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发明专利
TW201801186A 溝槽式MOSFET及其製備方法 审中-公开
沟槽式MOSFET及其制备方法

溝槽式MOSFET及其製備方法
摘要：
本發明涉及一種溝槽式MOSFET，包括第一導電類型的半導體襯底；設於半導體襯底的第一預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第一溝槽，其長度方向沿著第一方向延伸；設於半導體襯底的第二預設區中的多個並排設置的呈現為條狀的第二溝槽，其長度方向沿著與第一方向相垂直的第二方向延伸；位於第一、第二溝槽內的控制閘極，和形成在第一、第二溝槽側壁附近的半導體襯底中的第二導電類型的本體區，及形成在本體區頂部的第一導電類型的源極區。
摘要（中）：

本发明涉及一种沟槽式MOSFET，包括第一导电类型的半导体衬底；设于半导体衬底的第一默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第一沟槽，其长度方向沿着第一方向延伸；设于半导体衬底的第二默认区中的多个并排设置的呈现为条状的第二沟槽，其长度方向沿着与第一方向相垂直的第二方向延伸；位于第一、第二沟槽内的控制闸极，和形成在第一、第二沟槽侧壁附近的半导体衬底中的第二导电类型的本体区，及形成在本体区顶部的第一导电类型的源极区。

摘要（英）：

A trench-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device and a fabrication method are disclosed. The trench-type MOSFET device comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type. The semiconductor substrate has a plurality of first trenches arranged side by side in a first preset area of the semiconductor substrate extending along a first direction and a plurality of second trenches arranged side by side in a second preset area of the semiconductor substrate extending along a second direction perpendicular to the first direction. A control gate is formed in each of the pluralities of first and second trenches. A body region of a second conductivity type is formed in the semiconductor substrate near sidewalls of the pluralities of first and second trenches. A source region of the first conductivity type is formed on a top portion of the body region.

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