在基板上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去基板；借由沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层及金属层，使单独的芯片与晶圆分离。