-
公开(公告)号：TWI676663B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104137547
申请日：2015-11-13
发明人： 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO
IPC分类号： C09J7/00 , C09J133/00 , C09J11/04 , H01L21/301 , H01L21/52
-
公开(公告)号：TWI673338B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW103125026
申请日：2014-07-22
发明人： 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 菅生悠樹 , SUGO, YUKI , 宍戸雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 木村雄大 , KIMURA, YUTA
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/304
-
公开(公告)号：TWI648368B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103145070
申请日：2014-12-23
发明人： 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 大西謙司 , ONISHI, KENJI
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/304
-
公开(公告)号：TWI697059B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105116123
申请日：2016-05-24
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 高本尚英 , TAKAMOTO, NAOHIDE , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495
-
公开(公告)号：TWI667703B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104141621
申请日：2015-12-11
发明人： 宍戸雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 柳雄一朗 , YANAGI, YUICHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/20 , H01L21/52
-
公开(公告)号：TWI667318B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104110056
申请日：2015-03-27
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 村田修平 , MURATA, SHUHEI , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/302
-
公开(公告)号：TW201842117A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112984
申请日：2018-04-17
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 高本尚英 , TAKAMOTO, NAOHIDE , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 福井章洋 , FUKUI, AKIHIRO , 大和道子 , YAMATO, MICHIKO , 井上真一 , INOUE, SHINICHI
IPC分类号： C09J7/30 , C09J133/04 , H01L21/68
摘要： 本發明提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜(DDAF)之擴張步驟中切晶帶上之接著劑層可被良好地割斷，且適於實現割斷後之附接著劑層之半導體晶片之良好拾取的DDAF。 本發明之DDAF具備切晶帶10與接著劑層20。切晶帶10具備含有包含(甲基)丙烯酸月桂酯與(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯作為構成單體之第1丙烯酸系聚合物之黏著劑層12。接著劑層20密接於黏著劑層12，含有具有腈基之第2丙烯酸系聚合物。於第2丙烯酸系聚合物之紅外線吸收光譜中，源自腈基之2240 cm-1附近之波峰高度相對於源自羰基之1730 cm-1附近之波峰高度的比為0.01～0.1。
简体摘要： 本发明提供一种于为了获得附接着剂层之半导体芯片而使用切晶黏晶膜(DDAF)之扩张步骤中切晶带上之接着剂层可被良好地割断，且适于实现割断后之附接着剂层之半导体芯片之良好十取的DDAF。 本发明之DDAF具备切晶带10与接着剂层20。切晶带10具备含有包含(甲基)丙烯酸月桂酯与(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯作为构成单体之第1丙烯酸系聚合物之黏着剂层12。接着剂层20密接于黏着剂层12，含有具有腈基之第2丙烯酸系聚合物。于第2丙烯酸系聚合物之红外线吸收光谱中，源自腈基之2240 cm-1附近之波峰高度相对于源自羰基之1730 cm-1附近之波峰高度的比为0.01～0.1。
-
公开(公告)号：TW201829683A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106139430
申请日：2017-11-15
发明人： 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 高本尚英 , TAKAMOTO, NAOHIDE , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 福井章洋 , FUKUI, AKIHIRO
IPC分类号： C09J7/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/301
摘要： 本發明提供一種能夠良率良好地製造空隙消失並且接著膜之過度伸出得到抑制之高品質之半導體裝置的接著膜及其用途。 本發明之接著膜係用於將固定於被接著體上之第1半導體元件包埋、且將與該第1半導體元件不同之第2半導體元件固定於被接著體者，且含有熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及無機填充劑，無機填充劑之含量於總固形物成分中為30重量%以上且50重量%以下，熱塑性樹脂之含量於總固形物成分中為10重量%以上且25重量%以下，熱硬化前之於120℃下之黏度為1300 Pa・s以上且4500 Pa・s以下。
简体摘要： 本发明提供一种能够良率良好地制造空隙消失并且接着膜之过度伸出得到抑制之高品质之半导体设备的接着膜及其用途。 本发明之接着膜系用于将固定于被接着体上之第1半导体组件包埋、且将与该第1半导体组件不同之第2半导体组件固定于被接着体者，且含有热塑性树脂、热硬化性树脂及无机填充剂，无机填充剂之含量于总固形物成分中为30重量%以上且50重量%以下，热塑性树脂之含量于总固形物成分中为10重量%以上且25重量%以下，热硬化前之于120℃下之黏度为1300 Pa・s以上且4500 Pa・s以下。
-
公开(公告)号：TWI689570B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104110249
申请日：2015-03-30
发明人： 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 三隅貞仁 , MISUMI, SADAHITO , 村田修平 , MURATA, SHUHEI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 木村雄大 , KIMURA, YUTA
IPC分类号： C09J7/00 , H01L21/683
-
公开(公告)号：TW201843728A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107112986
申请日：2018-04-17
发明人： 木村雄大 , KIMURA, YUTA , 高本尚英 , TAKAMOTO, NAOHIDE , 大西謙司 , ONISHI, KENJI , 宍戶雄一郎 , SHISHIDO, YUICHIRO , 福井章洋 , FUKUI, AKIHIRO , 大和道子 , YAMATO, MICHIKO , 井上真一 , INOUE, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/304 , C09J9/02 , C09J133/08
摘要： 本發明提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取的切晶黏晶膜。 本發明之切晶黏晶膜具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層之接著劑層，且上述黏著劑層表面於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。
简体摘要： 本发明提供一种于为了获得附接着剂层之半导体芯片而使用切晶黏晶膜之扩张步骤中，切晶带上之接着剂层能够被良好地割断，且割断后之附接着剂层之半导体芯片能够实现良好之十取的切晶黏晶膜。 本发明之切晶黏晶膜具备：具有包含基材与黏着剂层之积层构造之切晶带、及可剥离地密接于上述切晶带中之上述黏着剂层之接着剂层，且上述黏着剂层表面于温度23℃、频率100 Hz之条件下借由奈米压痕法进行500 nm压入时之弹性模数为0.1～20 MPa。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
73 条记录 (耗时 0.025 秒)
