发明专利
- 专利标题： 在凹處包括一應力件的半導體裝置及其形成方法（三）
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING A STRESSOR IN A RECESS AND METHODS OF FORMING THE SAME
- 专利标题（中）： 在凹处包括一应力件的半导体设备及其形成方法（三）
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申请号： TW106132301申请日： 2013-09-13
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公开(公告)号： TWI643346B公开(公告)日： 2018-12-01
- 发明人: 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
- 申请人： 三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 专利权人： 三星電子股份有限公司,SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： 三星電子股份有限公司,SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 代理商 惲軼群; 陳文郎
- 优先权： 10-2012-0133248 20121122;10-2013-0001179 20130104
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28
公开/授权文献
- TW201803127A 在凹處包括一應力件的半導體裝置及其形成方法（三） 公开/授权日：2018-01-16
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