发明专利
- 专利标题： 應力降低之直通矽晶穿孔與中介體結構
- 专利标题（英）： Reduced stress tsv and interposer structures
- 专利标题（中）： 应力降低之直通硅晶穿孔与中介体结构
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申请号： TW105103024申请日： 2013-06-07
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公开(公告)号： TWI584432B公开(公告)日： 2017-05-21
- 发明人: 烏卓 塞普里昂 艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 威奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 卡斯奇 泰倫斯 , CASKEY, TERRENCE , 德塞 奇梭V , DESAI, KISHOR V. , 魏懷良 , WEI, HUAILIANG , 米切爾 克雷格 , MITCHELL, CRAIG , 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM
- 申请人： 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
- 专利权人： 英帆薩斯公司,INVENSAS CORPORATION
- 当前专利权人： 英帆薩斯公司,INVENSAS CORPORATION
- 代理商 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： 13/492,064 20120608
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/60
公开/授权文献
- TW201620098A 應力降低之直通矽晶穿孔與中介體結構 公开/授权日：2016-06-01
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