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公开(公告)号：TW201828439A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106120018
申请日：2017-06-15
发明人： 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 王卜 , WANG, PU , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置。該半導體裝置包括：一底部封裝，其中在導體與貫穿通路之間的一接觸表面積實質上等於該貫穿通路之一橫截面積，且該底部封裝包括：一模塑料；一貫穿通路，其穿透該模塑料；一晶粒，其模製在該模塑料中；及一導體，其在該貫穿通路上。亦揭示一種製造半導體裝置之相關聯方法。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备。该半导体设备包括：一底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的一接触表面积实质上等于该贯穿通路之一横截面积，且该底部封装包括：一模塑料；一贯穿通路，其穿透该模塑料；一晶粒，其模制在该模塑料中；及一导体，其在该贯穿通路上。亦揭示一种制造半导体设备之相关联方法。
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公开(公告)号：TW201820577A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106124892
申请日：2017-07-25
发明人： 萬厚德 , WAN, ALBERT , 謝佑生 , HSIEH, YU-SHENG , 史朝文 , SHIH, CHAO-WEN , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 本揭露提供一種半導體結構，該半導體結構包含：一感測元件，其經組態以自一感測目標接收一訊號；一模塑物，其環繞該感測元件；一貫穿通路，其位於該模塑物中；一前側重佈層，其放置於該感測元件之一前側處且電連接至該前側；及一後側重佈層，其放置於該感測元件之一後側處，該前側重佈層及該後側重佈層由該貫穿通路電連接。本揭露亦提供一種用於製造本文中所闡述之該半導體結構之方法。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体结构，该半导体结构包含：一传感组件，其经组态以自一传感目标接收一信号；一模塑物，其环绕该传感组件；一贯穿通路，其位于该模塑物中；一前侧重布层，其放置于该传感组件之一前侧处且电连接至该前侧；及一后侧重布层，其放置于该传感组件之一后侧处，该前侧重布层及该后侧重布层由该贯穿通路电连接。本揭露亦提供一种用于制造本文中所阐述之该半导体结构之方法。
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公开(公告)号：TW201818514A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106135902
申请日：2017-10-19
发明人： 施應慶 , SHIH, YING CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 王卜 , WANG, PU , 盧思維 , LU, SZU WEI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/522
摘要： 一實施例係一種方法，其包含：使用第一電連接器將一第一晶粒接合至一中介層之一第一側；使用第二電連接器將一第二晶粒接合至該中介層之該第一側；使一第一虛設晶粒相鄰於該第二晶粒附著至該中介層之該第一側；使用一囊封劑囊封該第一晶粒、該第二晶粒及該第一虛設晶粒；及單粒化該中介層及該第一虛設晶粒以形成一封裝結構。
简体摘要： 一实施例系一种方法，其包含：使用第一电连接器将一第一晶粒接合至一中介层之一第一侧；使用第二电连接器将一第二晶粒接合至该中介层之该第一侧；使一第一虚设晶粒相邻于该第二晶粒附着至该中介层之该第一侧；使用一囊封剂囊封该第一晶粒、该第二晶粒及该第一虚设晶粒；及单粒化该中介层及该第一虚设晶粒以形成一封装结构。
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公开(公告)号：TW201735316A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138979
申请日：2016-11-25
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 楊天中 , YANG, TIEN-CHUNG
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2225/06593
摘要： 一種半導體結構包含：一第一晶粒；一第二晶粒，其毗鄰於該第一晶粒而水平安置；一第三晶粒，其安置於該第一晶粒及該第二晶粒上方；及一第一介電材料，其環繞該第一晶粒及該第二晶粒，其中該第一介電材料之一部分安置於該第一晶粒與該第二晶粒之間，且該第三晶粒安置於介電材料之該部分上方。
简体摘要： 一种半导体结构包含：一第一晶粒；一第二晶粒，其毗邻于该第一晶粒而水平安置；一第三晶粒，其安置于该第一晶粒及该第二晶粒上方；及一第一介电材料，其环绕该第一晶粒及该第二晶粒，其中该第一介电材料之一部分安置于该第一晶粒与该第二晶粒之间，且该第三晶粒安置于介电材料之该部分上方。
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公开(公告)号：TW201731051A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140131
申请日：2016-12-05
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳玉芬 , CHEN, YU-FENG , 陳志華 , CHEN, CHIH-HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/535 , G06K9/00
CPC分类号： G06K9/0002 , G06K9/0004 , H01L21/56 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/8101 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2924/15311 , H01L2924/2064
摘要： 本揭露係提供一種指紋感測器封裝件及其製造方法。該指紋感測器封裝件包含一指紋感測器，連同一指紋感測器材料；以及電連接，從該指紋感測器的一第一側至該指紋感測器的一第二側。一高電壓晶片係連接至該指紋感測器且接著該指紋感測器封裝件與該高電壓晶片係連接至一基板，其中該基板具有一開口，以容納該高電壓晶片的存在。
简体摘要： 本揭露系提供一种指纹传感器封装件及其制造方法。该指纹传感器封装件包含一指纹传感器，连同一指纹传感器材料；以及电连接，从该指纹传感器的一第一侧至该指纹传感器的一第二侧。一高电压芯片系连接至该指纹传感器且接着该指纹传感器封装件与该高电压芯片系连接至一基板，其中该基板具有一开口，以容纳该高电压芯片的存在。
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公开(公告)号：TWI596550B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105140432
申请日：2016-12-07
发明人： 黃育智 , HUANG, YU-CHIH , 戴志軒 , TAI, CHIH-HSUAN , 鄭余任 , CHENG, YU-JEN , 陳志華 , CHEN, CHIH-HUA , 陳玉芬 , CHEN, YU-FENG , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 余振華 , YU, CHEN-HUA
CPC分类号： G06F21/32 , G06K9/0002 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
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公开(公告)号：TW201729378A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134168
申请日：2016-10-21
发明人： 陳頡彥 , CHEN, CHIEH-YEN , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 王垂堂 , WANG, CHUEI-TANG , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳韋廷 , CHEN, WEI-TING , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 林彥良 , LIN, YEN-LIANG
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/3107
摘要： 本發明實施例揭露一種半導體結構，其包含：一收發器，其經組態以與一裝置通信；一成型件，其包圍該收發器；一通路，其延伸穿過該成型件；一絕緣層，其安置於該成型件、該通路及該收發器上方；及一重佈層(RDL)，其安置於該絕緣層上方且包括一天線及包圍該天線之一介電層，其中該天線之一部分延伸穿過該絕緣層及該成型件而與該收發器電連接。
简体摘要： 本发明实施例揭露一种半导体结构，其包含：一收发器，其经组态以与一设备通信；一成型件，其包围该收发器；一通路，其延伸穿过该成型件；一绝缘层，其安置于该成型件、该通路及该收发器上方；及一重布层(RDL)，其安置于该绝缘层上方且包括一天线及包围该天线之一介电层，其中该天线之一部分延伸穿过该绝缘层及该成型件而与该收发器电连接。
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公开(公告)号：TW201729362A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134641
申请日：2016-10-26
发明人： 邵棟樑 , SHAO, TUNG-LIANG , 董 志航 , TUNG, CHIH-HANG , 余振華 , YU, CHEN-HUA
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/02282 , H01L21/6835 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/5226 , H01L24/11 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548
摘要： 本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法。用於製造半導體裝置之該方法包含：將載體晶圓附接至頂部晶粒晶圓之前側；薄化該頂部晶粒晶圓之背側，該頂部晶粒晶圓之該背側與該頂部晶粒晶圓之該前側相對；單粒化該載體晶圓及該頂部晶粒晶圓，藉此形成附接至經單粒化載體晶粒之經單粒化晶粒；及將該等經單粒化晶粒中之每一者之背側接合至底部晶粒晶圓之前側。
简体摘要： 本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法。用于制造半导体设备之该方法包含：将载体晶圆附接至顶部晶粒晶圆之前侧；薄化该顶部晶粒晶圆之背侧，该顶部晶粒晶圆之该背侧与该顶部晶粒晶圆之该前侧相对；单粒化该载体晶圆及该顶部晶粒晶圆，借此形成附接至经单粒化载体晶粒之经单粒化晶粒；及将该等经单粒化晶粒中之每一者之背侧接合至底部晶粒晶圆之前侧。
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公开(公告)号：TW201729261A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134631
申请日：2016-10-26
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L23/538 , H01L23/544 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L23/5384 , H01L25/50 , H01L27/0886 , H01L27/092 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
摘要： 本發明的某些實施例提供一種半導體結構。半導體結構包含：一非矩形晶粒區域；一切割環；及一光罩區域，其圍繞非矩形晶粒。切割環在光罩區域內且圍繞非矩形晶粒區域。光罩區域之邊緣數目不等於4。
简体摘要： 本发明的某些实施例提供一种半导体结构。半导体结构包含：一非矩形晶粒区域；一切割环；及一光罩区域，其围绕非矩形晶粒。切割环在光罩区域内且围绕非矩形晶粒区域。光罩区域之边缘数目不等于4。
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公开(公告)号：TW201729139A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105140432
申请日：2016-12-07
发明人： 黃育智 , HUANG, YU-CHIH , 戴志軒 , TAI, CHIH-HSUAN , 鄭余任 , CHENG, YU-JEN , 陳志華 , CHEN, CHIH-HUA , 陳玉芬 , CHEN, YU-FENG , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 余振華 , YU, CHEN-HUA
CPC分类号： G06F21/32 , G06K9/0002 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要： 一種裝置封裝件，包括一感測器晶粒；一或多個額外晶粒，相鄰於該感測器晶粒；以及一模塑料，圈住該感測器晶粒及該一或多個額外晶粒。該裝置封裝件進一步包括重佈線層，在該感測器晶粒、該一或多個額外晶粒、及該模塑料上方。該重佈線層包括第一導電部件，在一第一介電層中。該第一導電部件電連接該感測器晶粒至該一或多個額外晶粒。該重佈線層進一步包括一電極陣列，在一第二介電層中且電連接至該感測器晶粒，該第二介電層係在該第一介電層上方。
简体摘要： 一种设备封装件，包括一传感器晶粒；一或多个额外晶粒，相邻于该传感器晶粒；以及一模塑料，圈住该传感器晶粒及该一或多个额外晶粒。该设备封装件进一步包括重布线层，在该传感器晶粒、该一或多个额外晶粒、及该模塑料上方。该重布线层包括第一导电部件，在一第一介电层中。该第一导电部件电连接该传感器晶粒至该一或多个额外晶粒。该重布线层进一步包括一电极数组，在一第二介电层中且电连接至该传感器晶粒，该第二介电层系在该第一介电层上方。
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