公开(公告)号：TW202030849A

公开(公告)日：2020-08-16

申请号：TW108104238

申请日：2019-02-01

申请人： 力士科技股份有限公司 ,  FORCE MOS TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 涂高維 ,  TU, KAO-WAY ,  張淵舜 ,  CHANG, YUAN-SHUN

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/52

摘要： 一種金氧半導體元件，包括一重摻雜基板、一磊晶層、一開口、複數個金氧半導體單元與一金屬圖案層。磊晶層係形成於重摻雜基板上。開口係定義於磊晶層內，以裸露重摻雜基板。這些金氧半導體單元係形成於磊晶層上。金屬圖案層包括一源極金屬圖案、一閘極金屬圖案與一汲極金屬圖案。其中，源極金屬圖案與閘極金屬圖案係位於磊晶層上。汲極金屬圖案係填入前述開口，並由重摻雜基板向上延伸突出磊晶層。

简体摘要： 一种金属氧化物半导体组件，包括一重掺杂基板、一磊晶层、一开口、复数个金属氧化物半导体单元与一金属图案层。磊晶层系形成于重掺杂基板上。开口系定义于磊晶层内，以裸露重掺杂基板。这些金属氧化物半导体单元系形成于磊晶层上。金属图案层包括一源极金属图案、一闸极金属图案与一汲极金属图案。其中，源极金属图案与闸极金属图案系位于磊晶层上。汲极金属图案系填入前述开口，并由重掺杂基板向上延伸突出磊晶层。

公开(公告)号：TW202027244A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108140589

申请日：2009-09-24

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  梅崎敦司 ,  UMEZAKI, ATSUSHI

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  G09G3/20

摘要： 像素部以及驅動像素部的驅動電路形成在同一基板上。驅動電路的至少一部分的電路使用反交錯型薄膜電晶體而形成，在該反交錯型薄膜電晶體中使用氧化物半導體，且在重疊於閘極電極層的成為通道形成區的氧化物半導體層上設置有通道保護層。藉由在同一基板上除了像素部以外還設置驅動電路，可以減少製造成本。

简体摘要： 像素部以及驱动像素部的驱动电路形成在同一基板上。驱动电路的至少一部分的电路使用反交错型薄膜晶体管而形成，在该反交错型薄膜晶体管中使用氧化物半导体，且在重叠于闸极电极层的成为信道形成区的氧化物半导体层上设置有信道保护层。借由在同一基板上除了像素部以外还设置驱动电路，可以减少制造成本。

公开(公告)号：TWI698711B

公开(公告)日：2020-07-11

申请号：TW104136970

申请日：2015-11-09

申请人： 日商大日本印刷股份有限公司 ,  DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. ,  日商三洋化成工業股份有限公司 ,  SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

发明人： 千吉良敦子 ,  CHIGIRA, ATSUKO ,  俵屋誠治 ,  TAWARAYA, SEIJI ,  酒井優 ,  SAKAI, YUU

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/032 ,  G03F7/031 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  G02B3/14 ,  H05K3/46 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI695381B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW108101916

申请日：2019-01-18

申请人： 日商東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

发明人： 福島崇 ,  FUKUSHIMA, TAKASHI ,  藤田淳也 ,  FUJITA, JUNYA ,  南雲俊治 ,  NAGUMO, TOSHIHARU

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/24 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI694568B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW108105446

申请日：2009-09-15

申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI,SHUNPEI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO,KENGO ,  小森茂樹 ,  KOMORI,SHIGEKI ,  魚地秀貴 ,  UOCHI,HIDEKI ,  和田理人 ,  WADA,RIHITO ,  千葉陽子 ,  CHIBA,YOKO

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI694557B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW102110736

申请日：2013-03-26

申请人： 先進封裝技術私人有限公司 ,  ADVANPACK SOLUTIONS PRIVATE LIMITED

发明人： 林少雄 ,  LIM, SHOA-SIONG RAYMOND ,  周輝星 ,  CHEW, HWEE-SENG JIMMY

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI694502B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW108109544

申请日：2019-03-20

申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

发明人： 朱彥瑞 ,  CHU, YEN-JUI ,  吳金能 ,  WU, JIN-NENG ,  林俊宏 ,  LIN, CHUN-HUNG ,  周信宏 ,  CHOU, HSIN-HUNG

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI694491B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW108110087

申请日：2019-03-22

申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 蘇國輝 ,  SU, KUO-HUI

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI693646B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW105112433

申请日：2016-04-21

申请人： 美商英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  梅耶爾 特羅斯登 ,  MEYER, THORSTEN ,  克諾柏林格 格哈德 ,  KNOBLINGER, GERHARD

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

公开(公告)号：TWI692849B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：TW102116259

申请日：2013-05-07

申请人： 美商艾肯科技股份有限公司

发明人： 哈洛生W A ,  HARRISON, W. A. ,  克林夫頓保羅A ,  CLIFTON, PAUL A. ,  喬貝安瑞絲 ,  GOEBEL, ANDREAS ,  吉英斯R 史塔克 ,  GAINES, R. STOCKTON

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205