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公开(公告)号:TWI686956B
公开(公告)日:2020-03-01
申请号:TW108109881
申请日:2019-03-21
发明人: 陳稟亮 , CHEN, PING-LIANG , 簡兆良 , CHIEN, CHAO-LIANG , 湯士逸 , TANG, SHIH-YI
IPC分类号: H01L29/92 , H01L29/772
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公开(公告)号:TW201919239A
公开(公告)日:2019-05-16
申请号:TW107129674
申请日:2018-08-24
发明人: 郭大鵬 , GUO, TA PEN , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 魯立忠 , LU, LEE CHUNG , 田麗鈞 , TIEN, LI CHUN
IPC分类号: H01L29/768 , H01L29/772
摘要: 半導體裝置包含複數個標準元件。複數個標準元件包含第一組標準元件及第二組標準元件,此第一組標準元件佈置在沿列方向延伸之第一列中,此第二組標準元件佈置在沿列方向延伸之第二列中。第一組標準元件及第二組標準元件沿行方向佈置。第一組標準元件在行方向的元件高度不同於第二組標準元件在行方向的元件高度。
简体摘要: 半导体设备包含复数个标准组件。复数个标准组件包含第一组标准组件及第二组标准组件,此第一组标准组件布置在沿列方向延伸之第一列中,此第二组标准组件布置在沿列方向延伸之第二列中。第一组标准组件及第二组标准组件沿行方向布置。第一组标准组件在行方向的组件高度不同于第二组标准组件在行方向的组件高度。
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公开(公告)号:TWI649876B
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:TW104130365
申请日:2015-09-15
发明人: 尾田秀一 , ODA, HIDEKAZU
IPC分类号: H01L29/772 , H01L21/336
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公开(公告)号:TW201904061A
公开(公告)日:2019-01-16
申请号:TW106136208
申请日:2017-10-20
发明人: 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 陳奕升 , CHEN, I SHENG
IPC分类号: H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/335 , H01L21/8252
摘要: 半導體結構包含基材、介電特徵以及第二半導體材料。基材包含第一半導體材料。介電特徵嵌入於基材中。第二半導體材料嵌入於基材中。第二半導體材料與第一半導體材料之間具有一晶格失配。第二半導體材料具有兩上側壁以及兩下側壁。第二半導體材料的上側壁接觸介電特徵。第二半導體材料的下側壁接觸基材。第二半導體材料的下側壁不垂直於基材之頂表面。介電特徵之最底部位低於第二半導體材料之下側壁的最頂部位。
简体摘要: 半导体结构包含基材、介电特征以及第二半导体材料。基材包含第一半导体材料。介电特征嵌入于基材中。第二半导体材料嵌入于基材中。第二半导体材料与第一半导体材料之间具有一晶格失配。第二半导体材料具有两上侧壁以及两下侧壁。第二半导体材料的上侧壁接触介电特征。第二半导体材料的下侧壁接触基材。第二半导体材料的下侧壁不垂直于基材之顶表面。介电特征之最底部位低于第二半导体材料之下侧壁的最顶部位。
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公开(公告)号:TWI647748B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:TW105102314
申请日:2016-01-26
发明人: 陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 張家瑋 , CHANG, CHAI WEI , 廖家陽 , LIAO, CHIA YANG , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/41 , H01L29/772
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公开(公告)号:TWI641137B
公开(公告)日:2018-11-11
申请号:TW106129434
申请日:2012-12-13
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 秋元健吾 , AKIMOTO,KENGO , 野中裕介 , NONAKA,YUSUKE , 金村大志 , KANEMURA,HIROSHI
IPC分类号: H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
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公开(公告)号:TW201834240A
公开(公告)日:2018-09-16
申请号:TW106128294
申请日:2017-08-21
申请人: 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/334
摘要: 一種半導體結構包括配置於矽基底上之III-N族半導體材料。III-N族電晶體結構被配置於該III-N族半導體材料上。井被配置於矽基底中。該井具有第一導電類型。摻雜區被配置於該井中。該摻雜區具有第二導電類型,其係相反於該第一導電類型。第一電極被連接至第二導電類型之該井,而第二電極被連接至具有第一導電類型之該摻雜區。該井和該摻雜區形成PN二極體。該井或該摻雜區被連接至該III-N族電晶體之該突起汲極結構。
简体摘要: 一种半导体结构包括配置于硅基底上之III-N族半导体材料。III-N族晶体管结构被配置于该III-N族半导体材料上。井被配置于硅基底中。该井具有第一导电类型。掺杂区被配置于该井中。该掺杂区具有第二导电类型,其系相反于该第一导电类型。第一电极被连接至第二导电类型之该井,而第二电极被连接至具有第一导电类型之该掺杂区。该井和该掺杂区形成PN二极管。该井或该掺杂区被连接至该III-N族晶体管之该突起汲极结构。
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公开(公告)号:TW201830702A
公开(公告)日:2018-08-16
申请号:TW107100037
申请日:2018-01-02
发明人: 葛雷瑟 約翰 , GLASER, JOHN , 羅伊施 大衛 C. , REUSCH, DAVID C. , 德魯義 麥克 A. , DE ROOIJ, MICHAEL A.
IPC分类号: H01L29/772 , H03K17/687
摘要: 一種使用FET電晶體之RF切換器的電路,其在大多數的信號範圍上大幅消除了FET的Coss的非線性,且減少失真。 RF切換器包括兩個基本相同的FET。 一個FET的源極連接到另一個FET的汲極且形成的節點包含切換器的一個端子。 兩個基本上相同的電容器彼此串聯連接並與FET並聯連接,且由此形成的節點包含切換器的第二端子。 電容器係選擇為使得它們在切換器期望被使用的AC頻率具有可忽略的阻抗,且特別是比每一個FET的Coss低得多的阻抗。 一具有串聯阻抗的電壓源也與電容器和兩個FET並聯連接。
简体摘要: 一种使用FET晶体管之RF切换器的电路,其在大多数的信号范围上大幅消除了FET的Coss的非线性,且减少失真。 RF切换器包括两个基本相同的FET。 一个FET的源极连接到另一个FET的汲极且形成的节点包含切换器的一个端子。 两个基本上相同的电容器彼此串联连接并与FET并联连接,且由此形成的节点包含切换器的第二端子。 电容器系选择为使得它们在切换器期望被使用的AC频率具有可忽略的阻抗,且特别是比每一个FET的Coss低得多的阻抗。 一具有串联阻抗的电压源也与电容器和两个FET并联连接。
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公开(公告)号:TWI628794B
公开(公告)日:2018-07-01
申请号:TW105132410
申请日:2014-09-19
申请人: 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 瑞奇曼第 威利 , RACHMADY, WILLY , 雷 凡 , LE, VAN H. , 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 狄威 吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 穆可吉 尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 卡瓦萊羅斯 傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 喬 羅伯特 , CHAU, ROBERT S. , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 寇利爾 羅沙 , KOTLYAR, ROZA
IPC分类号: H01L29/772 , H01L21/336
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公开(公告)号:TWI625794B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:TW104120062
申请日:2015-06-23
发明人: 新井耕一 , ARAI, KOICHI , 濱正樹 , HAMA, MASAKI , 籠利康明 , KAGOTOSHI, YASUAKI , 久田賢一 , HISADA, KENICHI
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/772
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