发明专利
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）： 半导体结构及其制造方法
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申请号： TW105137581申请日： 2016-11-17
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公开(公告)号： TW201816965A公开(公告)日： 2018-05-01
- 发明人: 林柏均 , LIN, PO CHUN
- 申请人： 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 申请人地址： 新北市
- 专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新北市
- 代理商 陳長文; 馮博生
- 优先权： 15/333,933 20161025
- 主分类号： H01L23/492
- IPC分类号： H01L23/492
摘要：
一種半導體結構的製造方法包含：提供一基板與位於該基板上方的一晶片；配置該基板於一第一模具件上方；配置一第二模具件於該基板上方，以囊封該晶片；配置一模製材料於該晶片附近；形成一模製物於該基板上方且於該晶片附近；移除該第一模具件；移除該第二模具件；其中該第一模具件包含一曲面，該曲面朝向該基板、該晶片或該第二模具件突出。
公开/授权文献
- TWI635592B 半導體結構及其製造方法 公开/授权日：2018-09-11
信息查询
IPC分类:
