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1.发明专利中空尖筆狀結構、其製造方法及、相變化記憶裝置、磁阻式動態隨機存取記憶裝置、電阻式動態隨機存取記憶裝置、場發射顯示裝置、多電子束直寫微影裝置、高密度磁儲存裝置、原子力顯微裝置、微影裝置、光子晶體結構及其製造方法 HOLLOW STYLUS-SHAPED STRUCTURE, METHODS FOR FABRICATING THE SAME, AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES, RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES, FIELD EMISSION DISPLAY, MULTI-ELECTROBEAMS DIRECT WRITING LITHOGRAPHY APPARATUSES, HIGH DENSITY MAGNETIC STORAGE DEVICES, ATOMIC FORCE MICROSCOPE APPARATUSES, PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURES, AND METHODS FOR FABRICATING THE SA 审中-公开中空尖笔状结构、其制造方法及、相变化记忆设备、磁阻式动态随机存取记忆设备、电阻式动态随机存取记忆设备、场发射显示设备、多电子束直写微影设备、高密度磁存储设备、原子力显微设备、微影设备、光子晶体结构及其制造方法 HOLLOW STYLUS-SHAPED STRUCTURE, METHODS FOR FABRICATING THE SAME, AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES, RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES, FIELD EMISSION DISPLAY, MULTI-ELECTROBEAMS DIRECT WRITING LITHOGRAPHY APPARATUSES, HIGH DENSITY MAGNETIC STORAGE DEVICES, ATOMIC FORCE MICROSCOPE APPARATUSES, PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURES, AND METHODS FOR FABRICATING THE SA
公开(公告)号：TW200933942A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097103446
申请日：2008-01-30
申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 力晶半導體股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. , 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. , 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC. , 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人： 陳維恕 CHEN, WEI SU
CPC分类号： G03B27/54 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G11B9/1409 , G11C13/0004 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L45/1691 , H01L2924/0002 , Y10T428/13 , H01L2924/00
摘要： 一種中空尖筆狀結構,包括﹕一中空柱狀間隔物,位於一基礎層上;以及一中空錐狀間隔物,堆疊於該中空柱狀間隔物上,其中該中空錐狀間隔物、該中空柱狀間隔物與該基礎層間形成了一空室,而該中空柱狀間隔物與該中空錐狀間隔物之一壁面包括含矽之有機或無機材料。
简体摘要： 一种中空尖笔状结构,包括﹕一中空柱状间隔物,位于一基础层上;以及一中空锥状间隔物,堆栈于该中空柱状间隔物上,其中该中空锥状间隔物、该中空柱状间隔物与该基础层间形成了一空室,而该中空柱状间隔物与该中空锥状间隔物之一壁面包括含硅之有机或无机材料。
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2.发明专利具有堆疊閘極結構之半導體裝置製造方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACK-GATE STRUCTURE 有权具有堆栈闸极结构之半导体设备制造方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACK-GATE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI312536B
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：TW092120045
申请日：2003-07-23
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28052 , H01L29/4933
摘要： 本發明揭示一種具有堆疊閘極結構之半導體裝置製造方法。首先,在一基底上方形成一複晶矽層,且其藉由一介電層與基底絕緣。接著,依序在複晶矽層上形成一鈦金屬層及一氮化鎢層。然後,藉由氮氣及氫氣作為形成氣體以對氮化鎢層實施一回火處理。最後,在氮化鎢層上依序形成一鎢金屬層及一上蓋層。
简体摘要： 本发明揭示一种具有堆栈闸极结构之半导体设备制造方法。首先,在一基底上方形成一复晶硅层,且其借由一介电层与基底绝缘。接着,依序在复晶硅层上形成一钛金属层及一氮化钨层。然后,借由氮气及氢气作为形成气体以对氮化钨层实施一回火处理。最后,在氮化钨层上依序形成一钨金属层及一上盖层。
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公开(公告)号：TW200926406A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096147212
申请日：2007-12-11
申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 力晶半導體股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. , 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. , 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC. , 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
摘要： 本發明提供一種相變化記憶體,其中包括一頂層電極、一相變化物質、位於該頂層電極與該相變化物質間的複數個介質孔、至少四個加熱器、對應該等加熱器的複數個底層電極以及電晶體。該等加熱器分別瞄準該相變化物質的不同區域。該等底層電極分別耦接該等加熱器,作為該等加熱器之輸入端。該等電晶體之第一端分別耦接該等底層電極。該等電晶體之控制端與第二端分別接收相關之字元線與位元線信號。在加熱器數量為四個的狀態下,所瞄準之區域組成一2x2之相變化記憶單元矩陣。
简体摘要： 本发明提供一种相变化内存,其中包括一顶层电极、一相变化物质、位于该顶层电极与该相变化物质间的复数个介质孔、至少四个加热器、对应该等加热器的复数个底层电极以及晶体管。该等加热器分别瞄准该相变化物质的不同区域。该等底层电极分别耦接该等加热器,作为该等加热器之输入端。该等晶体管之第一端分别耦接该等底层电极。该等晶体管之控制端与第二端分别接收相关之字符线与比特线信号。在加热器数量为四个的状态下,所瞄准之区域组成一2x2之相变化记忆单元矩阵。
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4.发明专利相變化記憶體與相變化記憶體之控制方法 PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF CONTROLLING PHASE CHANGE MEMORY 审中-公开相变化内存与相变化内存之控制方法 PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF CONTROLLING PHASE CHANGE MEMORY
公开(公告)号：TW200926176A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096146499
申请日：2007-12-06
申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 力晶半導體股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. , 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. , 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC. , 華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/75 , G11C2213/76 , G11C2213/79
摘要： 本發明提供一種相變化記憶體技術,其中令複數個相變化儲存單元串聯以共用一電流源,並且以複數個開關控制該電流源所提供的一輸入電流之電流路徑。本發明藉由控制該等開關與該輸入電流設定該等相變化儲存單元的電阻値以儲存資料,其中,不同資料儲存於該等相變化儲存單元時,該等相變化儲存單元具有不同的電阻和。
简体摘要： 本发明提供一种相变化内存技术,其中令复数个相变化存储单元串联以共享一电流源,并且以复数个开关控制该电流源所提供的一输入电流之电流路径。本发明借由控制该等开关与该输入电流设置该等相变化存储单元的电阻値以存储数据,其中,不同数据存储于该等相变化存储单元时,该等相变化存储单元具有不同的电阻和。
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5.发明专利對準記號及利用此對準記號校準製程之方法 OVERLAY MARK AND METHOD OF CALIBRATING FABRICATION PROCESS UTILIZING THE SAME 审中-公开对准记号及利用此对准记号校准制程之方法 OVERLAY MARK AND METHOD OF CALIBRATING FABRICATION PROCESS UTILIZING THE SAME
公开(公告)号：TW200925801A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096146993
申请日：2007-12-10
IPC分类号： G03F
摘要： 本發明提供一種對準記號,包括:一基底;一材料層,形成於該基底上;以及一記號,設置於該材料層上,包括由外而內排列之一第一次記號、一第二次記號以及一第三次記號,其中任意兩次記號之寬度係相同。本發明另提供一種利用此對準記號校準製程之方法。
简体摘要： 本发明提供一种对准记号,包括:一基底;一材料层,形成于该基底上;以及一记号,设置于该材料层上,包括由外而内排列之一第一次记号、一第二次记号以及一第三次记号,其中任意两次记号之宽度系相同。本发明另提供一种利用此对准记号校准制程之方法。
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6.发明专利凹入式通道半導體元件及其製造方法 RECESSED CHANNEL DEVICE AND METHOD THEREOF 审中-公开凹入式信道半导体组件及其制造方法 RECESSED CHANNEL DEVICE AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200924115A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096145005
申请日：2007-11-27
发明人： 林瑄智 LIN, SHIAN JYH , 張淵琮 CHANG, YUAN TSUNG , 陳順福 CHEN, SHUN FU , 林聰志 LIN, CHUNG TZE , 李中元 LEE, CHUNG YUAN , 郭哲銓 KUO, TSE CHAUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66621 , H01L27/10867 , H01L27/10876
摘要： 一種形成凹入式通道半導體元件之方法,包含提供一基板結構,係包含一硬遮罩層於一基板上,且硬遮罩層具有複數個開口配置成陣列,係各暴露一溝渠式半導體結構於基板內;形成栓塞於各開口中,且與硬遮罩層鄰接;移除硬遮罩層;形成間隙壁於各栓塞之側壁;沿一第一方向,形成複數個溝渠隔離於基板中,且於溝渠式半導體結構之兩側,以界定一主動區域;以及以間隙壁為罩幕,去除基板至一預定深度,以形一凹入式通道。本發明亦提供一種具有管體輪廓之凹入式通道半導體元件。
简体摘要： 一种形成凹入式信道半导体组件之方法,包含提供一基板结构,系包含一硬遮罩层于一基板上,且硬遮罩层具有复数个开口配置成数组,系各暴露一沟渠式半导体结构于基板内;形成栓塞于各开口中,且与硬遮罩层邻接;移除硬遮罩层;形成间隙壁于各栓塞之侧壁;沿一第一方向,形成复数个沟渠隔离于基板中,且于沟渠式半导体结构之两侧,以界定一主动区域;以及以间隙壁为罩幕,去除基板至一预定深度,以形一凹入式信道。本发明亦提供一种具有管体轮廓之凹入式信道半导体组件。
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7.发明专利非揮發性記憶體及其製造方法 NON-VOLATILE MEMORY AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开非挥发性内存及其制造方法 NON-VOLATILE MEMORY AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200921904A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096143269
申请日：2007-11-15
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/115 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568
摘要： 一種非揮發性記憶體,設置於基底上,包含有多個主動區、記憶體陣列與多個接觸窗。主動區由設置於基底中的多個隔離結構所定義並往第一方向延伸。記憶體陣列設置於基底上,包括了多個記憶胞列、多個控制閘極線與多個選擇閘極線。各記憶胞列包括多個串連之記憶胞以及設置於這些記憶胞外側之基底中的源極/汲極區。接觸窗沿著第二方向排列,設置於記憶體陣列一側之基底上,第二方向與第一方向交錯,且各接觸窗橫跨隔離結構,並連接每兩個相鄰之主動區基底中之源極/汲極區。
简体摘要： 一种非挥发性内存,设置于基底上,包含有多个主动区、内存数组与多个接触窗。主动区由设置于基底中的多个隔离结构所定义并往第一方向延伸。内存数组设置于基底上,包括了多个记忆胞列、多个控制闸极线与多个选择闸极线。各记忆胞列包括多个串连之记忆胞以及设置于这些记忆胞外侧之基底中的源极/汲极区。接触窗沿着第二方向排列,设置于内存数组一侧之基底上,第二方向与第一方向交错,且各接触窗横跨隔离结构,并连接每两个相邻之主动区基底中之源极/汲极区。
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公开(公告)号：TW200921856A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141672
申请日：2007-11-05
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/7881
摘要： 本發明揭示一種快閃記憶體的形成方法,包含提供一基板;形成複數個浮置閘極於基板上;形成一第一共形介電層覆蓋基板及複數個浮置閘極;形成一第二共形介電層覆蓋第一共形介電層;去除一部份之第二共形介電層以露出第一共形介電層;形成一共形前驅物層覆蓋第二共形介電層及露出的第一共形介電層;氧化共形前驅物層以形成一控制閘極氧化層於複數個浮置閘極之間;及形成一控制閘極於控制閘極氧化層上。
简体摘要： 本发明揭示一种闪存的形成方法,包含提供一基板;形成复数个浮置闸极于基板上;形成一第一共形介电层覆盖基板及复数个浮置闸极;形成一第二共形介电层覆盖第一共形介电层;去除一部份之第二共形介电层以露出第一共形介电层;形成一共形前驱物层覆盖第二共形介电层及露出的第一共形介电层;氧化共形前驱物层以形成一控制闸极氧化层于复数个浮置闸极之间;及形成一控制闸极于控制闸极氧化层上。
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公开(公告)号：TW200917496A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096136913
申请日：2007-10-02
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L21/28273 , H01L29/42336
摘要： 一種二位元式快閃記憶體,包括具有一個凸出部的基底、一個拱形控制閘極、兩個浮動閘極以及一層閘間介電層。其中,拱形控制閘極橫跨凸出部並覆蓋凸出部之相對側壁,而浮動閘極分別設置於拱形控制閘極的兩側之凸出部頂面上。至於閘間介電層是位於拱形控制閘極與浮動閘極之間。因為二位元式快閃記憶體採用拱形控制閘極,所以可增進控制閘極的可控制性,並提高記憶單元製程窗。
简体摘要： 一种二比特式闪存,包括具有一个凸出部的基底、一个拱形控制闸极、两个浮动闸极以及一层闸间介电层。其中,拱形控制闸极横跨凸出部并覆盖凸出部之相对侧壁,而浮动闸极分别设置于拱形控制闸极的两侧之凸出部顶面上。至于闸间介电层是位于拱形控制闸极与浮动闸极之间。因为二比特式闪存采用拱形控制闸极,所以可增进控制闸极的可控制性,并提高记忆单元制程窗。
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10.发明专利魚鰭式通道提升型快閃記憶體及其製造方法 FINFET-LIKE ELEVATED CHANNEL FLASH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开鱼鳍式信道提升型闪存及其制造方法 FINFET-LIKE ELEVATED CHANNEL FLASH AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200917425A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096137072
申请日：2007-10-03
发明人： 王哲麒 WANG, JER CHYI , 張明成 CHANG, MING CHENG , 張伊鋒 CHANG, YI FENG , 廖偉明 LIAO, WEI MING , 黃建章 HUANG, CHIEN CHANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L29/66825 , H01L29/7851 , H01L29/7887
摘要： 一種魚鰭式通道提升型快閃記憶體,包括具有一個凸出部的基底、兩個浮動閘極、一個控制閘極以及一層閘間介電層。其中,浮動閘極分別位於凸出部的兩側並覆蓋凸出部之部分頂面,而控制閘極則位於浮動閘極之間的凸出部上。至於閘間介電層是位於控制閘極與浮動閘極之間。因為魚鰭式通道提升型快閃記憶體的控制閘極是位在一個凸出部上,所以可形成提升的通道。同時,因為浮動閘極的位置,所以能夠在不影響單元密度的情形下增加有效浮置閘極長度。
简体摘要： 一种鱼鳍式信道提升型闪存,包括具有一个凸出部的基底、两个浮动闸极、一个控制闸极以及一层闸间介电层。其中,浮动闸极分别位于凸出部的两侧并覆盖凸出部之部分顶面,而控制闸极则位于浮动闸极之间的凸出部上。至于闸间介电层是位于控制闸极与浮动闸极之间。因为鱼鳍式信道提升型闪存的控制闸极是位在一个凸出部上,所以可形成提升的信道。同时,因为浮动闸极的位置,所以能够在不影响单元密度的情形下增加有效浮置闸极长度。
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