Invention Patent
TW201543578A 電晶體元件及其形成方法 审中-公开
晶体管组件及其形成方法

電晶體元件及其形成方法
Abstract:
本揭示為有關於形成電晶體元件的方法及相關設備,電晶體元件具有包含夾層式薄膜疊層的通道區,夾層式薄膜疊層具有改善元件效能的複數個不同層。在一些實施例中,此方法透過選擇性地蝕刻半導體基底以沿著半導體基底的上表面形成凹口實施。夾層式薄膜疊層具有複數個嵌入層形成於凹口內,這些嵌入層的至少兩層包含不同的材料,以改善電晶體元件不同方面的效能。閘極結構形成於夾層式薄膜疊層上,閘極結構控制具有夾層式薄膜疊層之通道區內的電荷載子的流動,夾層式薄膜疊層橫向地設置於半導體基底內的源極區與汲極區之間。
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