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公开(公告)号：TWI675476B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105123122
申请日：2016-07-22
发明人： 林猷穎 , LIN, YU-YING , 古冠軒 , KU, KUAN-HSUAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 劉厥揚 , LIU, CHUEH-YANG , 呂水煙 , LU, SHUI-YEN , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 楊鈞耀 , YANG, CHUN-YAO , 王俞仁 , WANG, YU-REN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI695506B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105121207
申请日：2016-07-05
发明人： 吳典逸 , WU, TIEN-I , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 詹書儼 , CHAN, SHU-YEN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/322
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公开(公告)号：TW201801310A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105123122
申请日：2016-07-22
发明人： 林猷穎 , LIN, YU-YING , 古冠軒 , KU, KUAN-HSUAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 劉厥揚 , LIU, CHUEH-YANG , 呂水煙 , LU, SHUI-YEN , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 楊鈞耀 , YANG, CHUN-YAO , 王俞仁 , WANG, YU-REN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/31144 , H01L21/76877 , H01L27/0922 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66636
摘要： 一種半導體裝置包括一半導體基底、一形成於該半導體基底上之閘極結構以及一部分形成於該半導體基底中之磊晶結構。該磊晶結構之一垂直延伸部係於與該閘極結構相鄰之一區域中的該半導體基底之一上表面上方垂直延伸。該磊晶結構之一側向延伸部係於該半導體基底之該上表面下方之一區域朝一往該閘極結構下方之一區域以及遠離該磊晶結構垂直延伸之一區域的方向上側向延伸。該半導體裝置更包括一層間介電層位於該磊晶結構之該垂直延伸部之一側表面以及該閘極結構之一側表面之間。該磊晶結構之該側向延伸部之一上表面直接接觸該層間介電層。
简体摘要： 一种半导体设备包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上之闸极结构以及一部分形成于该半导体基底中之磊晶结构。该磊晶结构之一垂直延伸部系于与该闸极结构相邻之一区域中的该半导体基底之一上表面上方垂直延伸。该磊晶结构之一侧向延伸部系于该半导体基底之该上表面下方之一区域朝一往该闸极结构下方之一区域以及远离该磊晶结构垂直延伸之一区域的方向上侧向延伸。该半导体设备更包括一层间介电层位于该磊晶结构之该垂直延伸部之一侧表面以及该闸极结构之一侧表面之间。该磊晶结构之该侧向延伸部之一上表面直接接触该层间介电层。
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公开(公告)号：TW201835982A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109701
申请日：2017-03-23
发明人： 李一凡 , LI, YI-FAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 陳俊仁 , CHEN, CHUN-JEN , 吳典逸 , WU, TIEN-I , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 吳俊元 , WU, CHUN-YUAN
摘要： 本發明較佳揭露一種製作半導體元件的方法。首先形成一鰭狀結構於一基底上，然後形成一淺溝隔離於鰭狀結構旁並同時將鰭狀結構定義出一上半部以及一下半部且淺溝隔離較佳環繞鰭狀結構下半部。接著形成一襯墊層於鰭狀結構上半部，然後進行一蝕刻製程完全去除襯墊層以及部分鰭狀結構並使鰭狀結構上半部之一側壁包含一曲面。
简体摘要： 本发明较佳揭露一种制作半导体组件的方法。首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一浅沟隔离于鳍状结构旁并同时将鳍状结构定义出一上半部以及一下半部且浅沟隔离较佳环绕鳍状结构下半部。接着形成一衬垫层于鳍状结构上半部，然后进行一蚀刻制程完全去除衬垫层以及部分鳍状结构并使鳍状结构上半部之一侧壁包含一曲面。
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公开(公告)号：TW201803113A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121207
申请日：2016-07-05
发明人： 吳典逸 , WU, TIEN-I , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 詹書儼 , CHAN, SHU-YEN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/322
CPC分类号： H01L29/7846 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/7848 , H01L29/7849 , H01L29/785 , H01L29/7853
摘要： 本發明提供了一種金氧半導體裝置，包含一基底、一閘極結構、一磊晶裝置以及一源極/汲極區。閘極結構，設置在該基底上。磊晶結構，設置在該閘極結構兩側的該基底中，其中該磊晶結構包含：一第一緩衝層，為一未摻雜緩衝層，包含一底面部分以及一側面部分，其中底面部分設置在磊晶結構的一底面上，側面部分設置在磊晶結構的一凸側壁上、一磊晶層，為一應力層，被該第一緩衝層包圍、以及一半導體層，設置在第一緩衝層與磊晶層之間。源極/汲極區，設置在該磊晶結構中。
简体摘要： 本发明提供了一种金属氧化物半导体设备，包含一基底、一闸极结构、一磊晶设备以及一源极/汲极区。闸极结构，设置在该基底上。磊晶结构，设置在该闸极结构两侧的该基底中，其中该磊晶结构包含：一第一缓冲层，为一未掺杂缓冲层，包含一底面部分以及一侧面部分，其中底面部分设置在磊晶结构的一底面上，侧面部分设置在磊晶结构的一凸侧壁上、一磊晶层，为一应力层，被该第一缓冲层包围、以及一半导体层，设置在第一缓冲层与磊晶层之间。源极/汲极区，设置在该磊晶结构中。
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