半導體裝置之製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号:TW201630117A

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:TW104126338

    申请日:2015-08-13

    IPC分类号: H01L21/78 H01L21/302

    摘要: 本揭露係關於一種半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法包括形成一第一開口於一第一半導體晶圓中,第一開口位於一第一半導體晶粒與一第二半導體晶粒之間,第一開口具有一第一寬度平行於第一半導體晶圓的一主要表面。切割第一半導體晶圓以形成一第二開口,其中第一開口以及第二開口將第一半導體晶粒與第二半導體晶粒分離,第二開口具有一第二寬度平行於第一半導體晶圓的主要表面且小於第一寬度。薄化第一半導體晶粒直到第一半導體晶粒具有一筆直的側壁。

    简体摘要: 本揭露系关于一种半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法包括形成一第一开口于一第一半导体晶圆中,第一开口位于一第一半导体晶粒与一第二半导体晶粒之间,第一开口具有一第一宽度平行于第一半导体晶圆的一主要表面。切割第一半导体晶圆以形成一第二开口,其中第一开口以及第二开口将第一半导体晶粒与第二半导体晶粒分离,第二开口具有一第二宽度平行于第一半导体晶圆的主要表面且小于第一宽度。薄化第一半导体晶粒直到第一半导体晶粒具有一笔直的侧壁。