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    封裝結構及其製造方法
    2.
    发明专利
    封裝結構及其製造方法 审中-公开
    封装结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201839944A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106132993

    申请日：2017-09-26

    申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 林柏均 ,  LIN, PO CHUN ,  朱金龍 ,  CHU, CHIN LUNG

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

    摘要： 一種封裝結構包含：半導體基板；焊墊設置於半導體基板之上；導電層設置該焊墊於之上；保護塗層；以及金屬凸塊設置於導電層之上，且該保護塗層覆蓋金屬凸塊，以避免金屬凸塊的氧化。

    简体摘要： 一种封装结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置该焊垫于之上；保护涂层；以及金属凸块设置于导电层之上，且该保护涂层覆盖金属凸块，以避免金属凸块的氧化。

    半導體結構
    3.
    发明专利
    半導體結構 审中-公开
    半导体结构

    公开(公告)号：TW201839907A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106124945

    申请日：2017-07-25

    申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 林柏均 ,  LIN, PO CHUN ,  朱金龍 ,  CHU, CHIN LUNG

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

    摘要： 一種半導體結構包含基板、至少一半導體元件、矽通孔以及屏蔽結構。基板具有前側表面與後側表面。半導體元件設置於前側表面。矽通孔設置於基板中，其中矽通孔裸露於前側表面與後側表面，且矽通孔電性連接半導體元件。屏蔽結構設置於基板中且圍繞矽通孔，其中屏蔽結構裸露於前側表面，屏蔽結構與矽通孔電性絕緣，且屏蔽結構電性連接電源端或接地端。

    简体摘要： 一种半导体结构包含基板、至少一半导体组件、硅通孔以及屏蔽结构。基板具有前侧表面与后侧表面。半导体组件设置于前侧表面。硅通孔设置于基板中，其中硅通孔裸露于前侧表面与后侧表面，且硅通孔电性连接半导体组件。屏蔽结构设置于基板中且围绕硅通孔，其中屏蔽结构裸露于前侧表面，屏蔽结构与硅通孔电性绝缘，且屏蔽结构电性连接电源端或接地端。

    中介物、其半導體封裝及其半導體封裝的製備方法
    4.
    发明专利
    中介物、其半導體封裝及其半導體封裝的製備方法 审中-公开
    中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法

    公开(公告)号：TW201801277A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW105133426

    申请日：2016-10-17

    申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 林柏均 ,  LIN, PO CHUN

    IPC分类号： H01L23/535

    CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/13 ,  H01L23/18 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

    摘要： 本揭露提供一種半導體封裝的中介物。該中介物包含一基板部以及位於該基板部上的一壁部。該基板部具有第一側、第二側、以及位於該第一側與該第二側之間的電互連結構。貫穿矽插塞(through silicon via，TSV)的製造成本非常昂貴，本揭露之基板部係實質上無導電貫穿插塞；因此，本揭露之中介物的製造成本可大幅降低。此外，該壁部係位於該第一側並且定義一開口，其局部暴露該電互連結構。如此，本揭露製備半導體封裝時至少一半導體晶粒可接合至該中介物並且位於該開口內部；如此，本揭露之半導體封裝的高度係低於將半導體晶粒配置於該中介物之頂部的半導體封裝。

    简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装的中介物。该中介物包含一基板部以及位于该基板部上的一壁部。该基板部具有第一侧、第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的电互链接构。贯穿硅插塞(through silicon via，TSV)的制造成本非常昂贵，本揭露之基板部系实质上无导电贯穿插塞；因此，本揭露之中介物的制造成本可大幅降低。此外，该壁部系位于该第一侧并且定义一开口，其局部暴露该电互链接构。如此，本揭露制备半导体封装时至少一半导体晶粒可接合至该中介物并且位于该开口内部；如此，本揭露之半导体封装的高度系低于将半导体晶粒配置于该中介物之顶部的半导体封装。