Invention Patent
TW202008591A 記憶體結構及其形成方法 审中-公开
内存结构及其形成方法

記憶體結構及其形成方法
Abstract:
本發明涉及一種記憶體結構及其形成方法,所述記憶體結構包括:第一基底,包括襯底層和儲存層,所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面,所述儲存層位於所述襯底層的第一表面上,所述襯底層內具有摻雜井;隔離結構貫穿所述襯底層,且位於所述摻雜井邊緣,用於隔離所述摻雜井與周圍的襯底層。所述記憶體結構能夠避免摻雜井與襯底層之間的漏電,提高性能。
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