- 专利标题： Polycrystalline cubic boron nitride and method for manufacturing the same
-
申请号： US17052831申请日： 2020-02-27
-
公开(公告)号： US11186485B2公开(公告)日： 2021-11-30
- 发明人: Michiko Matsukawa , Satoru Kukino , Taisuke Higashi , Machiko Abe
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.
- 申请人地址： JP Itami
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.
- 当前专利权人地址： JP Itami
- 代理机构： Faegre Drinker Biddle & Reath LLP
- 优先权： JPJP2019-036263 20190228,WOPCT/JP2020/001438 20200117
- 国际申请： PCT/JP2020/008156 WO 20200227
- 国际公布： WO2020/175647 WO 20200903
- 主分类号： H01M4/02
- IPC分类号： H01M4/02 ; C01B21/064 ; B23B27/20
摘要：
A polycrystalline cubic boron nitride comprising 96% by volume or more of cubic boron nitride, wherein the cubic boron nitride has a dislocation density of 8×1015/m2 or less, the polycrystalline cubic boron nitride comprises a plurality of crystal grains, and the plurality of crystal grains have a median diameter d50 of an equivalent circle diameter of less than 100 nm.
公开/授权文献
信息查询
