Invention Patent
- Patent Title: 記憶體結構及其形成方法
- Patent Title (English): Memory structure and method for forming the same
- Patent Title (中): 内存结构及其形成方法
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Application No.: TW107131271Application Date: 2018-09-06
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Publication No.: TW202008591APublication Date: 2020-02-16
- Inventor: 董金文 , DONG, JIN WEN , 陳俊 , CHEN, JUN , 夏志良 , XIA, ZHILIANG , 華 子群 , HUA, ZI QUN , 朱繼鋒 , ZHU, JIFENG , 陳赫 , CHEN, HE
- Applicant: 大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Assignee: 大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Current Assignee: 大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Agent 吳豐任; 戴俊彥
- Priority: PCT/CN2018/097349 20180727
- Main IPC: H01L29/36
- IPC: H01L29/36 ; H01L27/11551 ; H01L21/8239
Abstract:
本發明涉及一種記憶體結構及其形成方法,所述記憶體結構包括:第一基底,包括襯底層和儲存層,所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面,所述儲存層位於所述襯底層的第一表面上,所述襯底層內具有摻雜井;隔離結構貫穿所述襯底層,且位於所述摻雜井邊緣,用於隔離所述摻雜井與周圍的襯底層。所述記憶體結構能夠避免摻雜井與襯底層之間的漏電,提高性能。
Public/Granted literature
- TWI670857B 記憶體結構及其形成方法 Public/Granted day:2019-09-01
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IPC分类: