半導體裝置
    2.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号:TW201919239A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107129674

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: H01L29/768 H01L29/772

    摘要: 半導體裝置包含複數個標準元件。複數個標準元件包含第一組標準元件及第二組標準元件,此第一組標準元件佈置在沿列方向延伸之第一列中,此第二組標準元件佈置在沿列方向延伸之第二列中。第一組標準元件及第二組標準元件沿行方向佈置。第一組標準元件在行方向的元件高度不同於第二組標準元件在行方向的元件高度。

    简体摘要: 半导体设备包含复数个标准组件。复数个标准组件包含第一组标准组件及第二组标准组件,此第一组标准组件布置在沿列方向延伸之第一列中,此第二组标准组件布置在沿列方向延伸之第二列中。第一组标准组件及第二组标准组件沿行方向布置。第一组标准组件在行方向的组件高度不同于第二组标准组件在行方向的组件高度。

    半導體結構及其製造方法
    4.
    发明专利
    半導體結構及其製造方法 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:TW201904061A

    公开(公告)日:2019-01-16

    申请号:TW106136208

    申请日:2017-10-20

    摘要: 半導體結構包含基材、介電特徵以及第二半導體材料。基材包含第一半導體材料。介電特徵嵌入於基材中。第二半導體材料嵌入於基材中。第二半導體材料與第一半導體材料之間具有一晶格失配。第二半導體材料具有兩上側壁以及兩下側壁。第二半導體材料的上側壁接觸介電特徵。第二半導體材料的下側壁接觸基材。第二半導體材料的下側壁不垂直於基材之頂表面。介電特徵之最底部位低於第二半導體材料之下側壁的最頂部位。

    简体摘要: 半导体结构包含基材、介电特征以及第二半导体材料。基材包含第一半导体材料。介电特征嵌入于基材中。第二半导体材料嵌入于基材中。第二半导体材料与第一半导体材料之间具有一晶格失配。第二半导体材料具有两上侧壁以及两下侧壁。第二半导体材料的上侧壁接触介电特征。第二半导体材料的下侧壁接触基材。第二半导体材料的下侧壁不垂直于基材之顶表面。介电特征之最底部位低于第二半导体材料之下侧壁的最顶部位。

    PN二極體及連接的III-N裝置以及其製造方法
    7.
    发明专利
    PN二極體及連接的III-N裝置以及其製造方法 审中-公开
    PN二极管及连接的III-N设备以及其制造方法

    公开(公告)号:TW201834240A

    公开(公告)日:2018-09-16

    申请号:TW106128294

    申请日:2017-08-21

    摘要: 一種半導體結構包括配置於矽基底上之III-N族半導體材料。III-N族電晶體結構被配置於該III-N族半導體材料上。井被配置於矽基底中。該井具有第一導電類型。摻雜區被配置於該井中。該摻雜區具有第二導電類型,其係相反於該第一導電類型。第一電極被連接至第二導電類型之該井,而第二電極被連接至具有第一導電類型之該摻雜區。該井和該摻雜區形成PN二極體。該井或該摻雜區被連接至該III-N族電晶體之該突起汲極結構。

    简体摘要: 一种半导体结构包括配置于硅基底上之III-N族半导体材料。III-N族晶体管结构被配置于该III-N族半导体材料上。井被配置于硅基底中。该井具有第一导电类型。掺杂区被配置于该井中。该掺杂区具有第二导电类型,其系相反于该第一导电类型。第一电极被连接至第二导电类型之该井,而第二电极被连接至具有第一导电类型之该掺杂区。该井和该掺杂区形成PN二极管。该井或该掺杂区被连接至该III-N族晶体管之该突起汲极结构。

    低失真RF切換器
    8.
    发明专利
    低失真RF切換器 审中-公开
    低失真RF切换器

    公开(公告)号:TW201830702A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW107100037

    申请日:2018-01-02

    IPC分类号: H01L29/772 H03K17/687

    摘要: 一種使用FET電晶體之RF切換器的電路,其在大多數的信號範圍上大幅消除了FET的Coss的非線性,且減少失真。 RF切換器包括兩個基本相同的FET。 一個FET的源極連接到另一個FET的汲極且形成的節點包含切換器的一個端子。 兩個基本上相同的電容器彼此串聯連接並與FET並聯連接,且由此形成的節點包含切換器的第二端子。 電容器係選擇為使得它們在切換器期望被使用的AC頻率具有可忽略的阻抗,且特別是比每一個FET的Coss低得多的阻抗。 一具有串聯阻抗的電壓源也與電容器和兩個FET並聯連接。

    简体摘要: 一种使用FET晶体管之RF切换器的电路,其在大多数的信号范围上大幅消除了FET的Coss的非线性,且减少失真。 RF切换器包括两个基本相同的FET。 一个FET的源极连接到另一个FET的汲极且形成的节点包含切换器的一个端子。 两个基本上相同的电容器彼此串联连接并与FET并联连接,且由此形成的节点包含切换器的第二端子。 电容器系选择为使得它们在切换器期望被使用的AC频率具有可忽略的阻抗,且特别是比每一个FET的Coss低得多的阻抗。 一具有串联阻抗的电压源也与电容器和两个FET并联连接。