使用氧化物填充溝槽之雙氧化物溝槽閘極功率MOSFET

发明专利

TWI538063B 使用氧化物填充溝槽之雙氧化物溝槽閘極功率MOSFET 有权

简体标题：使用氧化物填充沟槽之双氧化物沟槽闸极功率MOSFET

专利标题： 使用氧化物填充溝槽之雙氧化物溝槽閘極功率MOSFET
专利标题（英）： Dual oxide trench gate power mosfet using oxide filled trench
专利标题（中）： 使用氧化物填充沟槽之双氧化物沟槽闸极功率MOSFET
申请号： TW103144875

申请日： 2014-12-22
公开(公告)号： TWI538063B

公开(公告)日： 2016-06-11
发明人: 高立德 , CALAFUT, DANIEL , 博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 李亦衡 , LEE, YEEHENG , 常虹 , CHANG, HONG
申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
代理商 楊長峯; 李國光; 張仲謙
优先权： 14/138,103 20131222
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336

公开/授权文献

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的