发明专利
- 专利标题： 用於奈米線的選擇性蝕刻
- 专利标题（英）： SELECTIVELY ETCHING FOR NANOWIRES
- 专利标题（中）： 用于奈米线的选择性蚀刻
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申请号： TW108125771申请日： 2019-07-22
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公开(公告)号： TW202018809A公开(公告)日： 2020-05-16
- 发明人: 彼特 丹尼爾 , PETER, DANIEL , 薛 君 , XUE, JUN , 陳 暹華 , TAN, SAMANTHA SIAMHWA , 潘 陽 , PAN, YANG , 李 英姬 , LEE, YOUNGHEE
- 申请人： 美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
- 专利权人： 美商蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人： 美商蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
- 代理商 許峻榮
- 优先权： 62/701,314 20180720
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/324
摘要：
本發明提供一種在堆疊體中相對於矽而選擇性地蝕刻矽鍺的方法，該堆疊體係位在一蝕刻腔室中的一卡盤上。將該卡盤維持在低於15℃的溫度。將該堆疊體曝露至包含一含氟氣體的一蝕刻氣體，以相對於矽而選擇性地蝕刻矽鍺。
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