公开(公告)号：US11208324B2

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：US17052920

申请日：2020-02-27

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

发明人： Michiko Matsukawa ,  Satoru Kukino ,  Taisuke Higashi ,  Machiko Abe

IPC分类号： C01B21/064 ,  B23B27/14

摘要： A polycrystalline cubic boron nitride comprising 98.5% by volume or more of cubic boron nitride, wherein the cubic boron nitride has a dislocation density of more than 8×1015/m2, the polycrystalline cubic boron nitride comprises a plurality of crystal grains, and the plurality of crystal grains have a median diameter d50 of an equivalent circle diameter of 0.1 μm or more and 0.5 μm or less.

公开(公告)号：USD888786S1

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：US29648968

申请日：2018-05-25

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

设计人： Machiko Abe ,  Hiroyuki Shimada ,  Kazuya Yano

公开(公告)号：USD847231S1

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：US29550581

申请日：2016-01-05

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

设计人： Machiko Abe ,  Hiroyuki Shimada ,  Kazuya Yano

公开(公告)号：USD966359S1

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：US29706958

申请日：2019-09-25

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

设计人： Akihiko Ueda ,  Yoshinori Tanigawa ,  Machiko Abe

公开(公告)号：US11434550B2

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：US16967572

申请日：2019-12-27

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

发明人： Machiko Abe ,  Satoru Kukino ,  Michiko Matsukawa

IPC分类号： C22C29/16

摘要： A cubic boron nitride sintered material includes 40% by volume or more and 96% by volume or less of cubic boron nitride grains and 4% by volume or more and 60% by volume or less of a binder phase, and the cubic boron nitride grains have a dislocation density of less than 1×105/m2.

公开(公告)号：US11186485B2

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：US17052831

申请日：2020-02-27

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

发明人： Michiko Matsukawa ,  Satoru Kukino ,  Taisuke Higashi ,  Machiko Abe

IPC分类号： H01M4/02 ,  C01B21/064 ,  B23B27/20

摘要： A polycrystalline cubic boron nitride comprising 96% by volume or more of cubic boron nitride, wherein the cubic boron nitride has a dislocation density of 8×1015/m2 or less, the polycrystalline cubic boron nitride comprises a plurality of crystal grains, and the plurality of crystal grains have a median diameter d50 of an equivalent circle diameter of less than 100 nm.

公开(公告)号：USD910093S1

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：US29648971

申请日：2018-05-25

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

设计人： Machiko Abe ,  Hiroyuki Shimada ,  Kazuya Yano

公开(公告)号：USD856387S1

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：US29654899

申请日：2018-06-28

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

设计人： Machiko Abe ,  Hiroyuki Shimada ,  Kazuya Yano

公开(公告)号：US11214522B2

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：US17052855

申请日：2020-02-27

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.

发明人： Michiko Matsukawa ,  Satoru Kukino ,  Taisuke Higashi ,  Machiko Abe

IPC分类号： C04B35/5831 ,  B23B27/18

摘要： A polycrystalline cubic boron nitride comprising 96% by volume or more of cubic boron nitride, wherein the cubic boron nitride has a dislocation density of more than 8×1015/m2, the polycrystalline cubic boron nitride comprises a plurality of crystal grains, and the plurality of crystal grains have a median diameter d50 of an equivalent circle diameter of less than 100 nm.

公开(公告)号：US11161790B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：US17254380

申请日：2019-12-16

申请人： SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. ,  Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： Hironari Moroguchi ,  Michiko Matsukawa ,  Satoru Kukino ,  Akito Ishii ,  Katsumi Okamura ,  Machiko Abe ,  Kenta Sano

IPC分类号： C04B35/5831 ,  B23B27/14

摘要： A cubic boron nitride sintered material comprises 30% by volume or more and 80% by volume or less of cubic boron nitride grains and 20% by volume or more and 70% by volume or less of a binder phase, the cubic boron nitride grains having a dislocation density of 3×1017/m2 or more and 1×1020/m2 or less.