接著膜、切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置

发明专利

TWI664684B 接著膜、切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置有权

简体标题：接着膜、切晶黏晶膜、半导体设备之制造方法及半导体设备

专利标题： 接著膜、切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
专利标题（中）： 接着膜、切晶黏晶膜、半导体设备之制造方法及半导体设备
申请号： TW103145074

申请日： 2014-12-23
公开(公告)号： TWI664684B

公开(公告)日： 2019-07-01
发明人: 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 大西謙司 , ONISHI, KENJI
申请人： 日商日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
专利权人： 日商日東電工股份有限公司,NITTO DENKO CORPORATION
当前专利权人： 日商日東電工股份有限公司,NITTO DENKO CORPORATION
代理商 陳長文
优先权： 2013-265830 20131224
主分类号： H01L21/58
IPC分类号： H01L21/58 ; H01L21/301 ; C09J7/20

公开/授权文献

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58	....半导体器件在支架上的安装