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公开(公告)号：TWI509686B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102134693
申请日：2013-09-26
发明人： 陳昭雄 , CHEN, CHAO HSUING , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林其諺 , LIN, CHI YEN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/02587 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/0684 , H01L29/16
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公开(公告)号：TW201543578A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103146209
申请日：2014-12-30
发明人： 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 詹晴堯 , CHAN, CING YAO , 王駿穎 , WANG, CHUN YING , 王仁磐 , WANG, JEN PAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0928 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02694 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66575 , H01L29/66651 , H01L29/7842
摘要： 本揭示為有關於形成電晶體元件的方法及相關設備，電晶體元件具有包含夾層式薄膜疊層的通道區，夾層式薄膜疊層具有改善元件效能的複數個不同層。在一些實施例中，此方法透過選擇性地蝕刻半導體基底以沿著半導體基底的上表面形成凹口實施。夾層式薄膜疊層具有複數個嵌入層形成於凹口內，這些嵌入層的至少兩層包含不同的材料，以改善電晶體元件不同方面的效能。閘極結構形成於夾層式薄膜疊層上，閘極結構控制具有夾層式薄膜疊層之通道區內的電荷載子的流動，夾層式薄膜疊層橫向地設置於半導體基底內的源極區與汲極區之間。
简体摘要： 本揭示为有关于形成晶体管组件的方法及相关设备，晶体管组件具有包含夹层式薄膜叠层的信道区，夹层式薄膜叠层具有改善组件性能的复数个不同层。在一些实施例中，此方法透过选择性地蚀刻半导体基底以沿着半导体基底的上表面形成凹口实施。夹层式薄膜叠层具有复数个嵌入层形成于凹口内，这些嵌入层的至少两层包含不同的材料，以改善晶体管组件不同方面的性能。闸极结构形成于夹层式薄膜叠层上，闸极结构控制具有夹层式薄膜叠层之信道区内的电荷载子的流动，夹层式薄膜叠层横向地设置于半导体基底内的源极区与汲极区之间。
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公开(公告)号：TW201409561A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102128417
申请日：2013-08-08
发明人： 陳威成 , CHEN, WEI CHENG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林志勳 , LIN, CHIH HSUN , 林子凱 , LIN, TZU KAI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/67028
摘要： 本發明揭露一種清洗及乾燥半導體晶圓的方法，包括將一半導體晶圓置入一清洗設備的一腔室內，以大約為300 RPM至1600 RPM的範圍的轉速旋轉半導體晶圓，且同時以異丙醇及氮氣的一混合物及一去離子水噴灑半導體晶圓。
简体摘要： 本发明揭露一种清洗及干燥半导体晶圆的方法，包括将一半导体晶圆置入一清洗设备的一腔室内，以大约为300 RPM至1600 RPM的范围的转速旋转半导体晶圆，且同时以异丙醇及氮气的一混合物及一去离子水喷洒半导体晶圆。
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公开(公告)号：TWI545761B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101116458
申请日：2012-05-09
发明人： 陳昭雄 , CHEN, CHAO HSUING , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林其諺 , LIN, CHI YEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L29/0847 , H01L29/167 , H01L29/66628 , H01L29/66636
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公开(公告)号：TWI536564B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103146500
申请日：2014-12-31
发明人： 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 蔣振劼 , CHIANG, CHEN CHIEH
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66492 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66651 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/7834
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公开(公告)号：TWI517237B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103109370
申请日：2014-03-14
发明人： 陳昭雄 , CHEN, CHAO HSUING , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林其諺 , LIN, CHI YEN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201438093A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103109370
申请日：2014-03-14
发明人： 陳昭雄 , CHEN, CHAO HSUING , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林其諺 , LIN, CHI YEN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/7848
摘要： 本發明之某些實施例關於方法與裝置以達應力通道。藉由蝕刻基板產生凹陷，可控制源極與汲極凹陷的體積。接著以含硼摻質摻雜凹陷的下表面，以形成非等向蝕刻停止層並扭曲下表面的結晶結構。接著非等向蝕刻凹陷。非等向蝕刻停止層可阻擋非等向蝕刻，因此非等向蝕刻後的凹陷具有實質上平坦的下表面。接著將應力誘導材料填入源極與汲極凹陷，以產生應力通道。
简体摘要： 本发明之某些实施例关于方法与设备以达应力信道。借由蚀刻基板产生凹陷，可控制源极与汲极凹陷的体积。接着以含硼掺质掺杂凹陷的下表面，以形成非等向蚀刻停止层并扭曲下表面的结晶结构。接着非等向蚀刻凹陷。非等向蚀刻停止层可阻挡非等向蚀刻，因此非等向蚀刻后的凹陷具有实质上平坦的下表面。接着将应力诱导材料填入源极与汲极凹陷，以产生应力信道。
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公开(公告)号：TW201417177A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102134693
申请日：2013-09-26
发明人： 陳昭雄 , CHEN, CHAO HSUING , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 林其諺 , LIN, CHI YEN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/02587 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/0684 , H01L29/16
摘要： 本發明提供一或多種技術或系統，以控制半導體區域之表面的輪廓。在一些實施例中，將蝕刻/沉積比設定為小於1，以形成半導體之該區域。例如，當蝕刻/沉積比小於1，蝕刻/沉積比之蝕刻速率小於沉積速率，因此，於該區域中進行”成長”。在一些實施例中，將蝕刻/沉積比後續設定為大於1。例如，當蝕刻/沉積比大於1，蝕刻/沉積比之蝕刻速率大於沉積速率，因此，於該區域中進行”蝕刻”。本發明藉由此方法於該區域提供平滑的表面輪廓，其至少是因為將蝕刻/沉積比設定大於1對於至少部分成長區域進行回蝕刻。
简体摘要： 本发明提供一或多种技术或系统，以控制半导体区域之表面的轮廓。在一些实施例中，将蚀刻/沉积比设置为小于1，以形成半导体之该区域。例如，当蚀刻/沉积比小于1，蚀刻/沉积比之蚀刻速率小于沉积速率，因此，于该区域中进行”成长”。在一些实施例中，将蚀刻/沉积比后续设置为大于1。例如，当蚀刻/沉积比大于1，蚀刻/沉积比之蚀刻速率大于沉积速率，因此，于该区域中进行”蚀刻”。本发明借由此方法于该区域提供平滑的表面轮廓，其至少是因为将蚀刻/沉积比设置大于1对于至少部分成长区域进行回蚀刻。
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公开(公告)号：TWI650864B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106135766
申请日：2017-10-18
发明人： 洪展羽 , HUNG, CHAN YU , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 陳郁仁 , CHEN, YU JEN , 黃一珊 , HUANG, I SHAN
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI540651B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103146209
申请日：2014-12-30
发明人： 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 詹晴堯 , CHAN, CING YAO , 王駿穎 , WANG, CHUN YING , 王仁磐 , WANG, JEN PAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0928 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02694 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66575 , H01L29/66651 , H01L29/7842
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