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发明专利
TW201717293A 具有空腔之聚合物系半導體結構 审中-公开
具有空腔之聚合物系半导体结构

具有空腔之聚合物系半導體結構
摘要：
一種結構，其包括一裝置晶粒；以及一囊封材料，囊封該裝置晶粒於其中。該囊封材料具有一頂部表面，與該裝置晶粒的一頂部表面共平面；以及一空腔，在該囊封材料中。該空腔穿透過該囊封材料。
摘要（中）：

一种结构，其包括一设备晶粒；以及一囊封材料，囊封该设备晶粒于其中。该囊封材料具有一顶部表面，与该设备晶粒的一顶部表面共平面；以及一空腔，在该囊封材料中。该空腔穿透过该囊封材料。

摘要（英）：

A structure includes a device die, and an encapsulating material encapsulating the device die therein. The encapsulating material has a top surface coplanar with a top surface of the device die, and a cavity in the encapsulating material. The cavity penetrates through the encapsulating material.

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