公开(公告)号：TWI540651B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103146209

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蕭茹雄 ,  HSIAO, RU SHANG ,  王琳松 ,  WANG, LING SUNG ,  黃智睦 ,  HUANG, CHIH MU ,  詹晴堯 ,  CHAN, CING YAO ,  王駿穎 ,  WANG, CHUN YING ,  王仁磐 ,  WANG, JEN PAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7842

公开(公告)号：TW201543578A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103146209

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蕭茹雄 ,  HSIAO, RU SHANG ,  王琳松 ,  WANG, LING SUNG ,  黃智睦 ,  HUANG, CHIH MU ,  詹晴堯 ,  CHAN, CING YAO ,  王駿穎 ,  WANG, CHUN YING ,  王仁磐 ,  WANG, JEN PAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7842

Abstract: 本揭示為有關於形成電晶體元件的方法及相關設備，電晶體元件具有包含夾層式薄膜疊層的通道區，夾層式薄膜疊層具有改善元件效能的複數個不同層。在一些實施例中，此方法透過選擇性地蝕刻半導體基底以沿著半導體基底的上表面形成凹口實施。夾層式薄膜疊層具有複數個嵌入層形成於凹口內，這些嵌入層的至少兩層包含不同的材料，以改善電晶體元件不同方面的效能。閘極結構形成於夾層式薄膜疊層上，閘極結構控制具有夾層式薄膜疊層之通道區內的電荷載子的流動，夾層式薄膜疊層橫向地設置於半導體基底內的源極區與汲極區之間。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示为有关于形成晶体管组件的方法及相关设备，晶体管组件具有包含夹层式薄膜叠层的信道区，夹层式薄膜叠层具有改善组件性能的复数个不同层。在一些实施例中，此方法透过选择性地蚀刻半导体基底以沿着半导体基底的上表面形成凹口实施。夹层式薄膜叠层具有复数个嵌入层形成于凹口内，这些嵌入层的至少两层包含不同的材料，以改善晶体管组件不同方面的性能。闸极结构形成于夹层式薄膜叠层上，闸极结构控制具有夹层式薄膜叠层之信道区内的电荷载子的流动，夹层式薄膜叠层横向地设置于半导体基底内的源极区与汲极区之间。