公开(公告)号：TWI685932B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105132857

申请日：2016-10-12

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 奧佐拉 阿比歐拉 ,  AWUJOOLA, ABIOLA ,  孫卓文 ,  SUN, ZHUOWEN ,  佐尼 惠爾 ,  ZOHNI, WAEL ,  普拉布 阿修克S ,  PRABHU, ASHOK S. ,  蘇比杜 威爾瑪 ,  SUBIDO, WILLMAR

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/552

公开(公告)号：TW201842643A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107112587

申请日：2018-04-12

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝爾格森 ,  HABA, BELGACEM ,  莫罕默德 伊黎雅斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本發明提供具有阻劑孔之扇出晶圓級封裝。在一實施中，實例晶圓級製程或面板製造製程包括：將晶粒黏附至載體，將臨時阻劑層施加於該晶粒及該載體上方，使該阻劑層顯影以形成通道或空間，用模製材料填充該些通道或該些空間，移除剩餘阻劑以在該模製材料中產生孔，及金屬化該模製材料中之該些孔以提供用於微電子封裝的導電孔。所述方法自動地產生良好的孔與襯墊對準。在另一實施中，一實例製程包括：將晶粒黏附至載體，將永久阻劑層施加於該晶粒及該載體上方，使該阻劑層顯影以在該阻劑層中形成孔，及金屬化該永久阻劑層之剩餘阻劑中的該些孔以提供用於該微電子封裝的導電孔。總成可用面向上或面向下的半導體晶粒構建。一或多個重佈層（RDL）可建置於具有阻劑孔之總成的一側或兩側上。

简体摘要： 本发明提供具有阻剂孔之扇出晶圆级封装。在一实施中，实例晶圆级制程或皮肤制造制程包括：将晶粒黏附至载体，将临时阻剂层施加于该晶粒及该载体上方，使该阻剂层显影以形成信道或空间，用模制材料填充该些信道或该些空间，移除剩余阻剂以在该模制材料中产生孔，及金属化该模制材料中之该些孔以提供用于微电子封装的导电孔。所述方法自动地产生良好的孔与衬垫对准。在另一实施中，一实例制程包括：将晶粒黏附至载体，将永久阻剂层施加于该晶粒及该载体上方，使该阻剂层显影以在该阻剂层中形成孔，及金属化该永久阻剂层之剩余阻剂中的该些孔以提供用于该微电子封装的导电孔。总成可用面向上或面向下的半导体晶粒构建。一或多个重布层（RDL）可建置于具有阻剂孔之总成的一侧或两侧上。

公开(公告)号：TW201801248A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106121277

申请日：2017-06-26

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝爾格森 ,  HABA, BELGACEM ,  蒂斯特凡諾 湯瑪斯 ,  DISTEFANO, THOMAS

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/293 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17055 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2924/07025

摘要： 本發明提供可變形的導電接觸件。第一基板上的多個可變形接觸件可在晶粒級或晶圓級的微電子裝置的組裝期間被結合至第二基板上的多個導電襯墊。每一個可變形接觸件相對於第一基板和第二基板之間的結合壓力的量值在一定程度上是順應的。由於個別接觸件可在離目標襯墊一範圍的距離內形成導電性耦合，所以當結合的任一側上的導電元件的高度有一些變化時，可變形接觸件所組成的陣列可提供容忍性和順應性。可提供可流動的底部填充物以將可變形接觸件擠壓以抵靠在相對的襯墊上並且以固定的距離永久地使表面結合。可變形接觸件可包括擦拭特徵來清潔它們的目標襯墊，以改善金屬至金屬接合或熱壓縮接合。

简体摘要： 本发明提供可变形的导电接触件。第一基板上的多个可变形接触件可在晶粒级或晶圆级的微电子设备的组装期间被结合至第二基板上的多个导电衬垫。每一个可变形接触件相对于第一基板和第二基板之间的结合压力的量值在一定程度上是顺应的。由于个别接触件可在离目标衬垫一范围的距离内形成导电性耦合，所以当结合的任一侧上的导电组件的高度有一些变化时，可变形接触件所组成的数组可提供容忍性和顺应性。可提供可流动的底部填充物以将可变形接触件挤压以抵靠在相对的衬垫上并且以固定的距离永久地使表面结合。可变形接触件可包括擦拭特征来清洁它们的目标衬垫，以改善金属至金属接合或热压缩接合。

公开(公告)号：TW201735287A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105141581

申请日：2016-12-15

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 迪拉克魯茲 賈維爾A ,  DELACRUZ, JAVIER A. ,  奧佐拉 阿比歐拉 ,  AWUJOOLA, ABIOLA ,  普拉布 阿修克S ,  PRABHU, ASHOK S. ,  拉丁 克里斯多夫W ,  LATTIN, CHRISTOPHER W. ,  孫卓文 ,  SUN, ZHUOWEN

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0284 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 在一種垂直整合的微電子封裝中，一第一微電子裝置係在該微電子封裝的一只有引線接合的表面區域中耦接至一電路平台的一上表面。引線接合線係耦接至該第一微電子裝置的一上表面，而且從該第一微電子裝置的該上表面延伸離開。一處於一面朝下的朝向的第二微電子裝置係在一只有表面安裝的區域中耦接至該些引線接合線的上方的末端。該第二微電子裝置係位在該第一微電子裝置之上，而且至少部分地重疊該第一微電子裝置。一保護層係被設置在該電路平台以及該第一微電子裝置之上。該保護層的一上表面係具有該只有表面安裝的區域。該保護層的該上表面係在該只有表面安裝的區域中具有被設置於其上的處於該面朝下的朝向的該第二微電子裝置，以用於耦接至該些第一引線接合線的該些上方的末端。

简体摘要： 在一种垂直集成的微电子封装中，一第一微电子设备系在该微电子封装的一只有引线接合的表面区域中耦接至一电路平台的一上表面。引线接合线系耦接至该第一微电子设备的一上表面，而且从该第一微电子设备的该上表面延伸离开。一处于一面朝下的朝向的第二微电子设备系在一只有表面安装的区域中耦接至该些引线接合线的上方的末端。该第二微电子设备系位在该第一微电子设备之上，而且至少部分地重叠该第一微电子设备。一保护层系被设置在该电路平台以及该第一微电子设备之上。该保护层的一上表面系具有该只有表面安装的区域。该保护层的该上表面系在该只有表面安装的区域中具有被设置于其上的处于该面朝下的朝向的该第二微电子设备，以用于耦接至该些第一引线接合线的该些上方的末端。

公开(公告)号：TWI596682B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW105127427

申请日：2013-02-22

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 科 瑞拿杜 ,  CO, REYNALDO ,  米卡瑞密 勞瑞 ,  MIRKARIMI, LAURA

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TW201729369A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105137430

申请日：2016-11-16

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  普拉布 阿修克S ,  PRABHU, ASHOK S. ,  維拉維森席歐 葛蘭特 ,  VILLAVICENCIO, GRANT ,  李 相日 ,  LEE, SANGIL ,  阿拉托勒 羅西安 ,  ALATORRE, ROSEANN ,  迪拉克魯茲 賈維爾A ,  DELACRUZ, JAVIER A. ,  麥克葛拉斯 史考特 ,  MCGRATH, SCOTT

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種構件，其可包括大致上平坦元件、覆於所述大致上平坦元件上的強化的介電層、覆於所述強化的介電層上的囊封以及多個導線接合。每一個導線接合在所述囊封的主要表面處皆具有端部。所述導線接合可具有在所述強化的介電層內延伸的第一部分。所述導線接合的至少一些的所述第一部分可具有可改變各自所述導線接合的延伸方向的彎曲部。所述強化的介電層可具有圍繞所述導線接合的各自導線接合的突出區域，與所述突出區域的相鄰突出區域之間的所述強化的介電層的部分相比，所述突出區域延伸至從所述大致上平坦元件的所述第一表面算起還要高的尖峰高度。所述突出區域的所述尖峰高度可與所述強化的介電層和個別導線接合之間的接觸點重合。

简体摘要： 一种构件，其可包括大致上平坦组件、覆于所述大致上平坦组件上的强化的介电层、覆于所述强化的介电层上的囊封以及多个导线接合。每一个导线接合在所述囊封的主要表面处皆具有端部。所述导线接合可具有在所述强化的介电层内延伸的第一部分。所述导线接合的至少一些的所述第一部分可具有可改变各自所述导线接合的延伸方向的弯曲部。所述强化的介电层可具有围绕所述导线接合的各自导线接合的突出区域，与所述突出区域的相邻突出区域之间的所述强化的介电层的部分相比，所述突出区域延伸至从所述大致上平坦组件的所述第一表面算起还要高的尖峰高度。所述突出区域的所述尖峰高度可与所述强化的介电层和个别导线接合之间的接触点重合。

公开(公告)号：TWI591798B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201709475A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105137861

申请日：2014-01-29

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝爾格森 ,  HABA, BELGACEM ,  佐尼 惠爾 ,  ZOHNI, WAEL

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一種微電子封裝可包括：一個基板，其具有朝第一與第二橫向方向而延伸之第一與第二相對表面、以及延伸在第一與第二表面之間且界定各自沿著朝第一方向而延伸的一個共同軸所延長的第一與第二相異部分之一個開口；第一與第二微電子元件，其各自具有面對基板的第一表面之一個前表面與在個別的前表面之一排接點；複數個端子，其暴露在第二表面；及，第一與第二電氣連接，其和開口的個別的第一與第二部分為對準且從個別的第一與第二微電子元件的該等接點之中的至少一些者而延伸到該等端子之中的至少一些者。第一與第二微電子元件的該排接點可和開口的個別的第一與第二部分為對準。

简体摘要： 一种微电子封装可包括：一个基板，其具有朝第一与第二横向方向而延伸之第一与第二相对表面、以及延伸在第一与第二表面之间且界定各自沿着朝第一方向而延伸的一个共同轴所延长的第一与第二相异部分之一个开口；第一与第二微电子组件，其各自具有面对基板的第一表面之一个前表面与在个别的前表面之一排接点；复数个端子，其暴露在第二表面；及，第一与第二电气连接，其和开口的个别的第一与第二部分为对准且从个别的第一与第二微电子组件的该等接点之中的至少一些者而延伸到该等端子之中的至少一些者。第一与第二微电子组件的该排接点可和开口的个别的第一与第二部分为对准。

公开(公告)号：TW201709459A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105119708

申请日：2016-06-23

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 賈米尼 納德 ,  GAMINI, NADER

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/186 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/0235

摘要： 提出具有內嵌跡線互連的層壓中介層和封裝。一種用於製作一中介層或封裝的示例性製程，藉由將導電跡線沉積於多個晶圓或格板之上，而後將此等基板層壓成一堆疊，從而嵌入該些導電跡線，以在封裝中實現垂直導電通路。該層壓堆疊被分割成一中介層或電子封裝之尺寸。經分割的堆疊的一側面從而被使用作為中介層或封裝的頂部，使得部分的水平塗佈跡線成為垂直導電通路。可以藉由加入重分布層於頂部和底部表面之上，以及主動和被動元件之上，以完成或發展中介層或封裝。電子元件亦可以被內嵌於層壓堆疊之中。部分堆疊層可以是主動式晶粒，諸如記憶體控制器、記憶體儲存陣列以及處理器，以形成記憶體子系統或自備計算裝置。

简体摘要： 提出具有内嵌迹线互连的层压中介层和封装。一种用于制作一中介层或封装的示例性制程，借由将导电迹线沉积于多个晶圆或格板之上，而后将此等基板层压成一堆栈，从而嵌入该些导电迹线，以在封装中实现垂直导电通路。该层压堆栈被分割成一中介层或电子封装之尺寸。经分割的堆栈的一侧面从而被使用作为中介层或封装的顶部，使得部分的水平涂布迹线成为垂直导电通路。可以借由加入重分布层于顶部和底部表面之上，以及主动和被动组件之上，以完成或发展中介层或封装。电子组件亦可以被内嵌于层压堆栈之中。部分堆栈层可以是主动式晶粒，诸如内存控制器、内存存储数组以及处理器，以形成内存子系统或自备计算设备。

公开(公告)号：TW201705418A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105109416

申请日：2016-03-25

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5387 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0326 ,  H05K2201/062 ,  H05K2201/10378

摘要： 提出的是基板結構，其可以包括多孔性聚醯亞胺材料和形成於多孔性聚醯亞胺材料中的電極。於某些範例，形成基板的方法可以包括：沉積阻障層在基板上；沉積光阻在阻障層上；圖案化和蝕刻光阻；形成電極；移除光阻；沉積多孔性聚醯亞胺氣凝膠；沉積介電層在氣凝膠材料上；拋光插置物的頂側以暴露電極；以及從插置物的底側移除基板。

简体摘要： 提出的是基板结构，其可以包括多孔性聚酰亚胺材料和形成于多孔性聚酰亚胺材料中的电极。于某些范例，形成基板的方法可以包括：沉积阻障层在基板上；沉积光阻在阻障层上；图案化和蚀刻光阻；形成电极；移除光阻；沉积多孔性聚酰亚胺气凝胶；沉积介电层在气凝胶材料上；抛光插置物的顶侧以暴露电极；以及从插置物的底侧移除基板。