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    半導體裝置製造中之氧化錫膜
    2.
    发明专利
    半導體裝置製造中之氧化錫膜 审中-公开
    半导体设备制造中之氧化锡膜

    公开(公告)号：TW201842573A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107105182

    申请日：2018-02-13

    申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 游 正義 ,  YU, JENGYI ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  姜 瑜 ,  JIANG, YU ,  吳 惠榮 ,  WU, HUI-JUNG ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  潘 陽 ,  PAN, YANG ,  莎瑪 納德 ,  SHAMMA, NADER ,  佛洛斯基 博里斯 ,  VOLOSSKIY, BORIS

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/8258

    摘要： 錫氧化物膜係用作半導體元件製造中的間隔件及硬遮罩。在一方法中，錫氧化物層係保形地形成於基板上之凸起特徵部的側壁及水平表面上方。然後，鈍化層係形成於側壁上之錫氧化物上方，以及然後從凸起特徵部的水平表面移除錫氧化物，而不移除凸起特徵部之側壁處的錫氧化物。然後，移除凸起特徵部的材料，同時留下位於凸起特徵部之側壁處的錫氧化物，從而形成錫氧化物間隔件。基於氫及基於氯的乾式蝕刻化學成分係用以於存在諸多材料的情況下，選擇性地蝕刻錫氧化物。在另一方法中，圖案化錫氧化物硬遮罩層係藉由在未經圖案化之錫氧化物上方形成圖案化層、並且將圖案轉移至錫氧化物而形成於基板上。

    简体摘要： 锡氧化物膜系用作半导体组件制造中的间隔件及硬遮罩。在一方法中，锡氧化物层系保形地形成于基板上之凸起特征部的侧壁及水平表面上方。然后，钝化层系形成于侧壁上之锡氧化物上方，以及然后从凸起特征部的水平表面移除锡氧化物，而不移除凸起特征部之侧壁处的锡氧化物。然后，移除凸起特征部的材料，同时留下位于凸起特征部之侧壁处的锡氧化物，从而形成锡氧化物间隔件。基于氢及基于氯的干式蚀刻化学成分系用以于存在诸多材料的情况下，选择性地蚀刻锡氧化物。在另一方法中，图案化锡氧化物硬遮罩层系借由在未经图案化之锡氧化物上方形成图案化层、并且将图案转移至锡氧化物而形成于基板上。

    圖案化結構上之方向性沉積
    6.
    发明专利
    圖案化結構上之方向性沉積 审中-公开
    图案化结构上之方向性沉积

    公开(公告)号：TW201732873A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW105141672

    申请日：2016-12-16

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 卡本斯基 亞歷山大 ,  KABANSKY, ALEXANDER ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  馬克思 傑弗瑞 ,  MARKS, JEFFREY ,  潘 陽 ,  PAN, YANG

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32055

    摘要： 本文中提供透過在圖案化結構上執行高度非保形性(方向性)沉積而促進圖案化的方法及相關的設備。方法包括在圖案化結構(例如硬遮罩)上沉積薄膜。沉積可包括基板選擇性(使得薄膜相對於下方的待蝕刻材料具有高蝕刻選擇性)及圖案選擇性(使得薄膜被方向性沉積而重製圖案化結構之圖案)兩者。在一些實施例中，沉積係在與隨後執行蝕刻時相同的腔室中執行。在一些實施例中，沉積係在透過真空傳送腔室而連接到蝕刻腔室的分開的腔室(例如PECVD沉積腔室)中執行。在蝕刻處理期間，可在所選間歇時或在所選間歇之前執行沉積。在一些實施例中，沉積包括沉積與處理操作的複數循環。

    简体摘要： 本文中提供透过在图案化结构上运行高度非保形性(方向性)沉积而促进图案化的方法及相关的设备。方法包括在图案化结构(例如硬遮罩)上沉积薄膜。沉积可包括基板选择性(使得薄膜相对于下方的待蚀刻材料具有高蚀刻选择性)及图案选择性(使得薄膜被方向性沉积而重制图案化结构之图案)两者。在一些实施例中，沉积系在与随后运行蚀刻时相同的腔室中运行。在一些实施例中，沉积系在透过真空发送腔室而连接到蚀刻腔室的分开的腔室(例如PECVD沉积腔室)中运行。在蚀刻处理期间，可在所选间歇时或在所选间歇之前运行沉积。在一些实施例中，沉积包括沉积与处理操作的复数循环。

    使用含硫遮罩之矽化鍺、鍺及三五族材料的選擇性自對準圖案化
    8.
    发明专利
    使用含硫遮罩之矽化鍺、鍺及三五族材料的選擇性自對準圖案化 审中-公开
    使用含硫遮罩之硅化锗、锗及三五族材料的选择性自对准图案化

    公开(公告)号：TW201801137A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW106110237

    申请日：2017-03-28

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 彼特 丹尼爾 ,  PETER, DANIEL ,  陳 暹華 ,  TAN, SAMANTHA ,  阿爾加瓦尼 瑞加 ,  ARGHAVANI, REZA ,  潘 陽 ,  PAN, YANG

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111

    摘要： 一種使用硫基遮罩使包含複數層之基板圖案化的方法包含提供一基板，該基板包含第一層、及配置在第一層上的第二層。第一層包含選自由鍺、矽化鍺及三五族材料組成之群組的材料。該方法包含藉由使基板暴露至第一濕式化學，在第一層及第二層之側壁上沉積包含硫物種的遮罩層。該方法包含藉由使基板暴露至第二濕式化學，移除第二層之側壁上的遮罩層，而不完全移除第一層之側壁上的遮罩層。該方法包含藉由使基板暴露至第三濕式化學，相對第一層及第一層之側壁上的遮罩層，選擇性地蝕刻第二層。

    简体摘要： 一种使用硫基遮罩使包含复数层之基板图案化的方法包含提供一基板，该基板包含第一层、及配置在第一层上的第二层。第一层包含选自由锗、硅化锗及三五族材料组成之群组的材料。该方法包含借由使基板暴露至第一湿式化学，在第一层及第二层之侧壁上沉积包含硫物种的遮罩层。该方法包含借由使基板暴露至第二湿式化学，移除第二层之侧壁上的遮罩层，而不完全移除第一层之侧壁上的遮罩层。该方法包含借由使基板暴露至第三湿式化学，相对第一层及第一层之侧壁上的遮罩层，选择性地蚀刻第二层。