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公开(公告)号：TWI643346B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106132301
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
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公开(公告)号：TWI605592B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102133207
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
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公开(公告)号：TWI603472B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102116460
申请日：2013-05-09
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 金明宣 , KIM, MYUNG-SUN , 南性眞 , NAM, SEONG-JIN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/28247 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201421688A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102133207
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
摘要： 本發明提供在凹處包括一應力件的半導體裝置及形成該等半導體裝置之方法。該等方法可包括在一作用區域中形成一槽且該槽可包括該作用區域之一缺口部份。該等方法亦可包括在該槽中形成一嵌入式應力件。該嵌入式應力件可包括一下半導體層及一上半導體層，且該上半導體層具有比該下半導體層之一寬度窄的一寬度。該上半導體層之一側可不對齊該下半導體層之一側，且該上半導體層之一最上方表面可比該作用區域之一最上方表面高。
简体摘要： 本发明提供在凹处包括一应力件的半导体设备及形成该等半导体设备之方法。该等方法可包括在一作用区域中形成一槽且该槽可包括该作用区域之一缺口部份。该等方法亦可包括在该槽中形成一嵌入式应力件。该嵌入式应力件可包括一下半导体层及一上半导体层，且该上半导体层具有比该下半导体层之一宽度窄的一宽度。该上半导体层之一侧可不对齐该下半导体层之一侧，且该上半导体层之一最上方表面可比该作用区域之一最上方表面高。
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公开(公告)号：TW201820495A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106139214
申请日：2017-11-13
发明人： 秦正起 , JIN, JEONG-GI , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 朴点龍 , PARK, JUM-YONG , 千鎭豪 , CHUN, JIN-HO , 孫成旻 , SON, SEONG-MIN , 李鎬珍 , LEE, HO-JIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488
摘要： 一種半導體晶片包括：半導體基底，包括凸塊區及非凸塊區；凸塊，位於凸塊區上；以及鈍化層，位在所述半導體基底的所述凸塊區及所述非凸塊區上。沒有凸塊位於所述非凸塊區上。所述凸塊區中所述鈍化層的厚度厚於所述非凸塊區中所述鈍化層的厚度。所述鈍化層包括位在所述凸塊區與所述非凸塊區之間的台階。
简体摘要： 一种半导体芯片包括：半导体基底，包括凸块区及非凸块区；凸块，位于凸块区上；以及钝化层，位在所述半导体基底的所述凸块区及所述非凸块区上。没有凸块位于所述非凸块区上。所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度。所述钝化层包括位在所述凸块区与所述非凸块区之间的台阶。
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公开(公告)号：TW201813018A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121020
申请日：2017-06-23
发明人： 全炯俊 , JEON, HYUNG-JUN , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 朴炳律 , PARK, BYUNG-LYUL
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/045 , H01L23/047 , H01L23/3128 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2225/1029 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511
摘要： 本發明提供一種疊層封裝型的半導體封裝，其包含：下部封裝，所述下部封裝包含：印刷電路板（printed circuit board，PCB）基底，所述PCB基底包含多個基底層以及穿透多個基底層的腔室；第一半導體晶片，其在所述腔室中；重佈線結構，其在PCB基底的第一表面上並且在第一半導體晶片的主動表面上；第一覆蓋層，其覆蓋重佈線結構；以及第二覆蓋層，其覆蓋PCB基底的第二表面和第一半導體晶片的非主動表面；以及上部封裝，其在下部封裝的第二覆蓋層上並且包含第二半導體晶片。
简体摘要： 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板（printed circuit board，PCB）基底，所述PCB基底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB基底的第一表面上并且在第一半导体芯片的主动表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB基底的第二表面和第一半导体芯片的非主动表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。
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公开(公告)号：TWI608615B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW102133206
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK , 李來寅 , LEE, NAE-IN
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
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公开(公告)号：TW201401515A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102116460
申请日：2013-05-09
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 金明宣 , KIM, MYUNG-SUN , 南性眞 , NAM, SEONG-JIN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/28247 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/088 , H01L27/1116 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78696
摘要： 在半導體元件中，第一主動區具有第一Σ形狀，且第二主動區具有第二Σ形狀。將垂直於基板且通過第一區中的閘極電極的側表面的線定義為第一垂直線，將垂直於基板且通過第二區中的閘極電極的側表面的線定義為第二垂直線，將第一垂直線與第一溝渠之間的最短距離定義為第一水平距離，且將第二垂直線與第二溝渠之間的最短距離定義為第二水平距離，第一水平距離與第二水平距離之間的差異等於或小於1nm。
简体摘要： 在半导体组件中，第一主动区具有第一Σ形状，且第二主动区具有第二Σ形状。将垂直于基板且通过第一区中的闸极电极的侧表面的线定义为第一垂直线，将垂直于基板且通过第二区中的闸极电极的侧表面的线定义为第二垂直线，将第一垂直线与第一沟渠之间的最短距离定义为第一水平距离，且将第二垂直线与第二沟渠之间的最短距离定义为第二水平距离，第一水平距离与第二水平距离之间的差异等于或小于1nm。
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公开(公告)号：TW201803127A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106132301
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 姜顯澈 , KANG, HYUN-CHUL , 盧東賢 , ROH, DONG-HYUN , 朴判貴 , PARK, PAN-KWI , 慎居明 , SHIN, GEO-MYUNG , 李來寅 , LEE, NAE-IN , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
摘要： 本發明提供在凹處包括一應力件的半導體裝置及形成該等半導體裝置之方法。該等方法可包括在一作用區域中形成一槽且該槽可包括該作用區域之一缺口部份。該等方法亦可包括在該槽中形成一嵌入式應力件。該嵌入式應力件可包括一下半導體層及一上半導體層，且該上半導體層具有比該下半導體層之一寬度窄的一寬度。該上半導體層之一側可不對齊該下半導體層之一側，且該上半導體層之一最上方表面可比該作用區域之一最上方表面高。
简体摘要： 本发明提供在凹处包括一应力件的半导体设备及形成该等半导体设备之方法。该等方法可包括在一作用区域中形成一槽且该槽可包括该作用区域之一缺口部份。该等方法亦可包括在该槽中形成一嵌入式应力件。该嵌入式应力件可包括一下半导体层及一上半导体层，且该上半导体层具有比该下半导体层之一宽度窄的一宽度。该上半导体层之一侧可不对齐该下半导体层之一侧，且该上半导体层之一最上方表面可比该作用区域之一最上方表面高。
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公开(公告)号：TW201421687A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102133206
申请日：2013-09-13
发明人： 申東石 , SHIN, DONG-SUK , 李哲雄 , LEE, CHUL-WOONG , 鄭會晟 , CHUNG, HOI-SUNG , 金永倬 , KIM, YOUNG-TAK , 李來寅 , LEE, NAE-IN
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02636 , H01L21/30604 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L27/088 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834
摘要： 本發明提供在凹處包括一應力件的半導體裝置及形成該等半導體裝置之方法。該等方法可包括在一作用區域中形成包含磷之一快速蝕刻區域，及藉由使該快速蝕刻區域凹陷以在該作用區域中形成一第一槽。該等方法亦可包括藉由使用一方向性蝕刻程序擴大該第一槽，以在該作用區域中形成一第二槽及在該第二槽中形成一應力件。該第二槽可包括該作用區域之一缺口部份。
简体摘要： 本发明提供在凹处包括一应力件的半导体设备及形成该等半导体设备之方法。该等方法可包括在一作用区域中形成包含磷之一快速蚀刻区域，及借由使该快速蚀刻区域凹陷以在该作用区域中形成一第一槽。该等方法亦可包括借由使用一方向性蚀刻进程扩大该第一槽，以在该作用区域中形成一第二槽及在该第二槽中形成一应力件。该第二槽可包括该作用区域之一缺口部份。
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