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    半導體結構
    2.
    发明专利
    半導體結構 审中-公开
    半导体结构

    公开(公告)号：TW202027274A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108100006

    申请日：2019-01-02

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 林庭佑 ,  LIN, TING-YOU ,  涂祈吏 ,  TU, CHI-LI ,  許書維 ,  HSU, SHU-WEI

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66

    摘要： 一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。

    简体摘要： 一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一井区、第二井区、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此对第一井区位于此埋置层上且具有第二导电类型。此第二井区位于此埋置层上并位于此对第一井区之间，其具有第一导电类型。此体掺杂区位于此第二井区中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一井区沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一井区之二个相反边缘。

    記憶體結構及其形成方法
    3.
    发明专利
    記憶體結構及其形成方法 审中-公开
    内存结构及其形成方法

    公开(公告)号：TW202008591A

    公开(公告)日：2020-02-16

    申请号：TW107131271

    申请日：2018-09-06

    申请人： 大陸商長江存儲科技有限責任公司 ,  YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

    发明人： 董金文 ,  DONG, JIN WEN ,  陳俊 ,  CHEN, JUN ,  夏志良 ,  XIA, ZHILIANG ,  華 子群 ,  HUA, ZI QUN ,  朱繼鋒 ,  ZHU, JIFENG ,  陳赫 ,  CHEN, HE

    IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L27/11551 ,  H01L21/8239

    摘要： 本發明涉及一種記憶體結構及其形成方法，所述記憶體結構包括：第一基底，包括襯底層和儲存層，所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面，所述儲存層位於所述襯底層的第一表面上，所述襯底層內具有摻雜井；隔離結構貫穿所述襯底層，且位於所述摻雜井邊緣，用於隔離所述摻雜井與周圍的襯底層。所述記憶體結構能夠避免摻雜井與襯底層之間的漏電，提高性能。

    简体摘要： 本发明涉及一种内存结构及其形成方法，所述内存结构包括：第一基底，包括衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述衬底层内具有掺杂井；隔离结构贯穿所述衬底层，且位于所述掺杂井边缘，用于隔离所述掺杂井与周围的衬底层。所述内存结构能够避免掺杂井与衬底层之间的漏电，提高性能。

    具有分段式濃度的功率半導體裝置
    8.
    发明专利
    具有分段式濃度的功率半導體裝置 审中-公开
    具有分段式浓度的功率半导体设备

    公开(公告)号：TW201839981A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106113215

    申请日：2017-04-20

    申请人： 聚積科技股份有限公司 ,  MACROBLOCK, INC.

    发明人： 李坤彥 ,  LEE, KUNG-YEN ,  黃智方 ,  HUANG, CHIH-FANG ,  王聖中 ,  WANG, SHENG-ZHONG ,  鄭家慧 ,  CHENG, CHIA-HUI

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    摘要： 一種具有分段式濃度的功率半導體裝置，包含一基板、一本體，及一電極單元。本體包括設置於基板上的主動單元、設置於基板上並環圍主動單元的邊緣終端部，及與基板相間隔形成於邊緣終端部上的絕緣氧化層，定義由主動單元往邊緣終端部為第一方向，及垂直第一方向為第二方向，邊緣終端部具有第一半導體區，及多個分布於第一半導體區內的第二半導體區，第二半導體區沿第二方向彼此間隔排列，且沿第一方向具有至少一間距。電極單元包括形成於本體上並與主動單元電連接的第一電極層，及一與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。

    简体摘要： 一种具有分段式浓度的功率半导体设备，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体包括设置于基板上的主动单元、设置于基板上并环围主动单元的边缘终端部，及与基板相间隔形成于边缘终端部上的绝缘氧化层，定义由主动单元往边缘终端部为第一方向，及垂直第一方向为第二方向，边缘终端部具有第一半导体区，及多个分布于第一半导体区内的第二半导体区，第二半导体区沿第二方向彼此间隔排列，且沿第一方向具有至少一间距。电极单元包括形成于本体上并与主动单元电连接的第一电极层，及一与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。

    半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201835983A

    公开(公告)日：2018-10-01

    申请号：TW106109888

    申请日：2017-03-24

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 馬洛宜 庫馬 ,  MANOJ, KUMAR ,  李家豪 ,  LEE, CHIA HAO ,  李芳名 ,  LEE, FANG MING ,  李文山 ,  LEE, WEN SHAN ,  陳強偉 ,  CHEN, JUN WEI

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36

    摘要： 半導體裝置的製造方法包含提供具有第一導電型的半導體基底，形成具有第一導電型的磊晶層於半導體基底上，形成閘極電極於磊晶層上，形成第一遮罩圖案於閘極電極上，實施第一摻雜製程，使用第一遮罩圖案為遮罩，在閘極電極之相反兩側的磊晶層中形成虛設源極區和汲極區，其中虛設源極區和汲極區具有第二導電型，且第二導電型與第一導電型相反，以及實施第二摻雜製程，將虛設源極區轉換成源極區，其中源極區具有第一導電型。

    简体摘要： 半导体设备的制造方法包含提供具有第一导电型的半导体基底，形成具有第一导电型的磊晶层于半导体基底上，形成闸极电极于磊晶层上，形成第一遮罩图案于闸极电极上，实施第一掺杂制程，使用第一遮罩图案为遮罩，在闸极电极之相反两侧的磊晶层中形成虚设源极区和汲极区，其中虚设源极区和汲极区具有第二导电型，且第二导电型与第一导电型相反，以及实施第二掺杂制程，将虚设源极区转换成源极区，其中源极区具有第一导电型。