发明专利
TWI293506B 單層複晶矽非揮發性記憶體 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY
有权
单层复晶硅非挥发性内存 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY
- 专利标题： 單層複晶矽非揮發性記憶體 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY
- 专利标题（英）： Single poly non-volatile memory
- 专利标题（中）： 单层复晶硅非挥发性内存 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY
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申请号： TW094108028申请日： 2005-03-16
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公开(公告)号： TWI293506B公开(公告)日： 2008-02-11
- 发明人: 陳信銘 CHEN, HSIN MING , 王世辰 WANG, SHIH CHEN , 蔡宏平 TSAI, HONG PING
- 申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.
- 申请人地址： 新竹市科學工業園區力行一路12號3樓
- 专利权人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人地址： 新竹市科學工業園區力行一路12號3樓
- 代理商 許鍾迪
- 优先权： 美國 60/521,916 20040720
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明提供一種新型非揮發性記憶體單元，包含有一第一選擇電晶體，包括選擇閘極、汲極、源極，以及介於汲極與源極之間的第一通道區域，其中一源極線電連接該第一選擇電晶體的該源極；一第一浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第一選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第一浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第二通道區域，以及設於該第二通道區域上的浮置閘極；一第二選擇電晶體，包括前述的選擇閘極、汲極、源極，以及介於該第二選擇電晶體的汲極與源極之間的第三通道區域，其中該第二選擇電晶體的源極同樣電連接至前述的源極線；以及一第二浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第二選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第二浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第四通道區域，以及前述的浮置閘極，設於該第四通道區域上。
公开/授权文献
- TW200605334A 單層複晶矽非揮發性記憶體 SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY 公开/授权日：2006-02-01
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