公开(公告)号：TWI692870B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：TW106123949

申请日：2017-07-18

申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 林信志 ,  LIN, HSIN CHIH ,  林鑫成 ,  LIN, SHIN CHENG ,  林永豪 ,  LIN, YUNG HAO

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/02 ,  H01L27/095 ,  H01L29/812

公开(公告)号：TW202004923A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW107141543

申请日：2018-11-21

申请人： 美商達爾科技股份有限公司 ,  DIODES INCORPORATED

发明人： 黃品豪 ,  HUANG, PIN-HAO ,  張振富 ,  CHANG, CHENGFU ,  劉權德 ,  LIU, CHUANTE

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： 一種兩端子整流器包含耦合於第一端子與第二端子之間的一電力MOSFET、一本體二極體及一肖特基二極體。該兩端子整流器亦具有耦合於該第一端子與該第二端子之間的一電力管理電路、一電容器、一控制電路及一驅動器電路。該兩端子整流器可以一個兩接腳封裝來實施且可用於一電力轉換器中以進行CCM操作。

简体摘要： 一种两端子整流器包含耦合于第一端子与第二端子之间的一电力MOSFET、一本体二极管及一肖特基二极管。该两端子整流器亦具有耦合于该第一端子与该第二端子之间的一电力管理电路、一电容器、一控制电路及一驱动器电路。该两端子整流器可以一个两接脚封装来实施且可用于一电力转换器中以进行CCM操作。

公开(公告)号：TWI618256B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW103109842

申请日：2014-03-17

申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

发明人： 葛拉荷 阿爾斐德 ,  GOERLACH, ALFRED

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

公开(公告)号：TW201742118A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106104976

申请日：2017-02-16

申请人： 三墾電氣股份有限公司 ,  SANKEN ELECTRIC CO., LTD. ,  信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 鹿內洋志 ,  SHIKAUCHI, HIROSHI ,  佐藤憲 ,  SATO, KEN ,  篠宮勝 ,  SHINOMIYA, MASARU ,  土屋慶太郎 ,  TSUCHIYA, KEITARO ,  萩本和德 ,  HAGIMOTO, KAZUNORI

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 本發明為一種半導體基體，包含矽系基板、於矽系基板上將含有第一材料的氮化物系化合物半導體之第一層與含有第二材料之氮化物系化合物半導體之第二層予以反覆配置所形成之層的緩衝層及於緩衝層上含有第二材料之氮化系化合物半導體的通道層，緩衝層之第一層上的與第二層之間的至少一處有第二材料組成比例朝上漸大且第一材料組成比例朝上漸小的氮化物系化合物半導體的第一組成傾斜層、及第二層上的與該第一層之間的至少一處有第一材料組成比例朝向上漸大且第二材料組成比例朝上漸小的第二組成傾斜層，第一組成傾斜層厚於該第二組成傾斜層。

简体摘要： 本发明为一种半导体基体，包含硅系基板、于硅系基板上将含有第一材料的氮化物系化合物半导体之第一层与含有第二材料之氮化物系化合物半导体之第二层予以反复配置所形成之层的缓冲层及于缓冲层上含有第二材料之氮化系化合物半导体的信道层，缓冲层之第一层上的与第二层之间的至少一处有第二材料组成比例朝上渐大且第一材料组成比例朝上渐小的氮化物系化合物半导体的第一组成倾斜层、及第二层上的与该第一层之间的至少一处有第一材料组成比例朝向上渐大且第二材料组成比例朝上渐小的第二组成倾斜层，第一组成倾斜层厚于该第二组成倾斜层。

公开(公告)号：TWI599039B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW102145256

申请日：2013-12-10

申请人： 瓦里安半導體設備公司 ,  VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： 哈傑 筏林 艾德尼 ,  KHAJA, FAREEN ADENI ,  科倫貝亞努 班傑明 ,  COLOMBEAU, BENJAMIN

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/12 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201725734A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105137218

申请日：2016-11-15

申请人： 國立研究開發法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 梅澤仁 ,  UMEZAWA, HITOSHI ,  大曲新矢 ,  OHMAGARI, SHINYA ,  杢野由明 ,  MOKUNO, YOSHIAKI ,  德田規夫 ,  TOKUDA, NORIO ,  中西一浩 ,  NAKANISHI, KAZUHIRO ,  黑島裕貴 ,  KUROSHIMA, HIROKI ,  長井雅嗣 ,  NAGAI, MASATSUGU

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

摘要： 提供一種作為動力裝置有用之具有優異低損失且高耐壓特性之MOSFETFET、MESFET等的鑽石電子元件。 一種鑽石電子元件，其係具有鑽石積層構造；該鑽石積層構造係至少由下述依順層積而成者：由鑽石所構成的p+導電層、由鑽石所構成的p型漂移層、由鑽石所構成的高電阻層、及由鑽石所構成的p+接觸層。高電阻層係例如氮摻雜鑽石。藉由將鑽石積層構造的高電阻層之{111}面使用在電洞通道之溝渠構造，來實現MOSFET和MESFET的縱型或模擬縱型構造。

简体摘要： 提供一种作为动力设备有用之具有优异低损失且高耐压特性之MOSFETFET、MESFET等的钻石电子组件。 一种钻石电子组件，其系具有钻石积层构造；该钻石积层构造系至少由下述依顺层积而成者：由钻石所构成的p+导电层、由钻石所构成的p型漂移层、由钻石所构成的高电阻层、及由钻石所构成的p+接触层。高电阻层系例如氮掺杂钻石。借由将钻石积层构造的高电阻层之{111}面使用在电洞信道之沟渠构造，来实现MOSFET和MESFET的纵型或仿真纵型构造。

公开(公告)号：TW201631635A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104137729

申请日：2015-11-16

申请人： 三墾電氣股份有限公司 ,  SANKEN ELECTRIC CO., LTD. ,  信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 佐藤憲 ,  SATO, KEN ,  鹿內洋志 ,  SHIKAUCHI, HIROSHI ,  後藤博一 ,  GOTO, HIROKAZU ,  篠宮勝 ,  SHINOMIYA, MASARU ,  土屋慶太郎 ,  TSUCHIYA, KEITARO ,  萩本和德 ,  HAGIMOTO, KAZUNORI

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L29/778 ,  C30B25/183 ,  C30B25/22 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： 本發明提供一種磊晶晶圓，其特徵在於具有：矽系 基板；第一緩衝層，其配置於矽系基板上，並具有第一多層結構緩衝區域與第一插入層，該第一多層結構緩衝區域是由AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層交互配置而成，該第一插入層是由比AlyGa1-yN層更厚的AlzGa1-zN層所構成，其中，x>y、x>z，並且，該第一緩衝層是由第一多層結構緩衝區域與第一插入層交互配置而成；第二緩衝層，其配置於第一緩衝層上，並具有第二多層結構緩衝區域與第二插入層，該第二多層結構緩衝區域是由AlαGa1-αN層與AlβGa1-βN層交互配置而成，該第二插入層是由比AlβGa1-βN層更厚的AlγGa1-γN層所構成，其中，α>β、α>γ，並且，該第二緩衝層是由第二多層結構緩衝區域與第二插入層交互配置而成；及，通道層，其配置於第二緩衝層上，且比第二插入層更厚；並且，第二緩衝層的平均Al組成比第一緩衝層的平均Al組成更高。藉此，提供一種磊晶晶圓，其能夠降低晶圓的翹曲並抑制發生內部龜裂。

简体摘要： 本发明提供一种磊晶晶圆，其特征在于具有：硅系 基板；第一缓冲层，其配置于硅系基板上，并具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，该第一多层结构缓冲区域是由AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交互配置而成，该第一插入层是由比AlyGa1-yN层更厚的AlzGa1-zN层所构成，其中，x>y、x>z，并且，该第一缓冲层是由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，其配置于第一缓冲层上，并具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，该第二多层结构缓冲区域是由AlαGa1-αN层与AlβGa1-βN层交互配置而成，该第二插入层是由比AlβGa1-βN层更厚的AlγGa1-γN层所构成，其中，α>β、α>γ，并且，该第二缓冲层是由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；及，信道层，其配置于第二缓冲层上，且比第二插入层更厚；并且，第二缓冲层的平均Al组成比第一缓冲层的平均Al组成更高。借此，提供一种磊晶晶圆，其能够降低晶圆的翘曲并抑制发生内部龟裂。

公开(公告)号：TW201630160A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104137745

申请日：2015-11-16

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 三浦喜直 ,  MIURA, YOSHINAO ,  宮本広信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU ,  岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO

IPC分类号： H01L27/095 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L27/06 ,  H03K17/04

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之半導體裝置係抑制開關波形之瞬變。例如，設置有作為功率電晶體Q3之源極及二極體D4之陰極而發揮功能、且作為功率電晶體Q4之汲極及二極體D3之陽極而發揮功能之配線L5。亦即，將功率電晶體及與該功率電晶體串聯連接之二極體形成於同一個半導體晶片，且，將作為功率電晶體之汲極發揮功能之配線與作為二極體之陽極發揮功能之配線共有化。藉此，可降低互相串聯連接之功率電晶體與二極體之間之寄生電感。

简体摘要： 本发明之半导体设备系抑制开关波形之瞬变。例如，设置有作为功率晶体管Q3之源极及二极管D4之阴极而发挥功能、且作为功率晶体管Q4之汲极及二极管D3之阳极而发挥功能之配线L5。亦即，将功率晶体管及与该功率晶体管串联连接之二极管形成于同一个半导体芯片，且，将作为功率晶体管之汲极发挥功能之配线与作为二极管之阳极发挥功能之配线共有化。借此，可降低互相串联连接之功率晶体管与二极管之间之寄生电感。

公开(公告)号：TWI538224B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103104653

申请日：2011-10-26

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雷 燮光 ,  LUI, SIK ,  叭剌 安荷 ,  BHALLA, ANUP

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/7688 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201546911A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104102935

申请日：2015-01-29

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 三浦喜直 ,  MIURA, YOSHINAO ,  中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  井上隆 ,  INOUE, TAKASHI ,  宮本廣信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： 本發明之目的在於改善半導體裝置的特性。 本發明之半導體裝置構成為，於形成在基板S之上方的緩衝層（GaN）BU1、緩衝層（AlGaN）BU2、通道層CH及障壁層BA之中，具有： 溝槽T，貫通障壁層BA而到達至通道層CH的中途為止；閘極電極GE，隔著閘極絕緣膜GI而配置於該溝槽T內；以及源極電極SE及汲極電極DE，分別形成在閘極電極GE之兩側。而藉由到達至緩衝層BU1為止之貫通孔TH的內部之連接部VIA，將緩衝層BU1與源極電極SE電性連接。藉由在緩衝層BU1與緩衝層BU2之界面附近產生的二維電子氣體2DEG2，可使閾值上升，改善常關特性。

简体摘要： 本发明之目的在于改善半导体设备的特性。 本发明之半导体设备构成为，于形成在基板S之上方的缓冲层（GaN）BU1、缓冲层（AlGaN）BU2、信道层CH及障壁层BA之中，具有： 沟槽T，贯通障壁层BA而到达至信道层CH的中途为止；闸极电极GE，隔着闸极绝缘膜GI而配置于该沟槽T内；以及源极电极SE及汲极电极DE，分别形成在闸极电极GE之两侧。而借由到达至缓冲层BU1为止之贯通孔TH的内部之连接部VIA，将缓冲层BU1与源极电极SE电性连接。借由在缓冲层BU1与缓冲层BU2之界面附近产生的二维电子气体2DEG2，可使阈值上升，改善常关特性。