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    影像感測器及其製造方法
    3.
    发明专利
    影像感測器及其製造方法 审中-公开
    影像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027263A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108138891

    申请日：2019-10-28

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 陳柏瀚 ,  CHEN, PO HAN ,  陳貞君 ,  CHEN, CHEN CHUN ,  張復誠 ,  CHANG, FU CHENG ,  李國政 ,  LEE, KUO CHENG

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

    摘要： 一種影像感測器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光電二極體。影像感測器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光電二極體，其中第一尺寸與第二尺寸不同。影像感測器更包含在基板上的第一緩衝層。影像感測器更包含在第一緩衝器上的遮罩層，其中第一緩衝層和遮罩層定義與第一光電二極體對準的第一凹陷和與第二光電二極體對準的第二凹陷。影像感測器更包含在第一凹陷中的閃爍減弱層，其中第二凹陷沒有閃爍減弱層。

    简体摘要： 一种影像传感器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。影像传感器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中第一尺寸与第二尺寸不同。影像传感器更包含在基板上的第一缓冲层。影像传感器更包含在第一缓冲器上的遮罩层，其中第一缓冲层和遮罩层定义与第一光电二极管对准的第一凹陷和与第二光电二极管对准的第二凹陷。影像传感器更包含在第一凹陷中的闪烁减弱层，其中第二凹陷没有闪烁减弱层。

    半導體裝置及其製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202027173A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW109102972

    申请日：2010-10-26

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

    摘要： 本發明之一實施例之目的在製造一種具有高顯示品質與高可靠性之半導體裝置，其包括設於一基板上之一像素部分及一可高速操作之驅動器電路部分，該像素部分及該驅動器電路部分使用具良好電氣特性與高可靠性之電晶體作為切換元件。二個類型之電晶體形成於一驅動器電路部分及一像素部分中，其各使用一包括一結晶區設於一表面側上之氧化物半導體層以作為一主動層。電晶體之電氣特性可以藉由選擇閘極層之位置而選定，該位置決定通道之位置。因此，一包括一可高速操作之驅動器電路部分及一像素部分設於一基板上之半導體裝置即可製成。

    简体摘要： 本发明之一实施例之目的在制造一种具有高显示品质与高可靠性之半导体设备，其包括设于一基板上之一像素部分及一可高速操作之驱动器电路部分，该像素部分及该驱动器电路部分使用具良好电气特性与高可靠性之晶体管作为切换组件。二个类型之晶体管形成于一驱动器电路部分及一像素部分中，其各使用一包括一结晶区设于一表面侧上之氧化物半导体层以作为一主动层。晶体管之电气特性可以借由选择闸极层之位置而选定，该位置决定信道之位置。因此，一包括一可高速操作之驱动器电路部分及一像素部分设于一基板上之半导体设备即可制成。