公开(公告)号：TW200921888A

公开(公告)日：2009-05-16

申请号：TW096141542

申请日：2007-11-02

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 黃紹璋 HUANG, SHAO CHANG ,  沈俊吉 SHEN, CHIUN CHI ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L

摘要： 當一晶片之一連接墊發生靜電放電事件時,利用設置於一反饋回路之一靜電放電偵測器偵測靜電放電電壓,並產生一控制訊號,根據控制訊號關閉開關電晶體之導通狀態,用以隔絕靜電放電電壓,避免晶片內部電路受靜電放電電壓的損害。此外,利用隔絕靜電放電方式保護晶片內部電路的電路設計,可相容於可程式電路,使連接墊可饋入燒錄訊號或邏輯訊號。

简体摘要： 当一芯片之一连接垫发生静电放电事件时,利用设置于一反馈回路之一静电放电侦测器侦测静电放电电压,并产生一控制信号,根据控制信号关闭开关晶体管之导通状态,用以隔绝静电放电电压,避免芯片内部电路受静电放电电压的损害。此外,利用隔绝静电放电方式保护芯片内部电路的电路设计,可兼容于可进程电路,使连接垫可馈入刻录信号或逻辑信号。

公开(公告)号：TW200840016A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW096110714

申请日：2007-03-28

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 黃紹璋 HUANG, SHAO CHANG ,  陳科宏 CHEN, KE HONG ,  林慶源 LIN, CHING YUAN ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L

摘要： 在此提出一種靜電放電防護裝置。此靜電放電防護裝置包括第一金氧半電晶體、偵測模組、以及栓制電壓模組。第一金氧半電晶體之第一、第二源/汲極分別耦接第一、第二導電路徑,用以在靜電放電防護模式下傳導靜電流於第一導電路徑與第二導電路徑之間。偵測模組耦接第一導電路徑與第二導電路徑之間,用以在靜電放電防護模式下提供偏壓至第一金氧半電晶體之閘極,使第一金氧半電晶體導通。栓制電壓模組用以在非靜電放電防護模式下栓制第一金氧半電晶體之閘極電壓,使第一金氧半電晶體不導通。

简体摘要： 在此提出一种静电放电防护设备。此静电放电防护设备包括第一金氧半晶体管、侦测模块、以及栓制电压模块。第一金氧半晶体管之第一、第二源/汲极分别耦接第一、第二导电路径,用以在静电放电防护模式下传导静电流于第一导电路径与第二导电路径之间。侦测模块耦接第一导电路径与第二导电路径之间,用以在静电放电防护模式下提供偏压至第一金氧半晶体管之闸极,使第一金氧半晶体管导通。栓制电压模块用以在非静电放电防护模式下栓制第一金氧半晶体管之闸极电压,使第一金氧半晶体管不导通。

公开(公告)号：TW200931627A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097100042

申请日：2008-01-02

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 黃紹璋 HUANG, SHAO CHANG ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H02H9/046

摘要： 一種靜電放電迴避電路包括第一靜電放電防護單元、靜電放電偵測單元、開關單元及RC濾波單元。第一靜電放電防護單元傳導靜電放電電流於第一與第二導電路徑之間。靜電放電偵測單元耦接第一導電路徑,且具有一輸入端及耦接第一靜電放電防護單元之輸出端,用以偵測靜電放電是否發生,並據以控制第一靜電放電防護單元。開關單元耦接第一導電路徑與核心電路之間,依據靜電放電偵測單元之輸入端及輸出端之信號,決定是否使第一導電路徑導通至核心電路。RC濾波單元耦接第二與第三導電路徑之間,用以將第一電壓耦合至靜電放電偵測單元之輸入端。

简体摘要： 一种静电放电回避电路包括第一静电放电防护单元、静电放电侦测单元、开关单元及RC滤波单元。第一静电放电防护单元传导静电放电电流于第一与第二导电路径之间。静电放电侦测单元耦接第一导电路径,且具有一输入端及耦接第一静电放电防护单元之输出端,用以侦测静电放电是否发生,并据以控制第一静电放电防护单元。开关单元耦接第一导电路径与内核电路之间,依据静电放电侦测单元之输入端及输出端之信号,决定是否使第一导电路径导通至内核电路。RC滤波单元耦接第二与第三导电路径之间,用以将第一电压耦合至静电放电侦测单元之输入端。

公开(公告)号：TW200908496A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW096128674

申请日：2007-08-03

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 黃紹璋 HUANG, SHAO CHANG ,  陳科宏 CHEN, KE HONG ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H02H

CPC分类号： H02H9/046 ,  H02H3/05

摘要： 一種靜電放電迴避電路。包括一靜電放電偵測單元及一開關單元。該靜電放電偵測電路被耦接在第一導電路徑上,用來偵測靜電放電發生與否。該開關單元被耦接於第一導電路徑與核心電路間,根據靜電放電偵測電路偵測的結果來決定是否使第一導電路徑和核心電路間導通。本發明可避免在靜電放電發生時,該放電電流流向核心電路,且當靜電放電沒有發生的時候,可提供核心電路正常的信號及電壓,使其運作。

简体摘要： 一种静电放电回避电路。包括一静电放电侦测单元及一开关单元。该静电放电侦测电路被耦接在第一导电路径上,用来侦测静电放电发生与否。该开关单元被耦接于第一导电路径与内核电路间,根据静电放电侦测电路侦测的结果来决定是否使第一导电路径和内核电路间导通。本发明可避免在静电放电发生时,该放电电流流向内核电路,且当静电放电没有发生的时候,可提供内核电路正常的信号及电压,使其运作。

公开(公告)号：TWI293506B

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：TW094108028

申请日：2005-03-16

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  王世辰 WANG, SHIH CHEN ,  蔡宏平 TSAI, HONG PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G11C16/0441 ,  H01L27/115

摘要： 本發明提供一種新型非揮發性記憶體單元，包含有一第一選擇電晶體，包括選擇閘極、汲極、源極，以及介於汲極與源極之間的第一通道區域，其中一源極線電連接該第一選擇電晶體的該源極；一第一浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第一選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第一浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第二通道區域，以及設於該第二通道區域上的浮置閘極；一第二選擇電晶體，包括前述的選擇閘極、汲極、源極，以及介於該第二選擇電晶體的汲極與源極之間的第三通道區域，其中該第二選擇電晶體的源極同樣電連接至前述的源極線；以及一第二浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第二選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第二浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第四通道區域，以及前述的浮置閘極，設於該第四通道區域上。

简体摘要： 本发明提供一种新型非挥发性内存单元，包含有一第一选择晶体管，包括选择闸极、汲极、源极，以及介于汲极与源极之间的第一信道区域，其中一源极线电连接该第一选择晶体管的该源极；一第一浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第一选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第一浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第二信道区域，以及设于该第二信道区域上的浮置闸极；一第二选择晶体管，包括前述的选择闸极、汲极、源极，以及介于该第二选择晶体管的汲极与源极之间的第三信道区域，其中该第二选择晶体管的源极同样电连接至前述的源极线；以及一第二浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第二选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第二浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第四信道区域，以及前述的浮置闸极，设于该第四信道区域上。

公开(公告)号：TW200807694A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096100080

申请日：2007-01-02

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 林崇榮 LIN, CHRONG JUNG ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  金雅琴 KING, YA CHIN

IPC分类号： H01L

摘要： 一種單次可程式化記憶胞,包括閘極、閘介電層、源極區與汲極區、電容介電層、導電插塞。閘介電層設置於基底上。閘極設置於閘介電層上。源極區與汲極區分別設置於閘極兩側的基底中。電容介電層設置於源極區上,且電容介電層為一抵抗保護性之氧化層(RPO,Resistive Protection Oxide)或自行對準金屬矽化物阻擋層(SAB,Self-Aligned Silicide Block)。導電插塞設置於電容介電層上,其中導電插塞作為電容器的第一電極,源極區作為電容器的第二電極。此單次可程式化記憶胞可藉由使電容介電層崩潰來進行程式化。

简体摘要： 一种单次可进程化记忆胞,包括闸极、闸介电层、源极区与汲极区、电容介电层、导电插塞。闸介电层设置于基底上。闸极设置于闸介电层上。源极区与汲极区分别设置于闸极两侧的基底中。电容介电层设置于源极区上,且电容介电层为一抵抗保护性之氧化层(RPO,Resistive Protection Oxide)或自行对准金属硅化物阻挡层(SAB,Self-Aligned Silicide Block)。导电插塞设置于电容介电层上,其中导电插塞作为电容器的第一电极,源极区作为电容器的第二电极。此单次可进程化记忆胞可借由使电容介电层崩溃来进行进程化。

公开(公告)号：TWI292622B

公开(公告)日：2008-01-11

申请号：TW095100665

申请日：2006-01-06

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 林崇榮 LIN, CHRONG JUNG ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  沈士傑 SHEN, SHIH JYE ,  金雅琴 KING, YA CHIN ,  徐清祥 HSU, CHING HSIANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7923

摘要： 本發明提供單層複晶矽P通道非揮發性記憶體的操作方法，該單層複晶矽P通道非揮發性記憶體包含有一N型井；一閘極，設於該N型井上；一閘極介電層，介於該閘極與該N型井之間；一 ONO側壁子，設於該閘極之一側壁上，其中該ONO側壁子包含有一第一矽氧層，設於該側壁上，並延伸至該N型井上，以及一氮化矽層，用來作為一電荷捕陷層，設於該第一矽氧層上；一P+汲極摻雜區，設於該ONO側壁子一側的該N型井中，使其N型摻雜區與P型摻雜區交界在該ONO側壁子下方；及一P+源極摻雜區，相對於該P+汲極摻雜區，設於該ONO側壁子另一側的該N型井中。

简体摘要： 本发明提供单层复晶硅P信道非挥发性内存的操作方法，该单层复晶硅P信道非挥发性内存包含有一N型井；一闸极，设于该N型井上；一闸极介电层，介于该闸极与该N型井之间；一 ONO侧壁子，设于该闸极之一侧壁上，其中该ONO侧壁子包含有一第一硅氧层，设于该侧壁上，并延伸至该N型井上，以及一氮化硅层，用来作为一电荷捕陷层，设于该第一硅氧层上；一P+汲极掺杂区，设于该ONO侧壁子一侧的该N型井中，使其N型掺杂区与P型掺杂区交界在该ONO侧壁子下方；及一P+源极掺杂区，相对于该P+汲极掺杂区，设于该ONO侧壁子另一侧的该N型井中。

公开(公告)号：TWI228800B

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW092131056

申请日：2003-11-06

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 徐清祥 HSU, CHING HSIANG ,  沈士傑 SHEN, SHIH JYE ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  李海明 LEE, HAI MING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/11568 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7923

摘要： 一種記憶單元，其包含一N型井、三P型摻雜區、一第一堆疊介電層、一第一閘極、一第二堆疊介電層以及一第二閘極。其中，該三P型摻雜區形成於該N型井上，該第一堆疊介電層形成於該N型井上以及該三P型摻雜區中之第一與第二摻雜區之間，該第一閘極形成於該第一堆疊介電層上，該第二堆疊介電層形成於該N型井上以及該三 P型摻雜區中之第二與第三摻雜區之間，該第二閘極形成於該第二堆疊介電層上。

简体摘要： 一种记忆单元，其包含一N型井、三P型掺杂区、一第一堆栈介电层、一第一闸极、一第二堆栈介电层以及一第二闸极。其中，该三P型掺杂区形成于该N型井上，该第一堆栈介电层形成于该N型井上以及该三P型掺杂区中之第一与第二掺杂区之间，该第一闸极形成于该第一堆栈介电层上，该第二堆栈介电层形成于该N型井上以及该三 P型掺杂区中之第二与第三掺杂区之间，该第二闸极形成于该第二堆栈介电层上。

公开(公告)号：TW200807725A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096110328

申请日：2007-03-26

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 林崇榮 LIN, CHRONG JUNG ,  陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  金雅琴 KING, YA CHIN

IPC分类号： H01L

摘要： 一種非揮發性記憶體,具備有隔離結構、浮置閘電晶體、特定介電層及抹除閘極。隔離結構設置於基底中,以定義出主動區。浮置閘電晶體設置於基底上,浮置閘電晶體具有浮置閘極、穿隧介電層、第一源極/汲極區與第二源極/汲極區。浮置閘極設置於基底上,並橫跨主動區。穿隧介電層設置於浮置閘極與基底之間。第一源極/汲極區與第二源極/汲極區分別設置於浮置閘極兩側的基底中。特定介電層作為設置於浮置閘極上之閘間介電層。抹除閘極為設置於特定介電層上的導電插塞。

简体摘要： 一种非挥发性内存,具备有隔离结构、浮置闸晶体管、特定介电层及抹除闸极。隔离结构设置于基底中,以定义出主动区。浮置闸晶体管设置于基底上,浮置闸晶体管具有浮置闸极、穿隧介电层、第一源极/汲极区与第二源极/汲极区。浮置闸极设置于基底上,并横跨主动区。穿隧介电层设置于浮置闸极与基底之间。第一源极/汲极区与第二源极/汲极区分别设置于浮置闸极两侧的基底中。特定介电层作为设置于浮置闸极上之闸间介电层。抹除闸极为设置于特定介电层上的导电插塞。

公开(公告)号：TW200709348A

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：TW094127917

申请日：2005-08-16

申请人： 力旺電子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 陳信銘 CHEN, HSIN MING ,  李海明 LEE, HAI MING ,  沈士傑 SHEN, SHIH JYE ,  徐清祥 HSU, CHING HSIANG

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明製作嵌入式非揮發性記憶體的方法,先形成溝渠絕緣層,於週邊電路區域區隔出第一主動區域及第二主動區域;形成ONO堆疊層;去除週邊電路區域上的ONO堆疊層;於第一主動區域與第二主動區域形成第一閘極氧化層及第二閘極氧化層;於第一閘極氧化層上形成第一閘極,於第二閘極氧化層上形成第二閘極,於記憶體陣列區域內的ONO堆疊層上形成第三閘極;於半導體基底上形成光阻遮罩,遮蔽週邊電路區域,暴露出記憶體陣列區域,去除記憶體陣列區域未被第三閘極覆蓋的ONO堆疊層;以光阻遮罩作為離子佈植遮罩,摻雜記憶體陣列區域,於第三閘極兩側形成記憶體元件輕摻雜區域。

简体摘要： 本发明制作嵌入式非挥发性内存的方法,先形成沟渠绝缘层,于周边电路区域区隔出第一主动区域及第二主动区域;形成ONO堆栈层;去除周边电路区域上的ONO堆栈层;于第一主动区域与第二主动区域形成第一闸极氧化层及第二闸极氧化层;于第一闸极氧化层上形成第一闸极,于第二闸极氧化层上形成第二闸极,于内存数组区域内的ONO堆栈层上形成第三闸极;于半导体基底上形成光阻遮罩,屏蔽周边电路区域,暴露出内存数组区域,去除内存数组区域未被第三闸极覆盖的ONO堆栈层;以光阻遮罩作为离子布植遮罩,掺杂内存数组区域,于第三闸极两侧形成内存组件轻掺杂区域。