发明专利
- 专利标题： 半導體元件及其製作方法
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）： 半导体组件及其制作方法
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申请号： TW106109701申请日： 2017-03-23
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公开(公告)号： TW201835982A公开(公告)日： 2018-10-01
- 发明人: 李一凡 , LI, YI-FAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 陳俊仁 , CHEN, CHUN-JEN , 吳典逸 , WU, TIEN-I , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 吳俊元 , WU, CHUN-YUAN
- 申请人： 聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 聯華電子股份有限公司,UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人： 聯華電子股份有限公司,UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理商 吳豐任; 戴俊彥
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/41
摘要：
本發明較佳揭露一種製作半導體元件的方法。首先形成一鰭狀結構於一基底上，然後形成一淺溝隔離於鰭狀結構旁並同時將鰭狀結構定義出一上半部以及一下半部且淺溝隔離較佳環繞鰭狀結構下半部。接著形成一襯墊層於鰭狀結構上半部，然後進行一蝕刻製程完全去除襯墊層以及部分鰭狀結構並使鰭狀結構上半部之一側壁包含一曲面。
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