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公开(公告)号：TW595099B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092128997
申请日：2003-10-20
IPC分类号： H03K
摘要： 本發明係提供一種電源供應電壓選擇開關電路，用來依據一第一控制訊號選擇一積體電路之電源供應電壓，該電源供應電壓選擇開關電路包含有一高電位選擇模組，用來依據一第一電壓及一第二電壓之中較高者產生一輸出電壓；一位準偏移模組，電連接於該高電位選擇模組以輸入該輸出電壓作為其電源供應，用來依據該輸出電壓對一第一控制訊號進行位準偏移；以及一選擇開關模組，電連接於該位準偏移模組，用來依據該位準偏移後之第一控制訊號選擇性地輸出該第一電壓或該第二電壓以作為該積體電路之電源供應電壓。
简体摘要： 本发明系提供一种电源供应电压选择开关电路，用来依据一第一控制信号选择一集成电路之电源供应电压，该电源供应电压选择开关电路包含有一高电位选择模块，用来依据一第一电压及一第二电压之中较高者产生一输出电压；一位准偏移模块，电连接于该高电位选择模块以输入该输出电压作为其电源供应，用来依据该输出电压对一第一控制信号进行位准偏移；以及一选择开关模块，电连接于该位准偏移模块，用来依据该位准偏移后之第一控制信号选择性地输出该第一电压或该第二电压以作为该集成电路之电源供应电压。
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公开(公告)号：TWI263227B
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094131439
申请日：2005-09-13
IPC分类号： G11C
摘要： 一種感測放大器，具有程式化記憶體單元電流感測電路、抹除記憶體單元電流感測電路和拴鎖電路。而程式化記憶體單元電流感測電路和抹除記憶體單元電流感測電路同時還具有程式化/抹除記憶體單元、第一、第二和第三 NMOS電晶體，並且還具有第四PMOS電晶體。其中，第一NMOS電晶體的其中一個源/汲極端，耦接至程式化/抹除記憶體單元和第三NMOS電晶體的閘極端，而形成一節點。第三NMOS電晶體的其中一個源/汲極端則耦接拴鎖電路的輸入/輸出端。當程式化/抹除記憶體單元輸出程式化或抹除電流至第一電晶體時，會在節點上累積電荷，當電荷累積的數量能夠克服第三NMOS電晶體的臨界電壓時，才能夠驅動拴鎖電路。
简体摘要： 一种传感放大器，具有进程化内存单元电流传感电路、抹除内存单元电流传感电路和拴锁电路。而进程化内存单元电流传感电路和抹除内存单元电流传感电路同时还具有进程化/抹除内存单元、第一、第二和第三 NMOS晶体管，并且还具有第四PMOS晶体管。其中，第一NMOS晶体管的其中一个源/汲极端，耦接至进程化/抹除内存单元和第三NMOS晶体管的闸极端，而形成一节点。第三NMOS晶体管的其中一个源/汲极端则耦接拴锁电路的输入/输出端。当进程化/抹除内存单元输出进程化或抹除电流至第一晶体管时，会在节点上累积电荷，当电荷累积的数量能够克服第三NMOS晶体管的临界电压时，才能够驱动拴锁电路。
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公开(公告)号：TWI293506B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW094108028
申请日：2005-03-16
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C16/0441 , H01L27/115
摘要： 本發明提供一種新型非揮發性記憶體單元，包含有一第一選擇電晶體，包括選擇閘極、汲極、源極，以及介於汲極與源極之間的第一通道區域，其中一源極線電連接該第一選擇電晶體的該源極；一第一浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第一選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第一浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第二通道區域，以及設於該第二通道區域上的浮置閘極；一第二選擇電晶體，包括前述的選擇閘極、汲極、源極，以及介於該第二選擇電晶體的汲極與源極之間的第三通道區域，其中該第二選擇電晶體的源極同樣電連接至前述的源極線；以及一第二浮置閘極電晶體，包括汲極、與前述的第二選擇電晶體的汲極耦合連結的源極、介於該第二浮置閘極電晶體的汲極與源極之間的第四通道區域，以及前述的浮置閘極，設於該第四通道區域上。
简体摘要： 本发明提供一种新型非挥发性内存单元，包含有一第一选择晶体管，包括选择闸极、汲极、源极，以及介于汲极与源极之间的第一信道区域，其中一源极线电连接该第一选择晶体管的该源极；一第一浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第一选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第一浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第二信道区域，以及设于该第二信道区域上的浮置闸极；一第二选择晶体管，包括前述的选择闸极、汲极、源极，以及介于该第二选择晶体管的汲极与源极之间的第三信道区域，其中该第二选择晶体管的源极同样电连接至前述的源极线；以及一第二浮置闸极晶体管，包括汲极、与前述的第二选择晶体管的汲极耦合链接的源极、介于该第二浮置闸极晶体管的汲极与源极之间的第四信道区域，以及前述的浮置闸极，设于该第四信道区域上。
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4.发明专利具電流鏡架構之感測放大電路 SENSE AMPLIFIER CIRCUIT HAVING CURRENT MIRROR ARCHITECTURE 审中-公开具电流镜架构之传感放大电路 SENSE AMPLIFIER CIRCUIT HAVING CURRENT MIRROR ARCHITECTURE
公开(公告)号：TW200937439A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106608
申请日：2008-02-26
IPC分类号： G11C
摘要： 一種用於半導體記憶裝置之感測放大電路,當感測放大電路工作時,感測放大電路所包含的閂鎖電路之二端可在任何時間提供明確的互補邏輯狀態輸出。此感測放大電路係利用一電流鏡電路對一電晶體之閘極端產生電荷累積效應或電荷散逸效應,用以提昇或降低閘極電壓,因而控制此電晶體的導通或截止狀態,藉以控制感測放大電路的閂鎖電路之二端的邏輯狀態。
简体摘要： 一种用于半导体记忆设备之传感放大电路,当传感放大电路工作时,传感放大电路所包含的闩锁电路之二端可在任何时间提供明确的互补逻辑状态输出。此传感放大电路系利用一电流镜电路对一晶体管之闸极端产生电荷累积效应或电荷散逸效应,用以提升或降低闸极电压,因而控制此晶体管的导通或截止状态,借以控制传感放大电路的闩锁电路之二端的逻辑状态。
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