- 专利标题： Tungsten silicide target and method of manufacturing same
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申请号： US16493006申请日： 2018-01-22
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公开(公告)号： US11046616B2公开(公告)日： 2021-06-29
- 发明人: Kunihiro Oda , Takayuki Asano
- 申请人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Nields, Lemack & Frame, LLC
- 优先权： JPJP2017-059965 20170324
- 国际申请： PCT/JP2018/001779 WO 20180122
- 国际公布： WO2018/173450 WO 20180927
- 主分类号： C04B35/58
- IPC分类号： C04B35/58 ; C23C14/34 ; C23C14/06
摘要：
A tungsten silicide target capable of suppressing the occurrence of particles during sputtering is provided by a method different from conventional methods. The tungsten silicide target includes not more than 5 low-density semi-sintered portions having a size of 50 μm or more per 80000 mm2 on the sputtering surface.
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