半導體裝置及其製造方法

发明专利

TWI644430B 半導體裝置及其製造方法有权

简体标题：半导体设备及其制造方法

专利标题： 半導體裝置及其製造方法
专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
专利标题（中）： 半导体设备及其制造方法
申请号： TW106113884

申请日： 2017-04-26
公开(公告)号： TWI644430B

公开(公告)日： 2018-12-11
发明人: 林文新 , LIN, WEN HSIN , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
申请人地址： 新竹縣
专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人： 世界先進積體電路股份有限公司,VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人地址： 新竹縣
代理商 洪澄文; 顏錦順
主分类号： H01L29/36
IPC分类号： H01L29/36 ; H01L29/80 ; H01L21/22 ; H01L21/337

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/36	..按杂质的浓度或分布特征区分的