发明专利
- 专利标题： 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法
- 专利标题（英）： Self aligned trench mosfet with integrated diode and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
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申请号： TW103104653申请日： 2011-10-26
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公开(公告)号： TWI538224B公开(公告)日： 2016-06-11
- 发明人: 雷 燮光 , LUI, SIK , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP
- 申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 代理商 李國光; 張仲謙
- 优先权： 12/968,179 20101214
- 主分类号： H01L29/812
- IPC分类号： H01L29/812 ; H01L21/8249
公开/授权文献
- TW201421702A 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法 公开/授权日：2014-06-01
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