積體電路結構與其形成方法

发明专利

TWI420590B 積體電路結構與其形成方法有权

简体标题：集成电路结构与其形成方法

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专利标题： 積體電路結構與其形成方法
专利标题（英）： Integrated circuit structure and method of manufacturing the same
专利标题（中）： 集成电路结构与其形成方法
申请号： TW099109037

申请日： 2010-03-26
公开(公告)号： TWI420590B

公开(公告)日： 2013-12-21
发明人: 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 余振華 , YU, CHEN HUA
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
申请人地址： 新竹市
专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人地址： 新竹市
代理商 洪澄文; 顏錦順
优先权： 61/164,069 20090327;12/722,949 20100312
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L23/52

公开/授权文献

TW201041035A 積體電路結構 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE 公开/授权日：2010-11-16

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀