半導體裝置及其製造方法

Invention Patent

TWI650803B 半導體裝置及其製造方法有权

Simplified title: 半导体设备及其制造方法

Patent Title: 半導體裝置及其製造方法
Patent Title (English): SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Patent Title (中): 半导体设备及其制造方法
Application No.: TW104107755

Application Date: 2015-03-11
Publication No.: TWI650803B

Publication Date: 2019-02-11
Inventor: 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 野田耕生 , NODA, KOSEI
Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Current Assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Agent 林志剛
Priority: 2014-054763 20140318
Main IPC: H01L21/28
IPC: H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/41 ; H01L29/786 ; H01L51/50

Public/Granted literature

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的